化学蒸着法|CVD に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 大阪府 |
|---|---|
| 年収 | 500万円～900万円 ※経験・スキルなどを考慮の上で決定致します。 |
| 業務内容 | 【業務内容】 ダイヤモンド成膜装置（MW-CVD装置）の設計およびフィールドサポート 装置関係の書類整備 装置製造のための支援 ＜詳細＞・電気設計、PLCコーティング、ソフトウェア設計支援 ・装置関係の図面管理、修正作業 ・故... |
| 求める経験 | ■化学の基礎知識（ダイヤモンドや炭素などの知識）をお持ちの方 ■英語に抵抗の無い方（TOEICスコア500程度） ■国内・海外出張に抵抗の無い方 【歓迎】 □ダイヤモンドの研究に関わったご経験 □設計のご経験 □英語での業務対応... |
| 勤務地 | 富山県 |
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| 年収 | 400万円～900万円 モデル年収/参考（20残込）：20代450-550万 30代550-700万 40代700万以上 |
| 業務内容 | 5G基地局向けRF-GaNデバイスの製品化・量産化に向けた結晶成長技術開発、ウェハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価 解析等を担当して頂きます。 GaN系デバイスの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いた薄膜成長技術の開... |
| 求める経験 | 【必須】※応募時には顔写真データも必要となります ・結晶成長技術に興味関心のある方 ・GaNのプロセス開発に興味のある方 【歓迎】 ・化合物半導体材料の知識 ・化合物半導体の結晶成長技術経験、ウェハプロセス開発経験 ・半... |
| 勤務地 | 山形県/鶴岡市/宝田1-11-73 |
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| 年収 | 400-900万円 |
| 業務内容 | ■工場の稼働を止めることなく安定的な生産を実現することに加え、設備改善を通じて生産性向上、コスト削減に寄与し、同社製品の優位性を高める業務に従事いただきます。 【具体的には】 半導体製造の各工程における生産設備（DRY・DIFF・CVD・... |
| 求める経験 | 【必須要件】下記いずれも該当する方 ■設備保全、生産技術などを経験し、機械・電気に関する知見をお持ちの方 ■製造現場に近い位置でエンジニアとして経験を積みたい方 ※異業界の方も教育制度が整っていますので安心してご入社いただけます。 |
| 勤務地 | 熊本県/菊池郡菊陽町/大字原水4000-1 |
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| 年収 | 450-900万円 ※上記年収は30時間の残業代を含んでいます。 |
| 業務内容 | ■CMOSイメージセンサーのウェーハに関する下記業務をおまかせ致します。 【具体的には】 ■半導体ウェーハ工程製造ラインの改善業務。 4TEC統合したもの流し運用構築、仕組み改善、新たな技術の導入をご担当いただきます。 製造におけるプラッ... |
| 求める経験 | 【必須要件】下記いずれかのご経験お持ちの方 ■生産設備の改善・開発、立上げ・保守の経験 ■半導体装置メーカーでのフィールドサポートや生産プロセス技術全般の経験 ■製造現場でのラインリーダーなど、生産調整や生産管理のご経験 【歓迎要件】 ■... |
| 勤務地 | 熊本県/菊池郡菊陽町/大字原水4000-1 |
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| 年収 | 450-600万円 ※上記年収は30時間の残業代を含んでいます。 |
| 業務内容 | ■CMOSイメージセンサーのウェーハプロセス開発、設計を担当いただきます。 【具体的には】 ■Litho、DRY、CMP、CVD、PVD、WET、IonImpla工程などを担当頂きます。 ※ソニーの製品を支え、シェアトップクラスを有する製... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■理系のバックグラウンドお持ちの方でエンジニアとしてソニーのものづくりに携わりたいという熱い思いをお持ちの方 【歓迎要件】 ■半導体デバイス／装置メーカーでの半導体プロセス開発の経験 ■半導体装置メーカーでのフィールドサポー... |
| 勤務地 | 熊本県/菊池郡菊陽町/大字原水4000-1 |
|---|---|
| 年収 | 450-900万円 ※上記年収は30時間の残業代を含んでいます。 |
| 業務内容 | ■CMOSイメージセンサーのウェーハプロセス開発、設計を担当いただきます。 【具体的には】 ■Litho、DRY、CMP、CVD、PVD、WET、IonImpla工程などを担当頂きます。 ※ソニーの製品を支え、シェアトップクラスを有する製... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※下記いずれか必須 ■理工系大学卒 ■半導体プロセス（前工程）エンジニアのご経験 ■下記いずれかのスキル Litho・DRY・CVD・めっき・PVD・DIFF・LP-CVD・IMPLA・CMP・接合・WET ■エンジニアとし... |
| 勤務地 | 山形県/鶴岡市/大宝寺字日本国271-6 |
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| 年収 | 450-800万円 ■基本給：23万円?38万円／月 ※年収例：450万円?800万円（賞与／各種手当／時間外手当含む） |
| 業務内容 | ■MEMSデバイスのプロセス開発業務を担当していただきます。 【具体的には】 開発部門にて、MEMSデバイスのプロセス・開発業務を担当していただきます。各種アプリケーションからの要求事項をデバイス仕様に反映させ、設計・製造・分析評価を経て... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下1つ以上当てはまる方 ・MEMSデバイスまたは半導体デバイスのプロセス開発業務経験 ・MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験 ・圧電PZT膜の開発業務経験 【歓迎要件】 ・CADを用いたフォトマスク設計や、機... |
| 勤務地 | 山形県/鶴岡市/字日本国271-6 |
|---|---|
| 年収 | 450-800万円 ■基本給：23万円?38万円／月 ※年収例：450万円?800万円（賞与／各種手当／時間外手当含む） |
| 業務内容 | ■MOCVD装置を用いた深紫外LEDの結晶成長に関する業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・高効率化に向けたMOCVDを用いた条件出し ・シミュレーションを用いたLED構造設計および検証 【魅力】 ・新しい事業化の実現を目指し... |
| 求める経験 | 【必須要件】 物理学、化学に関する基礎的な知識 【歓迎要件】 MOCVDを用いた結晶成長技術、経験 |
| 勤務地 | 神奈川県/秦野市/曽屋400 |
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| 年収 | 500-750万円 |
| 業務内容 | レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価をご担当頂きます。 【具体的には】 新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発となります。 具体的には下記のいずれかになりま... |
| 求める経験 | 【必須要件】 半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験を持ち、下記いずれかのご経験をお持ちお方 ・光学評価（PL、EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・光デバイスシミュレー... |
| 勤務地 | 東京都/多摩市/永山6-23-1 |
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| 年収 | 700-900万円 上記年収から家族手当、住宅手当などが上乗せになる形になります。 |
| 業務内容 | ■プロセスエンジニアと連携し、プロセスツールや計測ツールの設置およびメンテナンス業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■プロセスツールの設置、メンテナンス業務 例：計測データ取得、レビューなど ■プロセスツールの仕様決定 ■プロセス... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下いずれも必須 ■半導体装置もしくは計測機器のメンテナンスのご経験2?5年 ■安全規格に関するご知見 【歓迎要件】 ■真空システム装置、CVD、ALDに関連する半導体装置メンテナンスのご経験 |