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powered by   2024/02/28 更新
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デバイス設計 に該当する転職・求人一覧

<兵庫>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

東芝デバイス&ストレージ株式会社 閲覧済み
勤務地 兵庫県 揖保郡太子町鵤300
年収 年収 450 ~ 1000 万円 賞与:年2回(7月・12月) ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級(年収1,000万円)での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は...
業務内容 「<兵庫>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、下記業務をお任せいたします。...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト

<石川>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

東芝デバイス&ストレージ株式会社 閲覧済み
勤務地 石川県 能美市岩内町1-1
年収 年収 450 ~ 1000 万円 賞与:年2回(7月・12月) ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級(年収1,000万円)での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は...
業務内容 「<石川>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、下記業務をお任せいたします。...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト

<福岡>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

東芝デバイス&ストレージ株式会社 閲覧済み
勤務地 福岡県 豊前市沓川760番地
年収 年収 450 ~ 1000 万円 賞与:年2回(7月・12月) ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級(年収1,000万円)での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は...
業務内容 「<福岡>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、下記業務をお任せいたします。...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト

神奈川 化合物半導体の製品開発・プロセスエンジニア(GaN)

東芝デバイス&ストレージ株式会社 閲覧済み
勤務地 神奈川県 川崎市幸区堀河町580-1
年収 年収 450 ~ 1000 万円 賞与:年2回(7月・12月) ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級(年収1,000万円)での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は...
業務内容 「神奈川 化合物半導体の製品開発・プロセスエンジニア(GaN)」のポジションの求人です 化合物パワーデバイス(主にGaN)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発をお任せいたします。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・化合物半導体の開発経験 ・半導体のプロセス開発、プロセスインテグレーション経験 ・ディスクリート半導体の開発経験
勤務地 神奈川県 秦野市曽屋400 秦野製作所
年収 年収 500 ~ 900 万円 ■賞与:年2回(7月、12月)、年度毎の労使決定額に基づき支給 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「【神奈川/秦野】MEMSデバイスの設計開発(研究開発統括部)」のポジションの求人です ■担当する業務:MEMSデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。 研究開発部門にて、MEMSデバイスの設計・開発業務を担当していただきます。各種...
求める経験 ■必須要件: ・MEMSデバイス、または、半導体デバイスに関わる設計開発業務のご経験
勤務地 北海道 千歳市泉沢1007-39
年収 年収 510 ~ 1000 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「【千歳:プライム】半導体デバイス・プロセス設計 ※1回面接※」のポジションの求人です 【本ポジションについて】 同社の半導体事業部 プロセス技術部プロセス技術課に所属頂き、半導体デバイス設計・プロセス設計をご担当頂きます。 【千...
求める経験 【必須要件】 ■半導体デバイスの設計・開発 【歓迎要件】 ▼TCAD(プロセスシミュレーター)の経験
勤務地 愛知県 広瀬製作所(豊田市)
年収 年収 550 ~ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「パワー半導体のデバイス、プロセス研究開発《入社実績多数》」のポジションの求人です 電動車に不可欠な次世代パワー半導体(SiCーMOS)のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価 【カジュアル面談】 「一度カジュアルに...
求める経験 【必須要件】 ■パワー半導体に関する知識を有すること  ■半導体デバイスの設計、評価、又はプロセスインテグレーション、またはウェハ加工プロセス技術の開発経験(2年以上) 【歓迎要件】 ・デバイス設計、又はプロセスインテグレーシ...
勤務地 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 【期待する役割】主に、化合物半導体による高速受光器の設計評価解析と、シリコンフォトニクスを用いた光集積素子の設計と評価解析をご担当いただきます。加えて、海外のジャーナル論文などから知見を獲得し、業務に反映していただく活動もございます。 【...
求める経験 【必須要件】 ■以下のいずれかの知見をお持ちの方 ・半導体物性の知見/波動光学の知見/半導体デバイス設計・評価経験/光導波路の設計・評価経験/光導波路や半導体デバイスのシミュレーション経験/高周波回路の設計・測定経験 【歓迎要件】...
勤務地 宮崎県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します
年収 年収 550 ~ 900 万円 ■賞与:年2回(6月・12月) ■経験/年齢/能力等を考慮の上、当社規定により決定します。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 【業務内容】 ■SiCデバイスのライン設計・開発、量産移管 SiCデバイスの開発・量産移管を担当していただきます。 具体的にはデバイス設計、プロセス評価、特性評価、信頼性評価を担当いただきます。 技術背景に合わせてプロセス構築の部分...
求める経験 【必須要件】  ※下記いずれかのご経験 ■基礎的な電磁気学の知識 ■半導体物性の知識 ■電子部品や半導体製品の開発経験 【歓迎要件】 ■プロセスインテグレーションの経験 ■マスク設計経験 ■デバイスSimulation知...
勤務地 神奈川県藤沢市川名1-12-2
年収 400万円 ~ 800万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当
業務内容 <デバイス開発技術者:MEMS[本11正]> 【職務内容】 デバイス開発業務を担当していただきます。 【具体的には】 ①MEMS(半導体)プロセス機器の選定・導入、立ち上げ、プロセス開発 ②MEMSデバイス(チップ及びパッケージング)の...
求める経験 ■資格・経験(MUST) 下記経験のある方 ・クリーンルーム内での以下作業経験がある方。 -MEMSや半導体のプロセスに関する知識 -高圧ガスや化学製品やクリーン環境に関する知識 下記のいずれかの経験ある方。 ・MEMSデバイス設...