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勤務地 神奈川県厚木市
業務内容 【国内トップクラスの売上を誇る半導体事業/世界シェア50%超・絶好調のイメージセンサー/”クリエイティビティとテクノロジーの力で、世界を感動で満たす。”】■具体的な業務内容:半導体シュミレーションエンジニアとして、下記の中からいくつかご...

先端技術開発/非上場 
(600万円~)

世界最高レベルの技術を有する企業とのジョイント開発プロジェクトにて先端メモリ開発に携わっていただきます。 次世代露光技術開発やリソグラフィ技術開発…

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勤務地 京都府京都市右京区
業務内容 【東証一部上場/成長し続ける優良企業/国内唯一の独立系大手半導体専業メーカーでのキャリアパスが描ける】■業務内容:・SiCパワーデバイス開発、設計・SiCパワーデバイスプロセス開発■業務の特徴:SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導...
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勤務地 千葉県君津市
業務内容 精密プレス・電子部品の製造を担う工場の製品を、専門知識を生かして営業活動していただきます。お客様からのニーズを汲んで更に提案までし、フルオーダーの一品を作りあげる提案型営業です。営業経験がなくても金属加工、半導体業界の知識があれば活かせ...
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勤務地 大阪府大阪市北区中之島2丁目3-33
業務内容 ■担当予定の業務内容:・CMOSイメージセンサー画素開発エンジニア新規イメージセンサーやセンシングデバイスを実現するため、要となる画素構造の企画構想、素子レイアウト設計、プロセス/デバイス/光学の各Simulationによる特性予測やデ...
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勤務地 東京都港区港南1-7-1 (ソニー株式会社 本社)
業務内容 ■担当予定の業務内容・CMOSイメージセンサー画素開発エンジニア新規イメージセンサーやセンシングデバイスを実現するため、要となる画素構造の企画構想、素子レイアウト設計、プロセス/デバイス/光学の各Simulationによる特性予測やデバ...
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勤務地 京都府京都市下京区,鹿児島県,岡山県井原市
業務内容 ディスクリート半導体等 のウェハを日本国内で生産しているファンドリー専業企業である当社にて、下記業務を行っていただきます。■業務内容:・MOSFET、IGBT、TVSなどのデバイス開発・LSIの設計、検証に使用するシミュレーション環境の...
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勤務地 群馬県高崎市
業務内容 【『半導体デバイスもしくはプロセス設計・開発』の経験をお持ちの方へ。『次世代の車載/産業用パワーデバイス事業の拡大に伴う採用』で、将来の管理職候補として『裁量』『良好な就業環境』のある同社で活躍いただける方を募集いたします】~東証一部上...
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勤務地 東京都小平市
業務内容 車載および産業用パワーデバイスのアプリケーションエンジニアリング 対象製品:パワーMOSFET、IGBT/FRD 主担当業務:パワーデバイス特性評価(他社品のベンチマーキング評価含む) ・モータ制御、電源回路等のパワーエレクトロニク...
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勤務地 東京都小平市
業務内容 【職務内容】 車載および産業用パワーデバイスの製品設計、製品開発 ・対象製品:パワーデバイス (MOSFET、IGBT/FRD) ・主担当業務:パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術、試作評価、テスト開発 【...
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勤務地 千葉県我孫子市日の出1131 我孫子事業所
業務内容 次世代光トランシーバの小型高集積化の実現に向けて、最先端のシリコンフォトニクス導波路を用いた光モジュールの短期間での製品化に向けたプロジェクトマネジメントを行う。『設計技術・評価技術の研究開発と技術課題の解決』、『レーザ実装やパッケージ...

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ポジション名/募集企業 先端技術開発/非上場
年収 600万円~
職務概要 世界最高レベルの技術を有する企業とのジョイント開発プロジェクトにて先端メモリ開発に携わっていただきます。 次世代露光技術開発やリソグラフィ技術開発…
このような方におすすめします この企業は特定の分野・業界に特化した強みをもっており、このような企業のポジションも転職ナビには多く寄せられてきます。 独自の強みを持つ活気あふれる企業の中で、やりがいを求めたいという方にはピッタリです。 半導体分野で先端技術開発を熱意を持って進めていくことができる方に幅広くチャンスが…

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