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powered by   2024/04/19 更新
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電子材料 に該当する転職・求人一覧

勤務地 愛知県名古屋市港区大江町10番地
年収 450万円~900万円 経験、年齢、能力を考慮の上、同社規定により支給します。
業務内容 ◎仕事内容 パワーエレクトロニクス技術の進展に伴い、電力系統や発電機、モータ・インバータ等の領域で大きな技術革新が進行中です。かつて蒸気機関車が電車や気動車に置き換わったようなイノベーションが、モビリティ分野だけでなく産業機械分野・エネル...
求める経験 【必須】 ※応募時に自己紹介シートが必要となります。(企業指定書類) ■モータ・インバータ等のコンポーネント製品開発経験。 ■上記を組み合わせた電動システム開発経験。 ■電力システム開発経験。 【歓迎】 ・プロジェクトリーダ経...
勤務地 愛知県名古屋市中村区岩塚町高道1
年収 450万円~900万円 経験、年齢、能力を考慮の上、同社規定により支給します。
業務内容 ◎仕事内容 パワーエレクトロニクス技術の進展に伴い、電力系統や発電機、モータ・インバータ等の領域で大きな技術革新が進行中です。かつて蒸気機関車が電車や気動車に置き換わったようなイノベーションが、モビリティ分野だけでなく産業機械分野・エネル...
求める経験 【必須】 ■モータ・インバータ等のコンポーネント製品開発経験。 ■上記を組み合わせた電動システム開発経験。 ■電力システム開発経験。 【歓迎】 ・プロジェクトリーダ経験や、新事業開発経験。 【語学力】 ・英語での協議、...

【愛知/豊田LAB】(基礎研究)材料開発(リチウムイオン電池向け)※トヨタ・パナソニック合弁会社

プライムプラネット エナジー&ソリューションズ株式会社 閲覧済み
勤務地 愛知県豊田市トヨタ町1
年収 450万円~1200万円
業務内容 材料開発エンジニアとして以下の業務に取り組んでいただきます。 (1)リチウムイオン電池材料・電極開発 (2)リチウムイオン電池用材料解析・シミュレーション開発 ■豊田拠点(LAB)の特徴: 電池に関する基礎研究を行う拠点です。 ...
求める経験 【必須】以下いずれかの御経験を有する方 ・粉体の塗料化、塗布の技術開発経験 ・粉体分散技術を有する方 ・コンデンサの開発経験を有する方 ・無機材料、有機材料の開発、商品化経験 その他、以下のような電池技術を有する方 ...
勤務地 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2-56
年収 600万円~1000万円 ※前職の給与を考慮の上、当社規定で決定致します
業務内容 【業務】今後の光通信に求められるニーズを発掘、新製品の構想を立案し、実現に向け技術部門や事業部門をコーディネート、製品開発を推進していただきます。 【詳細】 ■光通信用の新規光電子部材の新製品新事業創出 ・技術ロードマップの把握、新規...
求める経験 【必須】 ■光通信デバイスや光電子部材に関する何らかの知識 ■新製品の技術担当、顧客対応、特許業務などのご経験 ■英語文献 読解力
勤務地 秋田県にかほ市平沢字前田151
年収 520万円~1000万円 ※前職の給与を考慮の上、当社規定で決定します。
業務内容 【電子部品大手/連結売上高1兆2千億を超え/研究開発費1000億超/海外売上高比率91.9%のグローバルカンパニー】 6期連続過去最高売上高を更新/世界初フェライトコアを製品化/リチウムイオン電池・EV・電子部品を軸とし自動車・ロボット・...
求める経験 ■必須条件: 機械/物理化学のバックグラウンドをお持ちであり、セラミック、金属材料または有機材料に関わる業務経験をお持ちの方 ■歓迎条件: 危険物取扱者乙4類をお持ちの方
勤務地 京都府京都市右京区西院溝崎町21
年収 500万円~900万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ■パワーデバイスの『第3の矢』、GaNパワーデバイスの製造技術に関する業務をご担当いただきます。 ・世界でロームでしか作れない高ゲート耐圧構造のGaNデバイス事業を更に発展させるために、製造プロセスの安定化や品質改善、生産性向上、歩留り改...
求める経験 【必須】 ・半導体プロセス または デバイスの設計、開発、製造、工程改善、品質向上、 歩留り改善、ライン立ち上げのいずれかに関わる業務経験(3年以上) 【歓迎】 ・化合物半導体に関する知識、開発、研究経験 ・半導体製造装置に関す...
勤務地 静岡県浜松市南区三和町10
年収 500万円~1000万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ■パワーデバイスの『第3の矢』、GaNパワーデバイスの製造技術に関する業務をご担当いただきます。 ・世界でロームでしか作れない高ゲート耐圧構造のGaNデバイス事業を更に発展させるために、製造プロセスの安定化や品質改善、生産性向上、歩留り改...
求める経験 【必須】 ・半導体プロセス または デバイスの設計、開発、製造、工程改善、品質向上、 歩留り改善、ライン立ち上げのいずれかに関わる業務経験(3年以上) 【歓迎】 ・化合物半導体に関する知識、開発、研究経験 ・半導体製造装置に関す...

【滋賀】ロボットエンジニア

株式会社人機一体 閲覧済み
勤務地 滋賀県青地町648-1 秘密基地人機一体
年収 360万円~540万円 年俸を12等分して月例給与とします。
業務内容 「人機プラットフォーム」における、ロボット工学技術を用いた「駆動ユニット、重機のロボット化・電動化、人型重機」のプロトタイプの研究開発をご担当いただきます。 これまでのご経験と希望に合わせて下記の業務に携わっていただきます。(例示) <...
求める経験 【必須条件】 ・高専、大学、大学院でロボット工学を学ばれた方(運動学・動力学 等) ・(ものづくりの企業での)設計、研究、開発の業務経験 1 年以上 【歓迎条件】 ・博士号(理工学系) ・基礎的なプログラミングスキル ・メカトロ...
勤務地 京都府京都市右京区西院溝崎町21
年収 500万円~850万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ・SiCパワーデバイス開発・設計 ・SiCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション ■SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能な...
求める経験 ※下記、いずれかのご経験がある方。 ・半導体業界でSiCの研究開発経験 ・トランジスタ/ダイオード/LSI等のデバイス開発経験 ・半導体プロセス開発経験、プロセスインテグレーション経験
勤務地 宮崎県宮崎市清武町木原727
年収 400万円~800万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 SiCエピ・SiC基板の研究開発、評価に関する業務をご担当いただきます。 【具体的には】  ・装置立上  8インチSiCエピ装置及びその評価装置の立上、安定稼働 等 ・エピ技術開発  8インチSiCエピ成長技術の研究開発(エピ...
求める経験 【必須】 ・半導体の開発経験 ・駐在に抵抗の無い方 【歓迎】 ※下記いずれかのスキルを保有されている方 ・SiC等の化合物半導体エピ成長技術の知識、開発経験 ・SiC等の化合物半導体エピ評価の知識、開発経験 ・SiC等の化...