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powered by   2024/11/02 更新
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【京都/滋賀】IGBTデバイス・プロセスエンジニア 社名非公開

掲載開始日:2024/10/29
更新日:2024/10/30
ジョブNo.241029MN81075856
職種 【京都/滋賀】IGBTデバイス・プロセスエンジニア
社名 社名非公開
業務内容 【業務について】
IGBTデバイス開発・設計、プロセス開発業務・テストライン構築に従事していただきます。
部門間の関係性として、事業部門が製品売上に対する責任と権限をもっており、事業部門からの依頼という形でデバイス開発部門が要求特性を満足するデバイス・プロセスを開発するという形をとります。
実際の業務内容としては、TCADを使ったデバイスシミュレーション、CADを使ったTEGマスク作製業務、滋賀工場でウェハプロセスフローを構築して試作ロットの流動、試作したウェハの電気特性評価、不良品の物理解析など、デバイス開発の前工程部分を一貫してご担当いただく予定です。ディスクリート製品では、開発の上流から下流までの業務を広く受け持つため、デバイス開発エンジニアとしてのスキルが一通り身に付きます。
守備範囲が広くなるので、ユーティリティな能力が必要と思われるかもしれませんが、解析やシミュレーション、ウェハプロセスの要素技術など、一定の高度なスキルが必要な業務については、保有スキルによって関係部署やメンバーで分業することで効率的に開発を進めています。

【募集背景】
IGBTデバイス開発・設計、プロセス開発に関する業務。パワー半導体市場は競合も多いですが、今後も市場規模は成長していきます。パワーのロームというブランドを確立するため、確固たるシェアをとるべく、現在の開発案件や次世代の開発を加速させていきます。
求める経験 【必須要件】
■MOSFETの構造・動作特性の基本的な理解
■半導体プロセスの基本的な理解

【歓迎要件】
■基礎的な電気回路の理解
■ウェハプロセス工場での開発業務
勤務地
京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
勤務時間 08:15~17:15
休日・休暇 完全週休二日(土日)祝日 夏季休暇 年末年始休暇 有給休暇 慶弔休暇 介護休暇 産前産後 育児休暇 他
募集背景 増員のための募集になります。詳細につきましてはご面談時にお伝え致します。
雇用形態 正社員

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