【朝霞】MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発 新電元工業株式会社
| 職種 | 【朝霞】MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発 |
|---|---|
| 社名 | 新電元工業株式会社 |
| 業務内容 |
■MOSFET/ウエーハプロセス及びデバイスの設計・開発をお任せします Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務 （プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価） |
| 求める経験 | 【必須】 ・Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務の５年以上のご経験 ・担当テーマに対し情熱を持って取り組むことができる人 【歓迎】 ・パワー半導体に関する知識 ・デバイスシミュレータのスキル ・プロセスシミュレータのスキル ・TEG（マスク）設計CADのスキル ・静特性測定、動特性測定のスキル ・半導体デバイスに関する特許取得経験 |
| 勤務地 |
埼玉県
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| 年収 |
500万円～1000万円 職務内容・経験・現在の給与を十分に考慮した上で決定します。昇給年1回。賞与年2回。 |
| 勤務時間 | 08:20～16:55 |
| 休日・休暇 | 年末年始 夏期休暇 有給休暇 完全週休2日制 年次有給休暇（半日利用可能)、育児休暇、妊娠通院休暇等 |
| 福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当 借上げ社宅 家族手当 残業手当 社内財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、介護休業制度、保養所、診療所など |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 面接2回、WEB面接完結（２回） |
この求人情報は、「株式会社メイテックネクスト」が取り扱っています
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