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関西 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 兵庫県尼崎市杭瀬南新町3丁目4番1号 |
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| 年収 | 540万円～700万円 《年収イメージ》。30歳：平均530万円、35歳：平均650万円 ※令和2年度の総支給額（残業、各種手当含む）の平均。あくまで目安金額です |
| 業務内容 | ※研究開発本部傘下の２センター（技術開発センター、界面密着技術応用センター）の募集となり、経験・適性を踏まえ、配属を決定します。 当社の主力製品であるプリント回路基板用薬品・表面処理薬品等の金属表面処理技術に関わる製品の研究開発業務に携わ... |
| 求める経験 | 【必須】以下いずれかの経験を有する方 ・化学系の研究開発経験（3年程度） ・顧客のテクニカルサポート経験（3年程度） 【歓迎】 ・めっきや基板用処理薬品に関する知見 ・プリント基板等電子基板の製造業界の経験 ・チームの一員として... |
| 勤務地 | 兵庫県尼崎市杭瀬南新町3丁目4番1号 |
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| 年収 | 450万円～700万円 《年収イメージ》。30歳：平均530万円、35歳：平均650万円 ※令和2年度の総支給額（残業、各種手当含む）の平均。あくまで目安金額です |
| 業務内容 | 当社のコア技術である金属表面処理技術、エッチング技術を用いた新規事業開発に向け、主に社内での実験業務に取り組んでいただきます。 ・新規事業の事業化のプロセスにおける各種課題解決に向けた実験業務 ・与えられた課題・テーマに沿った実... |
| 求める経験 | 【必須】 ・化学系の研究開発経験（3年程度） ・製品開発を中心とした幅広い業務経験のある方 （例：製品開発から顧客対応） 【歓迎】 ・フィルム等樹脂材料の知見 ・電気化学、有機化学、無機化学の知識・知見 |
| 勤務地 | 東京都府中市住吉町2丁目30-7（府中テクノロジーセンター） |
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| 年収 | 600万円～1500万円 ※ご経験、能力に応じて個別に提示を致します。 |
| 業務内容 | 【職務内容】 ・製品のセキュリティ強化 当部門および関連会社で設計・製造している半導体製造装置および周辺システムについて、セキュリティリスクの評価を行い、リスクの軽減策を検討し、対策の実行をリードして頂きます。それぞれの開発部門のエンジ... |
| 求める経験 | 【必須】 ■ソフトウェア開発業務あるいはITシステムの運用経験5年以上 ■情報セキュリティまたは製品セキュリティに関する知識・経験 ■TOEIC600程度の英語力 【歓迎】 ■情報セキュリティ業務の経験 ■製品セキュリティ業... |
| 勤務地 | 東京都府中市住吉町2丁目30-7（府中テクノロジーセンター） |
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| 年収 | 500万円～1100万円 ※ご経験、能力に応じて個別に提示を致します。 |
| 業務内容 | 【職務内容】 ・製品のセキュリティ強化 当部門および関連会社で設計・製造している半導体製造装置および周辺システムについて、セキュリティリスクの評価を行い、リスクの軽減策を検討し、対策の実行をリードして頂きます。それぞれの開発部門のエンジ... |
| 求める経験 | 【必須】 ■ソフトウェア開発業務の経験３年以上 ※セキュリティに関する経験は不問です。セキュリティ技術を身に付ける意欲を持つ方を歓迎します。 ■TOEIC500程度の英語力 【歓迎】 ■情報セキュリティ業務の経験 ■製品セキ... |
| 勤務地 | 東京都府中市住吉町２丁目３０－７ 東京エレクトロン 株式会社 府中テクノロジーセンター |
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| 年収 | 600万円～1200万円 経験・スキルを考慮し、決定いたします。 |
| 業務内容 | 【職務内容】TEL従業員が安全に働ける職場を構築するために安全規程、安全教育の整備、また事故発生時においては事故分析、根本要因の特定と再発防止、ならびに事故未然防止に向けた活動推進を行います。 各社安全担当との定例会議により、現場作業にお... |
| 求める経験 | 【必須】 ■安全業務、安全審査業務、設計業務などで5年以上 ※経験年数はあくまでも目安です。 ■海外現地法人とのやり取りがメール等で可能なレベル 【歓迎】 ■半導体製造装置メーカー、大手機械メーカー等、半導体業界に関連する企業... |
