【山梨】SiCパワーデバイス開発エンジニア(54151) ルネサス エレクトロニクス株式会社
| 職種 | 【山梨】SiCパワーデバイス開発エンジニア(54151) |
|---|---|
| 社名 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
| 業務内容 |
■職務内容 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携 ■募集の背景 当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。 他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。 |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 ３年以上 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方 ・英語に対して、抵抗のない方 【歓迎】 ・パワーデバイス（IGBT、パワーMOS(Si、SiC）、FRD)開発経験 |
| 勤務地 |
山梨県甲斐市 （山梨工場）
|
| 年収 |
500万円～1000万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 勤務時間 | 09:00～17:30 |
| 休日・休暇 | 完全週休2日制 慶弔休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇 出産予定・育児休職 |
| 福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当 住宅手当 残業手当 財形貯蓄制度 持株会制度 企業年金制度 など |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 面接2回、Teamsによるオンライン面接またはFtoFでの面接1-2回程度 |
この求人情報は、「株式会社メイテックネクスト」が取り扱っています
この情報を保有しているコンサルタントへ紹介を受けるには、マイナビスカウティングに会員登録が必要です。
応募登録いただくにあたり
にご同意いただき、マイナビスカウティングに応募情報を開示することをご了承の上登録ください。