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デバイス設計 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 |
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| 年収 | 500万円～ ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
| 業務内容 | NAND型フラッシュメモリの主にTEGレイアウト設計業務に携わっていただきます。 具体的には、米国又は日本のデバイス設計チーム、米国のレイアウトチームと情報の交換、進捗の確認などのコミュニケーションを取りながら、開発計画に沿って、各種デバ... |
| 求める経験 | ■半導体のデバイス測定TEGレイアウト設計経験を有する方 ■アナログ回路のレイアウト設計知識を有する方 ■基礎的な英語力 |
| 勤務地 | 茨城県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 700 ～ 900 万円 ※上記年収は想定年収となります。ご経験により年収が上下する場合がございます。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【ミッション】 同社で電装品（コントローラ、通信端末等）のハード開発に伴う電気電子デバイスの仕様策定をお任せします。先輩社員や上長の指導を受けながら、建設機械の搭載要件を勉強していただき、将来的に主体的に開発計画を纏めて頂きます。 ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■電気電子機器に関する基礎知識 【歓迎要件】 ■車載電装品の開発設計経験 ■電気電子機器の開発設計経験 ■無線機器の開発経験 ■無線機器に関する規制規格に関する知識 【キーワード】 車載、電子機器、自動... |
| 勤務地 | 茨城県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 700 ～ 900 万円 ※上記年収は想定年収となります。ご経験により年収が上下する場合がございます。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【ミッション】 ・サプライヤや内製部署と協力して建設機械に搭載する電気電子デバイス開発 ・電気電子デバイスの仕様策定、サプライヤとの折衝、スケジュールの取り纏め ・世界各国の規制規格への適合、認証の取得 【募集背景】 世界的建... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■電気電子機器に関する基礎的な知識 【歓迎要件】 ■車載電装品の開発設計経験 ■電気電子機器の開発設計経験 ■無線機器の開発経験 ■無線機器に関する規制規格に関する知識 ※関連キーワード：車載、電子機器、... |
| 勤務地 | 栃木県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（6月、12月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【募集の背景】 カーボンニュートラルに向けた、電動化の加速とBEV新価値の提供、交通事故ゼロ社会実現に向けて、新たな自動運転・運転支援機能の開発と、新技術の適用機種数拡大・全世界展開のためバリエーション増加に対応するための開発業務の効率化... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※電気・電子・情報分野に関する知識をお持ちの方で、以下のいずれかのご経験をお持ちの方 ■組込みシステムの開発経験（ハード、ソフト不問） ■半導体・マイコンに関する知識・開発経験 【歓迎要件】 ■半導体設計ツール使... |
| 勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
|---|---|
| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（6月、12月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【募集の背景】 カーボンニュートラルに向けた、電動化の加速とBEV新価値の提供、交通事故ゼロ社会実現に向けて、新たな自動運転・運転支援機能の開発と、新技術の適用機種数拡大・全世界展開のためバリエーション増加に対応するための開発業務の効率化... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※電気・電子・情報分野に関する知識をお持ちの方で、以下のいずれかのご経験をお持ちの方 ■組込みシステムの開発経験（ハード、ソフト不問） ■半導体・マイコンに関する知識・開発経験 【歓迎要件】 ■半導体設計ツール使... |
| 勤務地 | 栃木県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 2026年に再参戦を発表しておりますF1レースや、国内レース（SUPER GT、SUPER FORMULA等）用パワーユニットの研究開発業務をお任せします。 【募集の背景】 Hondaは創業以来、レースに参戦し、勝つことで成長してき... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※モータスポーツへの熱意をお持ちで以下の知見または経験をお持ちの方 ■機械工学・電気工学を専攻されていた方 ■HEVシステム、エンジンやバッテリー・電装部品、モータに関わる知識や実務経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ... |
| 勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 650 万円 ※上記年収は残業30時間分を含んだ想定年収となります。ご経験により年収が上下する場合がございます。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 同社にて化合物半導体を含むパワーデバイスの開発業務をご担当いただきます。同社はファブレスメーカーのため、ウエハファウンドリなどとの開発協業となります。 【職務内容】 化合物半導体を含むパワーデバイス開発をご担当いただきます。 ■S... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体デバイスに以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・企画職 ・開発設計職 ・評価職 【歓迎要件】 ■パワーデバイスに関わるご経験をお持ちの方 |
| 勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 950 万円 ■賞与：年2回（6月・12月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ■仕事内容 パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。 担当製品は面接を通して決定いたします。 ※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニア... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・MOSFETの構造・動作特性の理解 ・半導体プロセスの理解 ・基礎的な電気回路の理解 【歓迎要件】 ・使用回路（モーター・DCDCなど）の理解と実回路における MOSFETまたはダイオードの評価技術 ・回... |
| 勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 850 万円 ■賞与：年2回（6月・12月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ■仕事内容 ・SｉCパワーデバイス開発・設計 ・SｉCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体業界でSｉCの研究開発経験 ・トランジスタ/ダイオード/LSI等のデバイス開発経験 ・半導体プロセス開発経験、プロセスインテグレーション経験 |
| 勤務地 | 宮崎県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 550 ～ 900 万円 ■賞与：年2回（6月・12月） ■経験/年齢/能力等を考慮の上、当社規定により決定します。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 ■SiCデバイスのライン設計・開発、量産移管 SiCデバイスの開発・量産移管を担当していただきます。 具体的にはデバイス設計、プロセス評価、特性評価、信頼性評価を担当いただきます。 技術背景に合わせてプロセス構築の部分... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験 ■基礎的な電磁気学の知識 ■半導体物性の知識 ■電子部品や半導体製品の開発経験 【歓迎要件】 ■プロセスインテグレーションの経験 ■マスク設計経験 ■デバイスSimulation知... |