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デバイス設計 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 兵庫県 揖保郡太子町鵤300 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（7月・12月） ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級（年収1,000万円）での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は... |
| 業務内容 | 「＜兵庫＞化合物半導体の製品開発・プロセスエンジニア（SiC）」のポジションの求人です パワーデバイス（主にSiC）の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術・装置開発をお任せいたします。 【魅力】 ・同社は半導体とＨＤＤの企画... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■パワーデバイスのチップ設計・開発のご経験 【歓迎要件】 ▼プロセス開発経験（デバイスメーカーでプロセスインテグレーション、あるいはユニットプロセス開発に従事された経験） |
| 勤務地 | 神奈川県 川崎市幸区堀河町580-1 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（7月・12月） ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級（年収1,000万円）での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は... |
| 業務内容 | 「神奈川 化合物半導体の製品開発・プロセスエンジニア（GaN）」のポジションの求人です 化合物パワーデバイス（主にGaN）の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発をお任せいたします。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・化合物半導体の開発経験 ・半導体のプロセス開発、プロセスインテグレーション経験 ・ディスクリート半導体の開発経験 |
| 勤務地 | 兵庫県 揖保郡太子町鵤300 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（7月・12月） ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級（年収1,000万円）での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は... |
| 業務内容 | 「＜兵庫＞ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、下記業務をお任せいたします。... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関... |
| 勤務地 | 石川県 能美市岩内町1-1 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（7月・12月） ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級（年収1,000万円）での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は... |
| 業務内容 | 「＜石川＞ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、下記業務をお任せいたします。... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関... |
| 勤務地 | 福岡県 豊前市沓川760番地 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 1000 万円 賞与：年2回（7月・12月） ※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。 ※エキスパート級（年収1,000万円）での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は... |
| 業務内容 | 「＜福岡＞ディスクリート半導体の製品開発エンジニア」のポジションの求人です ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー）に関する、下記業務をお任せいたします。... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれかのご経験※ ・デバイス設計 ・プロセス技術開発 ・パッケージ技術開発 ・材料開発 ・製品評価テスト 【歓迎要件】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関... |
| 勤務地 | 山形県 酒田事業所（山形県：酒田市） |
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| 年収 | 年収 500 ～ 1000 万円 ※前職での給与、キャリアを考慮のうえ、面談後に決定いたします。 上記に残業代は含まれておりません 賞与:年2回（6月・12月）、昇給:年1回（4月） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「半導体デバイス開発」のポジションの求人です ■半導体デバイス開発（トランジスタ） 試作品の流動指示・管理 試作品の評価・解析 プロセスフロー制定、デザインルール制定 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体デバイス技術 ■ウエハ前工程の製造工程理解 |
| 勤務地 | 茨城県 ひたちなか市新光町552番53那珂地区マリンサイト（2021年3月竣工） |
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| 年収 | 年収 450 ～ 850 万円 ※経験・能力考慮し決定します。 ご経験次第では管理職相当採用の可能性もあります。 その場合は予定年収以上でのオファーの可能性がございます。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「機械・生産設計（電子顕微鏡）/茨城勤務」のポジションの求人です CTシステム製品本部 解析システム第二設計部にて、電子顕微鏡（FIB、MR、AFM、CSI等）の機械設計および生産設計業務をお任せいたします。 ・顧客要望に合わせた既存製... |
| 求める経験 | ※応募時には顔写真付きの履歴書が必須となります※ 【必須条件】 ・CAD（2D、3D問わず）での設計経験 ※真空装置の経験者は歓迎します！ ※電子顕微鏡に興味があったり、学生時代に勉強をされていた方は歓迎します。 |
| 勤務地 | 静岡県 駿東郡小山町富士小山サイト |
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| 年収 | 年収 450 ～ 850 万円 ※経験・能力考慮し決定します。 ご経験次第では管理職相当採用の可能性もあります。 その場合は予定年収以上でのオファーの可能性がございます。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「機械・生産設計（電子顕微鏡）/静岡勤務」のポジションの求人です 職務内容 CTシステム製品本部 解析システム第二設計部にて、電子顕微鏡（FIB、MR、AFM、CSI等）の機械設計および生産設計業務をお任せいたします。 ・顧客要望に合... |
| 求める経験 | 【必須条件】 ・CAD（2D、3D問わず）での設計経験 ・原価管理経験 ・開発現場での品質・安全・環境等に関するご経験 |
| 勤務地 | 静岡県 駿東郡小山町富士小山サイト |
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| 年収 | 年収 450 ～ 850 万円 ※経験・能力考慮し決定します。 ご経験次第では管理職相当採用の可能性もあります。 その場合は予定年収以上でのオファーの可能性がございます。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「電気設計（電子顕微鏡）/静岡勤務」のポジションの求人です 【職務内容】 CTシステム製品本部 解析システム第二設計部にて、電子顕微鏡（FIB、MR、AFM、CSI等）の電気設計をお任せいたします。 ・新規装置の開発業務 ・顧客要望... |
| 求める経験 | 【必須条件】 ・回路設計経験（高電圧回路、アナログ回路、CPU周辺等いずれかのご経験） ・電気CAD使用経験 ・FPGA設計ツール使用経験 |
| 勤務地 | 大阪府 茨木市下穂積1丁目1番2号 |
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| 年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「製品開発（当社独自素材を用いた心電計等の電子医療機器/大阪）」のポジションの求人です 【担当業務】 ■担当製品：当社独自素材を用いた心電計等の電子医療機器 ■職務内容 ・電子医療機器の開発プロジェクトの企画、実行。 ・多機能チー... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■電子医療機器/ヘルスケア機器の電子デバイス設計経験 【歓迎要件】 ◆電子医療機器/ヘルスケア機器の電子デバイス設計経験 ◆大学、企業との共同研究・開発の経験 ◆日常会話レベル以上の英語力 |