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京都府 に該当する転職・求人一覧
勤務地 | 京都府/京都市南区/吉祥院西ノ庄猪之馬場町1番地 |
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年収 | 450-700万円 ※平均20時間/月残業込、諸手当別 |
業務内容 | ■同社にて下記材料・要素技術開発に従事いただきます。 【具体的には】 ・リチウムイオン電池用電極エレメントの材料・要素技術開発 ※担当する業務は同社のリチウムイオン電池事業において重要な役割を担っており、国内外の顧客からの引合いも活発と... |
求める経験 | 【必須要件】 ・何かしらの化学系専攻、もしくは化学系の業務経験者 (無機化学、電気化学等の知見優遇) 【歓迎要件】 ・電池、電池材料もしくは電池搭載製品の開発経験者 ・自動車関連メーカーでの開発経験 ・QMS、標準類、業務プロセスに則した... |
勤務地 | 京都府/長岡京市/東神足1丁目10番1号 |
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年収 | 400-800万円 ■上記年収には別途残業代が支給されます。 |
業務内容 | ■RF用積層誘電体フィルタの設計・開発を行っていただきます。 【具体的には】 ・4G/5GやWiFi・UWB向けなどや、通信モジュールなど通信市場に用いられるRFフィルタ、コンポーネントを開発 ・シミュレーション(回路・構造)を用いての基... |
求める経験 | 【必須要件】 ・RFの部品を扱った経験のある方 【歓迎要件】 ・フィルタやカプラ、バランなどの設計経験のある方 ・シミュレータを用いて商品設計をされた経験のある方(※積層誘電体フィルタに限定せず、フィルタの種類も問いません) |
勤務地 | 京都府/長岡京市/東神足1丁目10番1号 |
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年収 | 400-800万円 ■上記年収には別途残業代が支給されます。 |
業務内容 | ■スマーフォン向けの通信用IC(スイッチ、ローノイズアンプ)の設計・開発を行っていただきます。 ※サンディエゴにあるpSemiとの協業となります 【具体的には】 ・通信モジュールのチームと仕様を満足させるためのIC仕様の協議、プロセス選択... |
求める経験 | 【必須要件】以下全てお持ちの方 ・アナログ回路設計またはレイアウトの経験 ・半導体IC設計・開発の経験 ・半導体の基礎的な知識 【歓迎要件】 ・Cadenceを使って半導体IC設計を行ったことがある方 ・半導体プロセスおよびパッケージ技術... |
勤務地 | 京都府/京都市南区/吉祥院西ノ庄猪之馬場町1番地 |
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年収 | 470-750万円 |
業務内容 | ■リチウムイオン電池事業部における技術企画業務を担当いただきます。 【具体的には】 ・将来技術戦略の策定 ・製品競争力のための企画 ・競合他社との彼我比較 ・技術仕込みの仕組みの構築 等 |
求める経験 | 【必須要件】※以下のいずれかを満たす方 ・リチウムイオン電池の研究、開発、設計いずれかの経験 ・DR、MDR評価者の経験 ・リチウムイオン電池技術の知識 ・開発チームでの業務経験、課題解決推進スキル、資料作成とプレゼン能力 【歓迎要件】 ... |
勤務地 | 京都府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
業務内容 | 【仕事内容】 ■顧客の使いやすさに指向した製品設計 顧客のニーズに合わせた製品仕様の策定や設計(電気特性, 熱特性, 機械特性 他)。 営業や商品開発Gといった顧客サイドのチームと協力して製品仕様を決めていくほか、自ら提案し顧客とディ... |
求める経験 | 【必須要件】 ■下記いずれかのご経験をお持ちの方 ・パワーモジュール及びインバーターASSYの設計経験 ・パワーモジュール及びインバーターASSYに関わる生産技術・製造に関する経験 【歓迎要件】 ■英語の読み書き(メールや文献... |
勤務地 | 京都府 京都市伏見区羽束師古川町322<洛西事業所> |
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年収 | 年収 826 ~ 942 万円 ■一般職…38万円~42万円 年収862万円~942万円【基本給+基本賞与+業績賞与(2024年支給実績)+平均残業20H含む】 ■管理職…77万円~ 年収930万円(1,269万円)~()内は業績賞与の... |
業務内容 | 「開発エンジニア(プロセス)リーダー【装置開発】」のポジションの求人です 【職務】 SCREENホールディングスにて、露光装置もしくは半導体後工程装置のプロセス技術開発・装置開発に係る業務を担当して頂きます。 【仕事内容】 ・当... |
求める経験 | 【必須要件】 ■半導体メーカ、半導体材料メーカ、半導体製造装置メーカ等での材料、プロセス技術経験者 ■半導体製造プロセス全般、装置メーカーでの研究・製品開発 ■洗浄、塗布、露光、現像プロセス又はメッキ、エッチング工程 等 【歓迎条件... |
勤務地 | 京都府 |
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年収 | 450万円~1000万円 昇給:年1回 |
業務内容 | 【仕事内容】 1、イメージセンサの半導体プロセス開発(要求スペック提示と実現への技術提案を重ね、外部委託先と連携し安定した量産プロセスを構築する。) 2、イメージセンサのOCFプロセス開発(要望特性を満たすイメージセンサ光学構造を設... |
求める経験 | 【必須】 Si系半導体プロセス開発経験を有する。(3年目安) 【歓迎】 ・イメージセンサの半導体プロセス/インテグレーション開発経験 ・イメージセンサのOCFプロセス/インテグレーション開発経験 ・半導体プロセスに関して要素開発... |
勤務地 | 京都府 |
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年収 | 500万円~850万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
業務内容 | パワーダイオードやMOSFETなどのSiデバイスの拡販、企画、設計、プロセス開発をご担当いただきます。 ※担当製品は面接を通して決定いたします。【職種の変更の範囲】当社業務全般 |
求める経験 | 【必須】 ・MOSFETの構造・動作特性の理解 ・半導体プロセスの理解 ・基礎的な電気回路の理解 |
勤務地 | 京都府 |
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年収 | 500万円~1000万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値) |
業務内容 | パワーデバイスの特性を最大限に引き出すパッケージ開発業務全般を担当いただきます。(パワー半導体パッケージ開発、ダイボンディング工程、配線接合工程(ワイヤ、クリップ等)、モールド工程など各工程の接合技術や材料開発、改善業務) 入社後は、入社... |
求める経験 | ■下記いずれかの知識・経験を保有されている方。 ・半導体パッケージ構造・放熱設計 ・各種パッケージ材料開発 ・パッケージライン設計・プロセス開発 ・組立工程の知識 (ダイボンディング、ワイヤーボンディング、モールド工程、Faina... |
勤務地 | 京都府 |
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年収 | 400万円~900万円 モデル年収/参考(20残込):20代450-550万 30代550-700万 40代700万以上 |
業務内容 | ■半導体の開発・量産において、プロセス開発や工法改善などを行って頂きます。具体的には、新規開発、品質向上、生産性向上、コスト削減になります。 ■各種デバイスのインテグレーション技術(前工程・後工程) ■前工程要素技術(リソグ... |
求める経験 | 【必須】※応募時には顔写真データも必要となります ・電気/電子/化学/機械・材料などの理工系学部を卒業された方 ・電子デバイスの生産技術・プロセス技術に携わった経験をお持ちの方 |