【群馬】SiCデバイス・プロセス開発リーダー ルネサスエレクトロニクス株式会社
| 職種 | 【群馬】SiCデバイス・プロセス開発リーダー |
|---|---|
| 社名 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
| 業務内容 |
◇SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント をお任せします。 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント ・関連企業との協業および交渉 ・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など 多部門との連携、交渉 ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。 ◇当社パワー半導体事業では、急成長するxEV市場向けのIGBTとPower MOSFETに注力し、旺盛な需要に対応するために生産能力を増強しています。 これらに加えて、より高性能なSiC MOSFETを早期に市場に投入する予定です。 当社が保有する世界トップクラスのデバイス・プロセス技術エンジニアとともに、競合他社に勝る次世代SiCデバイス開発をリードできる人材を募集します。 ◇ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な... |
| 求める経験 | 【必須】 ●パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 ２年以上 ●150nm、200mmウエハプロセス開発経験 ３年以上 【歓迎】 〇SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 〇海外との共同プロジェクト経験 〇パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 |
| 勤務地 |
群馬県
|
| 年収 |
1100万円～1520万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、当社規定により優遇致します。 |
| 勤務時間 | 09:00～17:30 |
| 休日・休暇 | 完全週休2日制 慶弔休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇 出産予定・育児休職 |
| 福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当 住宅手当 残業手当 財形貯蓄制度 持株会制度 企業年金制度 など |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 面接2回、Teamsによるオンライン面接 1-2回程度 |
この求人情報は、「株式会社メイテックネクスト」が取り扱っています
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