化学蒸着法|CVD に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 埼玉県入間市木蓮寺1070-2 JR青梅線「小作」駅より車で12分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:420万～800万程度 月給制：月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:有り（業績、成果により変動） 昇給:有り |
| 業務内容 | 【職務概要】 真空技術・加熱技術を用いた半導体製造装置（CVD装置）の電気設計を担当していただきます。 【職務詳細】 ・装置の電気回路設計 ・制御盤設計 ・デジタル回路設計 ・装置ソフト設計(P／C、PLC) ・電気配線設... |
| 求める経験 | 【必須】 ・CADでの産業用装置の電気設計、制御盤設計経験 【尚可】 ・真空装置、加熱装置、FPD製造装置、太陽電池などの半導体製造に関する知見 ・英語または中国語スキル 【同社について】 同社は真空... |
| 勤務地 | 埼玉県入間市木蓮寺1070-2 JR青梅線「小作」駅よりバスで15分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:500万～800万程度 月給制：月額350000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:有り（業績、成果により変動） 昇給:有り（不定期） |
| 業務内容 | 【職務概要】 下記業務をご担当いただきます。 【職務詳細】 ・プラズマCVD装置の運転と成膜評価 ・プラズマCVD装置のハード設計 ・プラズマCVD装置のプロセス開発 ・Roll to Rollでのフィルムへの金属膜蒸着装置... |
| 求める経験 | 【必須】以下どちらかの経験がある方 ・CVD装置での成膜／膜評価 ・蒸着装置のプロセス開発 【尚可】 ・太陽電池向けCVD装置の開発 ・太陽電池向けa-Si（アモルファスシリコン）の成膜 ・薄膜フィルムへ... |
| 勤務地 | 埼玉県入間市木蓮寺1070-2 JR青梅線「小作」駅よりバスで15分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:500万～800万程度 月給制：月額350000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:有（業績、成果により変動） 昇給:有（不定期） |
| 業務内容 | ★☆★同社について★☆★ 同社には真空装置や成膜装置などの開発・製造において長年の実績とノウハウがあり、さまざまな大学や研究所等からも高い評価を得てきました。 現在は中国をはじめとする海外のパートナー企業と業務提携し、産業用ソーラーパネ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・真空装置の開発、成膜と膜評価 ・特許関連業務経験または、知見 【尚可】 ・ビジネスレベルの英語（TOEIC800～） |
| 勤務地 | 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500JR東海道本線「茅ヶ崎」駅北口より車で10分 ※茅ケ崎駅から社員用バスあり ※車通勤可 |
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| 年収 | 年収:600万～800万程度 月給制：月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月）※前年度実績6ヶ月 昇給:年1回（7月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にてドライエッチング、またはCVD装置のハード開発・評価をご担当いただきます。具体的には装置コンポーネントの提案・開発に従事頂きます。 【職務詳細】 ■製品：ケミカル系装置（ドライエッチング、CVD装置） ■範... |
| 求める経験 | 【必須】 ・電気回路の知識(大学卒程度) ・プラズマ生成(または、プラズマ診断)に関する基本理解 【尚可】 ・ケミカル系装置の経験があるエンジニア ・産業装置の設計・開発の経験がある方 ・高周波プラズマに関する知識(大学卒程... |
| 勤務地 | 北海道 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 1000 万円 ～ 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ■IBM社と連携して2nmプロセス半導体の技術開発を推進しており、2025年から国内工場立ち上げ、試作量産を行っていきます。 ■国内工場において、2nm世代及びBeyond 2nmの先端ロジック開発及び、量産技術業務を担当します。具体的に... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※以下いずれかのご経験 ■半導体デバイス/装置メーカーでの生産設備の設計・開発、立立上・改善活動の経験 ■半導体デバイスメーカ（半導体ウェーハ工程、テスト工程、組立工程）でのプロセス改善、条件だし、歩留工場、生産性向上、... |
| 勤務地 | 秋田県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 900 万円 賞与：年2回（6月、12月／過去実績6ヶ月）※業績に連動） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | ■業務内容： MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs InP AlN GaN関連材料）の結晶成長に関する研究開発業務をご担当いただきます。 【具体的な業務内容】 ◇GaAs系 InP系赤外LED・PDの結晶成長に関する業... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記いずれかに当てはまる方 ■パワーデバイス向けGaN系エピ基板開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験 ■オプトデバイス向けGaAs・InP・AlN・GaNおよびその関連材料のエピ成長開発もしくは製造におけるMOCVD... |
| 勤務地 | 神奈川県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 800 ～ 1300 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【期待する役割】 半導体製造ALD/CVD装置の研究開発をお任せします。 ※下記キーワードに関するご経験をお持ちの方は積極的にご応募ください！ 半導体製造装置、ALD、CVD |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■ALD/CVDの装置または構成部品またはProcessの研究開発経験を3年以上お持ちの方 【歓迎要件】 ■ALD装置またはCVD装置の要素技術設計、開発 ■ALDまたはCVD processの開発経験、海外学会参... |
| 勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 650 ～ 1000 万円 ※上記年収には「固定残業45時間、夜間残業40時間、休日出勤16時間」が含まれております。（超過分は別途支給） ※但し、休日出勤、深夜残業は基本的に発生致しません。 なお、経験・スキルに応じて変動の可... |
| 業務内容 | 同社のCNT（カーボンナノチューブ）量産設備の顧客導入にあたり、設計～製造・導入までをプロジェクトマネジメントいただく事を期待しております。 【具体的な業務内容】 ■予算管理 ■事業計画に合わせた新規設備の設計（仕様決定、外注様と... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・設備立ち上げにおいてPMの経験がある方 ・チームマネジメントの経験がある方 ・CVDやPVD（スパッタリング）のプロセスの知見がある方 【歓迎要件】 ・仕様から設計に落とし込める方 ・半導体業界で設備設計の経... |
| 勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 450 ～ 600 万円 ※上記年収には「固定残業45時間、夜間残業40時間、休日出勤16時間」が含まれております。（超過分は別途支給） ※但し、休日出勤、深夜残業は基本的に発生致しません。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能... |
| 業務内容 | 同社では研究開発を少数精鋭で行っております。これまで培ってきた量産技術（トン/年）をもとに、更なる量産技術の確立を目指しています。 【職務内容】 研究開発本部の設備研究部にて、カーボンナノチューブを生産品質を上げるための生産技術開発... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・電子部品、半導体などのプロセス開発経験 （業界に限らずプロセスエンジニアの経験があれば可） 【歓迎要件】 ・業界問わずスパッタリング装置のプロセスエンジニア ・理系（物理／化学／材料工学）のバックグラウンドをお... |
| 勤務地 | 大阪府 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 900 万円 ※予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 ■給与改定年1回 ■賞与年2回（6月、12月 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 業界の急速成長における増員のため本ポジションを募集します。 直近著しいニーズの高まりが見えるダイヤモンド成膜装置（MW-CVD装置）のフィールドソリューションエンジニアとして装置の据え付け、メンテナンスやトラブル時の対応を行っていただきま... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■真空装置のサービスエンジニアの経験 ※半導体製造装置、液晶パネル製造装置、R&D装置等 ■ 国内・海外出張に問題なく対応可能な方 ■ 英語の読み書きに抵抗がない方 ※英語に対してアレルギーがない程度でも構いません ... |