プロセス開発 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 愛知県、東京都、兵庫県昭和町1丁目1新橋4丁目3－1 新虎安田ビル10階新港町１１ １ジーライオンアワーズビル |
|---|---|
| 年収 | 600-1250万円 ※上記年収は残業代及び諸手当込み ※経験を考慮して決定 |
| 業務内容 | ■ADAS製品の下記開発業務のいずれかをご担当いただきます。 【具体的には】 ・機能安全開発(安全分析の実施、安全要求の詳細化、コンポーネントへの割り当て、評価計画立案と管理) ・製品セキュリティ開発(セキュリティ要件の分析と対応... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・機能安全設計またはセキュリティ設計を含む組み込み製品のシステム開発またはソフト開発（C言語）またはハード開発の３年以上の設計経験 【歓迎要件】 ・製品開発のマネジメント/リーダ経験 ・Automotive SPI... |
|
正社員
完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務
|
|
| 勤務地 | 神奈川県田谷町1 |
|---|---|
| 年収 | 600-900万円 ※上記年収は、月の平均残業時間20時間分の残業代を含んだ金額となります。 |
| 業務内容 | ■半導体プロセスエンジニアとして以下業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■半導体光デバイス（レーザ、フォトダイオード）のプロセス開発 ■光デバイスのプロセスインテグレーション ■プロセス設備導入、及び管理 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体デバイスにおけるプロセス開発経験（フォトリソグラフィ、ドライエッチング、洗浄、CVD、インテグレーション等） ■英語力（TOEIC550点程度以上） 【歓迎要件】 ■化合物半導体デバイスプロセスの知識 ■... |
|
正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事資格取得支援制度フレックス勤務
|
|
| 勤務地 | 山梨県紙漉阿原1000 |
|---|---|
| 年収 | 600-1000万円 ※上記年収は、月の平均残業時間20時間分の残業代を含んだ金額となります。 |
| 業務内容 | ■半導体ウエハプロセス開発者業務として、適正に応じて以下4つの業務いずれかをご担当いただきます。 【具体的には】 ・GaN HEMTのウエハプロセス開発 ・多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発 ・放熱・実装に関するプ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■TOEIC 550点以上、または同等の英会話能力をお持ちの方で、以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者 ・プロセス装置の選定／導入／立上げ経験者 ・ステッパー、ドライエッチャー... |
|
正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事資格取得支援制度フレックス勤務
|
|
| 勤務地 | 富山県吉田200 |
|---|---|
| 年収 | 600-900万円 【賃金内訳】基本給：30万円～57万7千円／月20日間勤務想定 |
| 業務内容 | ■同社の新めっき技術開発をご担当いただきます。 部門長と協力しながらプロセス開発を推進、他部門と協働で開発技術の事業移管を実施していただきます。 |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下全てに当てはまる方 ■めっき処理に関する実務経験 ■電析に関する実務経験 【歓迎要件】 ■英語スキル ※日常会話やビジネス文章の読み書きができる方 |
|
正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度
|
|
| 勤務地 | 大阪府下穂積1丁目1番2号 |
|---|---|
| 年収 | 600-1000万円 経験、現在の処遇等から総合的に検討します。 |
| 業務内容 | 【担当製品】 ■超微細フレキシブル回路基板 【職務内容】 ■セミアディティブプロセスをベースとした微細配線形成プロセスの要素技術開発 【入社後まずお任せしたい業務】 ■世の中にない新規フレキシブル回路基板の開発に向けて、微... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下のいずれかを満たす方 ■フォトリソグラフィ、セミアディティブプロセス、電解めっきプロセスの経験 ■フォトレジスト、感光性絶縁材料に関わる技術開発の経験 ■フレキシブル回路基板、半導体パッケージ基板の開発、製造技術開発... |
|
正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
|
|
| 勤務地 | 群馬県西横手町111 |
|---|---|
| 年収 | 600-1300万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※非管理職の場合400～800万、管理職クラスの場合800～1000万 |
| 業務内容 | ■SiCパワーデバイス・プロセス開発、マネジメント業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■構想検討～量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント ■関連企業との協業および交渉 ■デバイス構造設計やプロセスフ... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下いずれか必須 ■パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上 ■SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上 ■150nm、200mmウエハプロセス開発経験 3年以上 【歓迎要件】 ■TCA... |
|
正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事フレックス勤務
|
|
| 勤務地 | 愛媛県ひうち8-6 |
|---|---|
| 年収 | 600-1000万円 |
| 業務内容 | ■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■ウェハプロセス開発／インテグレーション 例：構想検討～量産技術確立 ■デバイス構造設計／インテグレーション ■他部門との連携 例：設計部、生産... |
| 求める経験 | 【必須要件】下記いずれも必須 ■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験（3年以上） 分野：化合物半導体（GaN、LED用途、高周波用途など）、シリコン半導体（メモリ、CMOSイメージセンサなど） ■ビジネスレベルの英語力 例... |
|
正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事フレックス勤務
|
|
| 勤務地 | 茨城県堀口730 |
|---|---|
| 年収 | 600-1000万円 |
| 業務内容 | ■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■ウェハプロセス開発／インテグレーション 例：構想検討～量産技術確立 ■デバイス構造設計／インテグレーション ■他部門との連携 例：設計部、生産... |
| 求める経験 | 【必須要件】下記いずれも必須 ■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験（3年以上） 分野：化合物半導体（GaN、LED用途、高周波用途など）、シリコン半導体（メモリ、CMOSイメージセンサなど） ■ビジネスレベルの英語力 例... |
|
正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事フレックス勤務
|
|
| 勤務地 | 東京都大森北2-13-11 |
|---|---|
| 年収 | 950-1500万円 ※上記年収には、残業代（40時間/見込み）と住宅手当が含まれています。 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | ■半導体製造装置のアプリケーション開発業務をご担当頂きます。 入社後、業務経験を積むことを目的に、他社の案件をご担当いただく可能性もあります。 将来的には、TSMC／Samsung／SK Hynix社向け装置のアプリケーションエンジニア... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体業界に関わる何らかのエンジニア経験 ■短期／長期での出張、および海外出向が可能な方 【歓迎要件】 ■プロセス開発経験 ■語学力 |
|
正社員
転勤無し年間休日120日以上第二新卒歓迎フレックス勤務
|
|
| 勤務地 | 愛知県須田町2番56号 |
|---|---|
| 年収 | 600-800万円 ※上記は年収は諸手当を含む金額です |
| 業務内容 | ■電子部品向け材料の研究開発及び生産プロセス検討に取り組んでいただきます。 【具体的には】 新製品の材料開発や設計及び製品製造プロセス開発を中心に以下の業務に携わる。具体的なテーマは、実務経験や保有スキルを踏まえて決定。 ＜スラリ... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下、全てのご経験をお持ちの方 ・各種製造業、研究機関における研究開発、生産技術開発、製品設計いずれかの経験（3年以上） ・大学基礎レベルの力学、化学に関する知識 【歓迎要件】 ・研究開発、生産技術開発経験 ・無機... |
|
正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
|
|