【埼玉】MOSFETプロセス・デバイス開発※プライム/在宅可 新電元工業株式会社
| 職種 | 【埼玉】MOSFETプロセス・デバイス開発※プライム/在宅可 |
|---|---|
| 社名 | 新電元工業株式会社 |
| 業務内容 |
「【埼玉】MOSFETプロセス・デバイス開発※プライム/在宅可」のポジションの求人です ■実機動作を再現できる回路シミュレータの開発をお任せします。 ■Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETの製品開発業務 （顧客との製品仕様整合、製品設計、マスク設計、試作、製品評価） ■Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務 （プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価） 【期待する役割】 当社はパワーエレクトロニクスのトップメーカーとして家電・情報通信・自動車など様々な分野へ、半導体製品やIC製品、電装製品を提供しています。「Si系及びSiC系パワー半導体の製品開発」をお任せします。 【配属部署】 電子デバイス事業本部 第二開発部 【当社の特長】 同社の電装製品は、長年に亘り研鑽してきた車載実装技術や電源回路技術などのコア技術を融合し、高信頼性・高効率を誇る自社製のパワー半導体を多く用いることで、高い信頼性と高効率化を実現しています。また、二輪車・四輪車向け電装製品の開発・生産で培ってきた生産技術や管理手法を軸に、アジア各国に生産拠点を展開し、グローバル市場への商品供給を行う高度なQCDS（クオリティ・コスト・デリバリ・サービス）体制を築いております。 |
| 求める経験 | 【必須要件】※応募の際には顔写真が必須となります。 ■Si系パワーMOSFETSiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務の実務経験 【歓迎要件】 ・パワー半導体に関する知識 ・デバイスシミュレータのスキル ・プロセスシミュレータのスキル ・TEG（マスク）設計CADのスキル ・静特性測定、動特性測定のスキル ・半導体デバイスに関する特許取得 |
| 勤務地 |
埼玉県
朝霞市幸町3丁目14番1号（朝霞事業所） ※当面転勤無し
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| 年収 |
年収 700 ～ 1000 万円 ※各種手当（残業手当含む）が記載の月額基本給とは別に支給されます。 ※年収は賞与・各種手当等全て含めての想定年収となります。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 勤務時間 | 09:00～17:30 |
| 休日・休暇 |
完全週休二日（土日）休日休暇：完全週休二日（土日） 、産休育児休暇制度有、産休育児休暇実績あり 休日休暇備考欄：土日祝、メーデー、GW、夏季、年末年始（6日）、慶弔休暇、リフレッシュ休暇、創立記念日、有給休暇（16～24日 ※6月21日に付与。入社日によって増減有、介護休業、育児休業、妊娠通院休暇、看護休暇 など |
| 募集背景 | 増員のための募集になります。詳細につきましてはご面談時にお伝え致します。 |
| 雇用形態 | 正社員 |
この求人情報は、「株式会社パソナ」が取り扱っています
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