オプトデバイス・パワーデバイス結晶成長に関する業務【秋田市】 社名非公開
| 職種 | オプトデバイス・パワーデバイス結晶成長に関する業務【秋田市】 |
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| 社名 | 社名非公開 |
| 業務内容 |
【仕事内容】 MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs InP AlN GaN関連材料）の結晶成長に関する業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・GaAs系 InP系赤外LED・PDの結晶成長に関する業務 ・デバイス特性向上に向けたMOCVDを用いたプロセス条件最適化・MOCVD装置設計の最適化 |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記いずれかに当てはまる方 ■パワーデバイス向けGaN系エピ基板開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験 ■オプトデバイス向けGaAs・InP・AlN・GaNおよびその関連材料のエピ成長開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験 ■GaAs・InP・AlN・GaNおよびその関連材料向けのMOCVD装置の装置開発・設計の技術経験 |
| 勤務地 |
秋田県
詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
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| 年収 |
年収 500 ～ 710 万円 賞与：年2回（6月、12月／過去実績6ヶ月）※業績に連動） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 勤務時間 | 09:00～17:35 |
| 休日・休暇 |
その他年次有給休暇、備蓄年休、結婚休暇、忌服休暇、リフレッシュ休暇、フレッシュアップ休暇 ※産後パパ育休に有給部分あり 育休後復帰率100％ 年間有給休暇22日～（下限日数は、入社直後の付与日数となります） ※勤務地によって異なる場合あり、完全週休2日制、介護休暇、育児関連休暇等 |
| 募集背景 | 増員のための募集になります。詳細につきましてはご面談時にお伝え致します。 |
| 雇用形態 | 正社員 |
この求人情報は、「株式会社パソナ」が取り扱っています
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