SiCウェハ加工・デバイスプロセス技術開発及び生産システム開発 デンソー
| 職種 | SiCウェハ加工・デバイスプロセス技術開発及び生産システム開発 |
|---|---|
| 社名 | デンソー |
| 業務内容 |
革新工法開発のリーディングと将来的には、革新的生産システム構築をご担当いただきます。 ・ SiCインゴットのスライス、研削研磨加工技術の開発 ・ 上記開発技術の量産適用技術・工程開発 ・ ウェハ加工工程全体の量産ライン設計・開発 ・ 実証ラインの立上げ ・ 大口径化に向けた量産工法の確立 ・ SiC材料ロス最小化に向けた次世代生産システム開発 ・ 革新的生産システム設計・開発 |
| 求める経験 | 【必須要件】以下、全てのご経験をお持ちの方 ・パワー半導体材料の加工・デバイスプロセスに関する研究または生産技術開発の実務経験 5年以上 ・半導体設備導入・立上経験 【歓迎要件】 ・生産技術開発プロジェクトの推進・マネジメント経験 ・パワー半導体材料・半導体デバイスの分析・評価技術に関する知見を広く有すること |
| 勤務地 |
愛知県/刈谷市/昭和町1-1
|
| 年収 |
430-1200万円 ※上記年収は残業代及び諸手当込み ※経験を考慮して決定 ※採用時の職種や職能資格により、試用期間終了後に本人が希望し会社が認めた場合に「裁量労働制(専門業務型、企画業務型)」を適用する可能あり |
| 勤務時間 | 08:40 - 17:40（コアタイム：10:10 - 15:25） |
| 休日・休暇 | 年間121日／（内訳）完全週休2日制（土日）、GW、夏季・年末年始休暇(各10日程度の連続休暇)、有給休暇(最高20日/1年)、特別休暇 |
| 福利厚生 |
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 家族手当、役職手当、資格手当、時間外勤務手当、通勤交通費など 選択型福利厚生制度（カフェテリアプラン）、個別制度/住宅資金貸付、財経貯蓄、持ち株制度など 施設/独身寮、社宅、保養所、研修センター、各種文化・体育施設など |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 【筆記試験】有 【面接回数】2?3回 【選考フロー】 書類選考⇒筆記試験（学科/適性検査）⇒面接複数回実施⇒内定 |
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