プロセス開発 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 神奈川県/横須賀市/夏島町1番地 |
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| 年収 | 500-900万円 |
| 業務内容 | ■横須賀追浜工場にて、電気自動車に使用される次世代2次電池の電極工程における生産技術・プロセス技術開発を行って頂きます。 【具体的には】 （1）所属組織の担当開発領域、業務概要とR＆D内における役割、ポジション ・電気自動車用の次世代2次... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれかの経験をお持ちの方 ■研究開発や生産技術において、2次電池電極の特性及び取り扱い技術の知見があり、試作等の実務経験がある方 ■電気化学や粉体、スラリー、混錬、プレス、ゴム、キャパシタ等の開発工程の知見を有する方 ... |
| 勤務地 | 愛媛県/西条市/ひうち8-6 |
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| 年収 | 500-1000万円 |
| 業務内容 | ■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■ウェハプロセス開発／インテグレーション 例：構想検討?量産技術確立 ■デバイス構造設計／インテグレーション ■他部門との連携 例：設計部、生産技術部、品質保... |
| 求める経験 | 【必須要件】下記いずれも必須 ■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験（3年以上） 分野：化合物半導体（GaN、LED用途、高周波用途など）、シリコン半導体（メモリ、CMOSイメージセンサなど） ■ビジネスレベルの英語力 例：顧客と... |
| 勤務地 | 群馬県/高崎市/西横手町111 |
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| 年収 | 500-1300万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※非管理職の場合400?800万、管理職クラスの場合800?1000万 |
| 業務内容 | ■SiCパワーデバイス・プロセス開発、マネジメント業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■構想検討?量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント ■関連企業との協業および交渉 ■デバイス構造設計やプロセスフロー構築に... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下いずれか必須 ■パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上 ■SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上 ■150nm、200mmウエハプロセス開発経験 3年以上 【歓迎要件】 ■TCADを使用した... |
| 勤務地 | 茨城県/ひたちなか市/堀口730 |
|---|---|
| 年収 | 500-1000万円 |
| 業務内容 | ■SiCパワーデバイス・プロセス開発業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■ウェハプロセス開発／インテグレーション 例：構想検討?量産技術確立 ■デバイス構造設計／インテグレーション ■他部門との連携 例：設計部、生産技術部、品質保... |
| 求める経験 | 【必須要件】下記いずれも必須 ■半導体デバイス構造設計もしくはプロセス開発経験（3年以上） 分野：化合物半導体（GaN、LED用途、高周波用途など）、シリコン半導体（メモリ、CMOSイメージセンサなど） ■ビジネスレベルの英語力 例：顧客と... |
| 勤務地 | 神奈川県/藤沢市/川名1-12-2 |
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| 年収 | 450-900万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | ■同社にて、自社製品のデバイス開発業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・MEMS（半導体）プロセス機器の選定・導入、立ち上げ、プロセス開発 ・MEMSデバイス（チップ及びパッケージング）の設計、プロセス開発 ・MEMSデバイス試... |
| 求める経験 | 【必須要件】下記いずれかのご経験 ■半導体デバイスにおける設計・開発のご経験をお持ちの方 ■MEMSデバイスの設計・開発経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ■磁気（スピントロニクス・磁気特性評価・磁気光学測定）に関する知識をお持ちの方 ■高... |
| 勤務地 | 愛知県/知多郡東浦町/大字緒川字上舟木50番地（株）ジャパンディスプレイ内 |
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| 年収 | 400-650万円 ※上記年収は30時間の残業代を含んでいます。 ご年齢・ご経験により、3つのクラスに分かれます。 モデル：【ビギナークラス】475万円、【ミドルクラス：】641万円、【エキスパートクラス】786万円 |
| 業務内容 | ■有機ELの蒸着プロセス開発業務に従事いただきます。 【具体的には】 ・真空装置を利用した有機EL膜蒸着プロセス構築 ・真空装置を利用した電極プロセス構築 下記の業務も並行して担当して頂きます。 ・積層した膜の評価 ・膜の設計開発 ・歩... |
| 求める経験 | 【必須要件】 半導体前工程のご経験 【歓迎要件】 ・EL蒸着プロセス開発の経験 ・ELデバイス開発の経験 ・半導体もしくはディスプレイデバイスの一般知識 ・製造設備の一般知識 |
| 勤務地 | 長崎県/諫早市/津久葉町1883-43 |
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| 年収 | 400-900万円 ※上記年収は30時間の残業代を含んでいます。 |
| 業務内容 | CMOSイメージセンサーの製品化／量産フォローに関する解析業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・イメージセンサーの解析や分析、評価業務を行うことで製品歩留や品質向上 ・プロセス形状評価および歩留・品質改善に伴う断面解析業務 ・試作... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■電子顕微鏡（（SEM、TEM、FIB等）の使用経験 ■転職を通じて技術力、スキルを高めていきたいとお考えの方 ■技術習得に対して、自己研鑽に自発的に取り組むことができる方 |
| 勤務地 | 熊本県/菊池郡菊陽町/大字原水4000-1 |
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| 年収 | 450-600万円 ※上記年収は30時間の残業代を含んでいます。 |
| 業務内容 | ■CMOSイメージセンサーのウェーハプロセス開発、設計を担当いただきます。 【具体的には】 ■Litho、DRY、CMP、CVD、PVD、WET、IonImpla工程などを担当頂きます。 ※ソニーの製品を支え、シェアトップクラスを有する製... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■理系のバックグラウンドお持ちの方でエンジニアとしてソニーのものづくりに携わりたいという熱い思いをお持ちの方 【歓迎要件】 ■半導体デバイス／装置メーカーでの半導体プロセス開発の経験 ■半導体装置メーカーでのフィールドサポー... |
| 勤務地 | 熊本県/菊池郡菊陽町/大字原水4000-1 |
|---|---|
| 年収 | 450-900万円 ※上記年収は30時間の残業代を含んでいます。 |
| 業務内容 | ■CMOSイメージセンサーのウェーハプロセス開発、設計を担当いただきます。 【具体的には】 ■Litho、DRY、CMP、CVD、PVD、WET、IonImpla工程などを担当頂きます。 ※ソニーの製品を支え、シェアトップクラスを有する製... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれか必須 ■理工系大学卒 ■半導体プロセス（前工程）エンジニアのご経験 ■下記いずれかのスキル Litho・DRY・CVD・めっき・PVD・DIFF・LP-CVD・IMPLA・CMP・接合・WET ■エンジニアとし... |
| 勤務地 | 長野県/上伊那郡箕輪町/大字中箕輪8787 |
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| 年収 | 500-900万円 ※想定残業時間込みの金額となります。 |
| 業務内容 | ■メガネレンズ製造のプロセス開発、FA開発/推進、新規生産ラインの立ち上げ業務をお任せします。 【具体的には】 ・海外生産工場へのライン導入、技術支援活動、また現地人への指導・教育 ・海外の製造／技術部門、協力会社などとの英語でのミーティ... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下すべて該当する方 ■精密加工に関する生産プロセス開発、生産設備設計経験のある方 ■海外出張可能な方 ■TOEIC600点以上レベルの英語力をお持ちの方 【歓迎要件】 ■CAD機械設計技能 ■シーケンス・制御ソフト技能知... |