| 勤務地 | 東京都府中市住吉町２丁目３０－７（府中事業所） |
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| 年収 | 600万円～1500万円 ※ご経験、能力に応じて個別に提示を致します。 |
| 業務内容 | 【職務内容】 ・対象デバイスのデバイス構造、プロセスフロー、問題点などの技術動向を深く理解した上での顧客へのソリューション提案 ・ターゲット製品を開発するための、コスト、価格、付加価値を考慮した差別化戦略の提案 【求人の魅力】 ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体業界の経験5年以上 ・英語力（実際に使う場面：会議、メール、資料） 【歓迎】 ・半導体デバイス、装置メーカーの経験10年以上 |
| 勤務地 | 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 |
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| 年収 | 600万円～900万円 【年収例】670万円/33歳(既婚、子一人)34万/月+賞与(業績により) |
| 業務内容 | 【担当業務/役割】 ■フレキシブル基板や薄膜デバイスなどを想定した微細配線技術の新規プロセス開発を担当頂きます。 ■具体的にはフォトリソグラフィ技術、めっき技術、エッチング技術などの新規技術導入、技術確立と、それらの量産を想定したスケー... |
| 求める経験 | 【必須】※以下いずれかのご経験を有する方 ■フォトリソグラフィに関わる技術開発、製品開発の経験 ■めっき技術、エッチング技術に関わる材料、およびプロセスの技術開発経験 【歓迎（WANT）】 ■露光、レジスト、めっき、エッチング、... |
| 勤務地 | 大阪府大阪市住之江区平林北一丁目２－１５０ |
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| 年収 | 660万円～990万円 ●主事クラス（30～40歳）：720万程度 ●参事クラス（40～45歳）：950万程度 |
| 業務内容 | Metal及び圧電材料の膜厚調整工程の条件設定及びControl plan明確化 最適プロセスフローの確立（計測手法の確立も含む） 装置メンテナンス手法及びメンテナンスサイクルの明確化 当該工程の前後プロセスを含めたインテグレーション... |
| 求める経験 | 【必須】 ・デバイス設計またはプロセス技術者として新製品開発または量産に従事した経験を有する方 キーワード：フォトリソ、レジスト、成膜、エッチング、スパッタ、蒸着、めっき、パッケージなど ◎メモリ（フラッシュ・DRAM・SRAM... |
| 勤務地 | 京都府京都市右京区西院溝崎町21 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ■昇給：毎年4月に改定、賞与：年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
| 業務内容 | ■パワーデバイスの『第3の矢』、GaNパワーデバイスの製造技術に関する業務をご担当いただきます。 ・世界でロームでしか作れない高ゲート耐圧構造のGaNデバイス事業を更に発展させるために、製造プロセスの安定化や品質改善、生産性向上、歩留り改... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体プロセス または デバイスの設計、開発、製造、工程改善、品質向上、 歩留り改善、ライン立ち上げのいずれかに関わる業務経験(3年以上) 【歓迎】 ・化合物半導体に関する知識、開発、研究経験 ・半導体製造装置に関す... |
| 勤務地 | 大阪府大阪市住之江区平林北一丁目２－１５０ |
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| 年収 | 660万円～990万円 ●主事クラス（30～40歳）：720万程度 ●参事クラス（40～45歳）：950万程度 |
| 業務内容 | 以下の業務をご担当いただきます。 ・SAWドライエッチング工程のプロセス条件、設備改善によるプロセス安定化、品質確保 ・プロセス／設備両面からのアプローチによる設備間差の縮小化と安定化 ・FDC、設備ログなど設備データを用いたプロセス... |
| 求める経験 | 【必須】 半導体や液晶など近しいデバイスのプロセス技術、特にドライエッチング若しくはトリミング工程の業務経験 ◎メモリ（フラッシュ・DRAM・SRAM）、ロジックIC、太陽電池、液晶パネルなど、経験分野は不問 ◎製品未経験でも、上記の... |