デザインエンジニア＜フラッシュメモリ＞ 社名非公開
| 職種 | デザインエンジニア＜フラッシュメモリ＞ |
|---|---|
| 社名 | 社名非公開 |
| 業務内容 | ■デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発を担当していただきます。 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■以下いずれかのご経験 ・ロジック半導体の設計経験 ・ロジック半導体の検証経験 【歓迎要件】 ■10または20nmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・I／O、論理回路、アナログ回路とメモリのレイアウト ・ワンチップとリード／ライトパスのシミュレーション ・Siを使用しての評価 ■アルゴリズムに関する知識 ■チップリードに関する知識 ■科学、工学、電気系のバックグラウンド ■ビジネスレベルの英語力(TOEIC600以上レベル) |
| 勤務地 |
神奈川県/横浜市港北区/新横浜2丁目3-12
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| 年収 | 600-1400万円 |
| 勤務時間 | 09:00 - 18:00（コアタイム：10:00 - 15:00） |
| 休日・休暇 | 年間休日124日、完全週休2日制（土・日）、祝日、GW（暦どおり）、夏季、年末年始、年次有給 |
| 福利厚生 |
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 残業手当、通勤手当 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 【筆記試験】無 【面接回数】2回 【選考フロー】 書類選考→一次面接（人事担当者、部門長）→最終面接（役員） |
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