トランジスタ に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 神奈川県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 1300 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ■業務内容 次世代パッケージにおけるHybrid Copper Bondingプロセス開発をお任せします。 ※今回の勤務地であるリーフみなとみらいはみなとみらい21地区（★）内のオフィスとなります。 この度 半導体の次世代パッケ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体装置メーカーもしくは半導体デバイスメーカでのプロセス開発経験者 【歓迎要件】 ■下記プロセスのいずれかを経験 ・Hybrid Cu Bondingプロセス ・Hybrid Cu Bondingに関わる... |
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正社員
完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプや、重要施設の監視・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサなど、化合物半導体を用いた光・電子デバイスの研究開発を行い、自社製品の高性能化と顧客訴求力向上に貢献する。... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記いずれかの業務経験をお持ちであること※ ・高周波回路設計とその特性評価 ・半導体デバイス開発 ・光学センサ開発 【歓迎要件】 ・CAD ・半導体プロセス開発 ・デバイスや電磁界などのシミュレーション ・... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1200 万円 ＜定年＞有（65 歳※65 歳以降有期契約による継続雇用有） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセスの最適化 ・デバイス測定の環境構築、測定、解析、その結果のフィードバック ・各種デバイスパラメターを取得し、設計環境部門と協力してモデル構築 ・信頼性評価のための評価プログラムの作成、測... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・MOSFET 開発について２年以上の経験を有する方。 ・パラメトリックテスター・プローバーを用いた電気特性の測定・評価ができる方 ・要素信頼性、製品信頼性評価のいずれかでの経験がある方 ・解析ソフトを使用したデータ分... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 600 ～ 1000 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ■トランジスタ特性向上のための構造およびプロセスの提案と、その実行をプロセス部門と進める。 ■実験水準提案、デバイス特性を測定解析、その結果をプロセス開発にフィードバックして改善を進める。 ■各種デバイスパラメター取得し、設計環境部門協... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■トランジスタ開発について２年以上の経験を有する方。または、大学で研究経験のある方。 【歓迎要件】 ・プロセス開発の経験 ・TEG設計の経験 ・TEG測定評価・解析の経験 ・デバイスパラパラメータ抽出の経験 ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 450 ～ 930 万円 ■月給：268,600円～ なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 同社は、三菱電機のパートナーとして研究開発の設計・解析・評価の専門会社です。今回のポジションでは、三菱電機（株） 情報技術総合研究所の業務に参画し、高周波増幅デバイス等の評価業務をお任せします。 【業務詳細】 ■トランジスタチップ及... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■高周波分野（例：エスパラメーター）を用いる評価や設計のご経験（1年以上） |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 北海道 千歳市泉沢1007-39 |
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| 年収 | 年収 500 ～ 1000 万円 ■賞与：年2回（6月、12月） ■能力や経験を考慮の上、最終的に決定します。 予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給は固定手当を含めた表記です。 なお、経験... |
| 業務内容 | 「【北海道/千歳】IGBT開発 ◆役職定年無」のポジションの求人です IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）に関して、顧客要求に対応した製品開発と次世代の製品開発を... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体物性及び電気特性の知識及び経験 |
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正社員
完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上社宅・家賃補助制度
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| 勤務地 | 兵庫県 尼崎市塚口本町8-1-1（電子通信システム製作所） |
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| 年収 | 年収 500 ～ 900 万円 ※経験・役割等による なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「【尼崎市】高周波（マイクロ波）デバイス/モジュールの機械設計」のポジションの求人です レーダ、電子戦、衛星通信システム等の防衛・宇宙・社会インフラに使用されるシステムのフロントエンドで使用される高周波（マイクロ波）デバイス/モジュールの... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■機構設計経験がある方 ■機械加工図面の製図、照査ができる方 【歓迎要件】 ・実装技術の基礎知識 ・品質、信頼性に関連する基礎知識 ・社内外の各部署と関わるプロジェクトを円滑に進めることができる調整能力・ネゴシ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。※昇給年1回（4月）、賞与年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | 当社は、世界シェアの高い製品を多数保有し、グローバルに約400社、28万人を擁するグローバルカンパニーです。 その1つの化合物GaN増幅器のさらなる高効率化・高線形化に向けた、研究開発に取り組んでいます。 ・具体的にお任せする業務 ... |
| 求める経験 | ＜必須要件＞ ・高周波回路技術開発の経験 ・デジタル歪補償技術開発の経験 ・業務での海外渡航可能な英語力（TOEIC 550点以上） ＜歓迎要件＞ ・AI技術開発の経験 ・化合物半導体デバイスの知識 ・モデリングの経験 ... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 500万円～1000万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
| 業務内容 | 仕事概要 3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。 主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行... |
| 求める経験 | 【必須】 ■数年以上の半導体デバイス/不良解析/テストいずれかの経験 ■英語での会話ができることがのぞましい ■歓迎条件： メモリプロセス/デバイス（フラッシュ、EEPROM、DRAM、SRAM）に関する深い知識と経験 C、C... |
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正社員
フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 450万円～930万円 ■昇給：年1回、賞与：年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | 【業務概要】 三菱電機(株)情報技術総合研究所の業務に参画し、高周波増幅デバイス等の評価業務を行います。 ・トランジスタチップ及び増幅器チップの測定治具へのダイボンディング（はんだ付け、接着） ・増幅デバイスの小信号測定、大信号測定及... |
| 求める経験 | ■必要条件 高周波分野（例：エスパラメーター）を用いる評価や設計のご経験（1年以上） |
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正社員
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