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先端デバイス技術開発【A・D 】【四日市】  /  キオクシア(旧東芝メモリ株式会社)

ジョブNo.08-51835623
職種 先端デバイス技術開発【A・D 】【四日市】
社名 キオクシア(旧東芝メモリ株式会社)
業務内容 ◆当社NAND型フラッシュメモリや、新規メモリの更なる高集積化実現のためのデバイス技術開発業務。NAND型フラッシュメモリ(3D製品を含む)、新規メモリ、またはメモリ周辺回路用デバイスについて

・セル設計・デバイス設計
・ロット試作
・電気特性、信頼性の評価

いずれかを担当頂きます。

【採用背景】
当社が手がけるNAND型フラッシュメモリは、世界最先端の3Dプロセス技術を用いており、スマートフォンの普及加速・高性能化やIoTの進展を背景に需要が拡大。今後、更なる増産投資、技術開発投資を行うことから、部門強化のため、大規模募集を行っています。
求める経験 【必須要件】
◆半導体デバイス開発の経験をお持ちの方。
・MOSFETなどデバイス構造・動作に対しての知識を有する方
・半導体、電子デバイスなどのデバイス技術開発、製品技術、
 歩留り改善、量産立上げ何れかの御経験をお持ちの方。
※ロジックLSI、ディスクリートなど、
異なる製品の経験者も歓迎

※ご経験の一致度を鑑み、別の職種での選考を打診させて頂くケースもございます。その際は面接前にご連絡させて頂きます。
勤務地
三重県四日市市
年収 450万円〜1200万円
雇用形態 正社員

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