東海 に該当する転職・求人一覧
該当件数：1,616件 6ページ目
| 勤務地 | 三重県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ◆次世代FPC （高精度回路基板） の開発、多層FPC高機能化のための要素技術開発をご担当いただきます。 【担当製品の詳細（用途・強み）】 既存製品は同社独自の微細な高精度回路基板作製技術で高い市場シェアを誇りますが、更なる次世代電... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■化学/電気/機械などの専門性を生かした回路、基板、及びその材料の製品設計/開発の経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ■英語力（日常会話レベル以上） |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上
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| 勤務地 | 三重県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【担当製品】 磁性体材料を用いた次世代半導体向け部品 【職務内容】 プロセス改善、計装技術開発 【入社後まずお任せしたい業務】 プロセス技術開発の専門家として、既存製法の最適化、新製法の導入をになって頂きます。 計装技術... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■以下いずれかのご経験をお持ちの方 ※複数ポジション募集しておりますため、ご経験を伺い最適なポジションをご提案させて頂きます。 ・パッケージ基板製造組立業界におけるプロセス立ち上げ/製造技術のご経験 ・加圧成型/切... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1250 万円 昇給年1回、賞与年2回 ＜直近の初任給実績＞ 大卒・高専卒（専攻科）／月給22万8000円 修士了／月給25万0000円 博士卒／月給28万4000円 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があ... |
| 業務内容 | 【募集背景】 世界的な脱炭素化社会へのシフトの中で、同社も他社に先駆けて35年カーボンニュートラル達成を宣言しています。 実現のカギとなる水素社会実現の為、製品性能・信頼性を差別化する機能材料・プロセス技術の進化が必須です。 ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・セラミックス材料または高分子材料の基礎知識を有し、それを活かした材料・プロセス開発、製品立上げの経験を有する事 ・電気化学または有機化学等などの一般知識を有しており、実務経験がある方 【歓迎要件】下記のいずれかの... |
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正社員
完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上英語を使う仕事フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価 ・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計 ・パワーデバイス及びプロセスシミュレーショ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体に関する知識を有すること ■半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験 （研究開発、量産経験は問いません） 【歓迎要件】 ■パワー半導体に関する知識を有すること ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 パワーデバイス材料研究、デバイス開発 ・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタキシャル成長の研究開発 ・横型GaN-HEMTのデバイス開発 ・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル） ■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること 【歓迎要件】 ■第... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 550 ～ 1250 万円 昇給年1回、賞与年2回 ＜直近の初任給実績＞ 大卒・高専卒（専攻科）／月給22万8000円 修士了／月給25万0000円 博士卒／月給28万4000円 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があ... |
| 業務内容 | 【募集背景】 電気自動車の市場拡大に伴い、パワー半導体SiCへのニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、SiCニーズ拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための生産技... |
| 求める経験 | ＜MUST要件＞ ・半導体もしくはセラミック材料、特にSiウエハもしくはSiCウエハ加工（スライス、研削、CMP、検査）に関する生産技術もしくは設備開発の経験をお持ちの方 ・半導体に関わる新製品開発プロジェクト推進のマネジメント経験 ... |
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正社員
年間休日120日以上英語を使う仕事社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 岐阜県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 480 ～ 700 万円 ※上記年収は残業手当含む：想定20時間/月（固定ではなく勤務実績に応じ支給） 【各種制度】 発明報奨金制度、永年勤続表彰制度、各種研修制度・資格取得支援制度、再雇用制度、従業員持株制度、財形貯蓄制度、社... |
| 業務内容 | 【採用背景】 半導体製造プロセスに不可欠な同社の研磨材は、研磨後の表面に不純物や傷を少しも残さないことが求められる大変精密な製品です。「研究ラボで少量」という条件で理想的な品質が出せていても、工場でのスケールアップ検討時に様々な課題が生じ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・製造移管業務（量産プロセス設計、製造条件設定）に携わった経験があること ※化学、素材、飲料、薬品等の流体・粉体を扱う業界経験者を特に歓迎 ※研究開発の立場から、量産化に携わったという方も歓迎 【歓迎要件】 ・化... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上平均残業月30時間以内中国語を使う仕事社宅・家賃補助制度
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 800 万円 ■昇給：年1回（4月） ■賞与：年2回（7月、12月）※2023年度実績5.1ヶ月 ■モデル年収：年収550万円（30歳/扶養2人/入社8年目） ／ 年収700万円（35歳/扶養家族3名/係長級） ※... |
| 業務内容 | 【採用背景】 2030年インテリアスペースクリエイターに向けて、BEV対応や自動運転に対応した先行開発製品が増加傾向であり、更なる新規製品においてもCAE解析の重要性が増しています。 また、他協力サプライヤーのCAE技術者との交流も多く... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・CAE構造解析経験 ・材料力学、有限要素法などの知見 【歓迎要件】 ・自動車分野における製品設計の経験 ・LSーDYNA使用経験 |
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正社員
完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上英語を使う仕事社宅・家賃補助制度
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| 勤務地 | 愛知県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 昇給年1回、賞与年2回 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 SoC周辺部品（メモリ、PMIC）の社内標準化活動 ・最新の技術/部品の調査、ベンダ分析 ・次世代のECUの競争力に繋がる部品企画の立案 ・ベンダ選定、部品選定 ・ECU設計支援、部品の社内認証取得 【募集背... |
| 求める経験 | 【必須要件】 いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体工学の基礎知識を有している方 ・LSI設計や製造プロセスの基礎知識/開発経験を有している方 ・メモリ（DRAM/NOR/NAND）の一般仕様（Jedec）、または、電源IC（PMI... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 静岡県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 650 ～ 850 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【募集背景】 ・新商品開発に伴う試験法導入業務、法規制改正に伴う試験手順変更業務の増加、 将来を見据えた組織力強化のため、各試験分野の知識・経験のある方を募集します。 【職務内容】 ・医薬品、医療機器の出荷試験判定、原材料の受入... |
| 求める経験 | 【必須条件】 ・製造業での品質管理業務経験 |
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正社員
完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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