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■【幸田】半導体開発:自動車用パワー半導体の研究開発<センサセミコンプロセス開発部>  /  株式会社デンソー(DENSO)

ジョブNo.125001
職種 ■【幸田】半導体開発:自動車用パワー半導体の研究開発<センサセミコンプロセス開発部>
社名 株式会社デンソー(DENSO)
業務内容 ハイブリッドやEV車の心臓部であるモータ駆動部に用いられるSi-IGBTやSiC-MOS等の高電圧、大電流パワーデバイス(素子)の開発に従事して頂きます。このパワーデバイスはインバータの損失性能を決める重要部品であり、最先端の損失性能や車載向けの高品質設計等の高い設計技術を織り込むことが必要であり、システムとの仕様調整やシミュレーション設計、素子の試作評価、解析までの幅広い業務となっています。
※以下のいずれかに携わって頂きます。
◆Si-IGBT開発業務
◆SiC-MOS開発業務
■募集背景…地球環境問題への世の中の関心が一段と高まっており、自動車部品の燃費性能向上のため、電動化が重要課題となっています。
■デンソー早わかり…https://www.denso.com/jp/ja/about-us/at-a-glance/
求める経験 [必須要件]※業界不問/製品不問
■パワー半導体素子のデバイスまたはウエハプロセス開発経験
[歓迎要件]
□パワー半導体に関する知識尚可
□半導体素子のデバイスまたはウエハプロセス開発経験(目安3年以上)尚可
□プロジェクトのリーダ/サブリーダ経験者尚可
勤務地
愛知県
年収 500万円~1200万円

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