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powered by   2024/03/29 更新
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デバイス設計 に該当する転職・求人一覧

勤務地 東京都 板橋区蓮沼町75-1
年収 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「【東京/プライム上場】光学素子・要素技術開発」のポジションの求人です 薄膜および表面微細構造を用いた光学素子・要素技術開発をご担当いただきます。 【具体的な業務内容】 (1)技術トレンド調査 (2)試作品の設計・開発 (3)...
求める経験 【必須要件】 ■薄膜(PVD)に関する知識(真空成膜装置の操作経験および基礎知識、薄膜の評価・分析技術) 【歓迎要件】 ■薄膜技術の開発経験(5年以上) ■表面微細加工(フォトリソグラフィ技術、ナノインプリント技術、メタサーフェ...
勤務地 神奈川県 藤沢市本藤沢4-2-1
年収 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「【神奈川/藤沢】新機能開発及び次世代向け基礎技術開発」のポジションの求人です ■CMP装置に係わる、新機能開発及び次世代向け基礎技術の開発業務(計画立案、試験・分析) ■海外拠点との連携によるお客様との仕様検討・技術折衝。本業務を通し...
求める経験 【必須要件】 ■プロセス開発の試験業務(計画、試験・分析)の経験 ■チームでの連携業務を円滑に進められるコミニュケーションスキルを有する方 【歓迎要件】 ▼半導体装置のメーカー(特にCMP装置)、またはデバイスメーカにおいて、プ...

<兵庫>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

東芝デバイス&ストレージ株式会社 閲覧済み
勤務地 兵庫県 揖保郡太子町鵤300
年収 年収 450 ~ 1000 万円 賞与:年2回(7月・12月) ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級(年収1,000万円)での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は...
業務内容 「<兵庫>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、下記業務をお任せいたします。...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関...

<石川>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

東芝デバイス&ストレージ株式会社 閲覧済み
勤務地 石川県 能美市岩内町1-1
年収 年収 450 ~ 1000 万円 賞与:年2回(7月・12月) ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級(年収1,000万円)での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は...
業務内容 「<石川>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、下記業務をお任せいたします。...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関...

<福岡>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

東芝デバイス&ストレージ株式会社 閲覧済み
勤務地 福岡県 豊前市沓川760番地
年収 年収 450 ~ 1000 万円 賞与:年2回(7月・12月) ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級(年収1,000万円)での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は...
業務内容 「<福岡>ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、下記業務をお任せいたします。...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関...

<兵庫>化合物半導体の製品開発・プロセスエンジニア(SiC)

東芝デバイス&ストレージ株式会社 閲覧済み
勤務地 兵庫県 揖保郡太子町鵤300
年収 年収 450 ~ 1000 万円 賞与:年2回(7月・12月) ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級(年収1,000万円)での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は...
業務内容 「<兵庫>化合物半導体の製品開発・プロセスエンジニア(SiC)」のポジションの求人です パワーデバイス(主にSiC)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術・装置開発をお任せいたします。 【魅力】 ・同社は半導体とHDDの企画...
求める経験 【必須要件】 ■パワーデバイスのチップ設計・開発のご経験 【歓迎要件】 ▼プロセス開発経験(デバイスメーカーでプロセスインテグレーション、あるいはユニットプロセス開発に従事された経験)

神奈川 化合物半導体の製品開発・プロセスエンジニア(GaN)

東芝デバイス&ストレージ株式会社 閲覧済み
勤務地 神奈川県 川崎市幸区堀河町580-1
年収 年収 450 ~ 1000 万円 賞与:年2回(7月・12月) ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級(年収1,000万円)での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は...
業務内容 「神奈川 化合物半導体の製品開発・プロセスエンジニア(GaN)」のポジションの求人です 化合物パワーデバイス(主にGaN)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発をお任せいたします。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以...
求める経験 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・化合物半導体の開発経験 ・半導体のプロセス開発、プロセスインテグレーション経験 ・ディスクリート半導体の開発経験
勤務地 北海道 千歳市泉沢1007-39
年収 年収 510 ~ 1000 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「【千歳:プライム】半導体デバイス・プロセス設計 ※1回面接※」のポジションの求人です 【本ポジションについて】 同社の半導体事業部 プロセス技術部プロセス技術課に所属頂き、半導体デバイス設計・プロセス設計をご担当頂きます。 【千...
求める経験 【必須要件】 ■半導体デバイスの設計・開発 【歓迎要件】 ▼TCAD(プロセスシミュレーター)の経験
勤務地 北海道 千歳市泉沢1007-39
年収 年収 510 ~ 800 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「【千歳:プライム】半導体:顧客製品の製造サポート※1回面接※」のポジションの求人です 【本ポジションについて】 同社の半導体事業部 SiF推進部に所属頂き、顧客製品の製造サポートをご担当頂きます。 【千歳事業所ご紹介】 ■当事...
求める経験 【必須要件】 ■TOEIC 600点以上の英語力 ■半導体製造プロセス設計または製造エンジニア ■半導体デバイス設計
勤務地 神奈川県 秦野市曽屋400 秦野製作所
年収 年収 500 ~ 900 万円 ■賞与:年2回(7月、12月)、年度毎の労使決定額に基づき支給 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「【神奈川/秦野】MEMSデバイスの設計開発(研究開発統括部)」のポジションの求人です ■担当する業務:MEMSデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。 研究開発部門にて、MEMSデバイスの設計・開発業務を担当していただきます。各種...
求める経験 ■必須要件: ・MEMSデバイス、または、半導体デバイスに関わる設計開発業務のご経験

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