SiCパワーデバイス開発エンジニア｜【群馬/茨城/山梨/愛媛】 ルネサスエレクトロニクス株式会社
| 職種 | SiCパワーデバイス開発エンジニア｜【群馬/茨城/山梨/愛媛】 |
|---|---|
| 社名 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
| 業務内容 |
■職務内容 ▼SiCパワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携 |
| 求める経験 | ■人材要件 MUST ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 ３年以上 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） ・期待する行動役割など(求める人物像) パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方 WANT ・パワーデバイス（IGBT,パワーMOS(Si,SiC）開発経験 Nice to have ・TCADシミュレーションスキル ・TEGレイアウトスキル ・デバイス電気特性評価スキル ・海外との共同プロジェクト経験 ・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 必要な語学 英語 ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度) 日本語 ビジネス会話ができる |
| 勤務地 |
群馬県高崎市
|
| 年収 |
500万円 ～ 1000万円 ■通勤手当 ■住宅手当 |
| 勤務時間 | 9:00～17:45 |
| 休日・休暇 |
■完全週休2日制（土・日）、祝日夏季休暇、年末年始休暇 ■年次有給休暇 ■ |
| 福利厚生 |
■各種社会保険完備 ■財形貯蓄制度 ■企業年金制度 ■育児休暇制度 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 面接回数：Teamsによるオンライン面接またはFtoFでの面接1～2回程度。 |
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