半導体素子|素子 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 静岡県静岡市清水区北脇500番地 |
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| 年収 | 450万円 ～ 800万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■地域手当 |
| 業務内容 | 【職務内容】 次世代の車載センシングの要となるLiDAR製品のレーザーダイオード（LD）ドライバ開発をお任せします。 LiDARで仕様されるLDは高電流・高周波数で連続バルス発光させるドライバ回路が必須であり、このドライバがLiDA... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・基板回路、パターン設計のご経験（含むCAE／CADツール使用経験） ・基板評価のご経験（動作検証等） ・英語力（Datasheet、Documentの理解能力）※英語初級 【歓迎要件】 ・LD駆動開... |
| 勤務地 | 千葉県市原市八幡海岸通6番地 |
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| 年収 | 450万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | ＜2024064＞ ■職務内容： 半導体微細加工技術で実現されたシリコン光集積回路に光機能素子を実装したヘテロジニアス光集積回路技術の開発に従事していただきます。 そのプラットフォームとなるシリコンフォトニクス回路の設計な... |
| 求める経験 | 【必須】 ■光関連デバイス開発チームのメンバーとしての設計・評価の業務経験 ※大学や大学院時代でのご経験も可 【歓迎】 ■外部ファンダリを活用した経験があり、PDKやプロセスルールに関する知識をお持ちの方 ★... |
| 勤務地 | 千葉県市原市八幡海岸通6番地 |
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| 年収 | 450万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | ＜2024029＞ ■職務内容： 半導体レーザや半導体光増幅器などの半導体光デバイスの開発を行います。 半導体レーザはInPなどの化合物半導体を用い、作製方法(ウェハプロセス)と設計が非常に密接な関係があります。 また... |
| 求める経験 | ■必須条件： 半導体の設計もしくは製造の技術。 ※例として半導体の電気特性の設計、光導波路の光学設計、半導体の特性評価、フォトマスク図面の作成、半導体ウェハプロセス(要素技術、プロセスインテグレーション)などのいずれか。 ... |
| 勤務地 | 神奈川県平塚市東八幡5丁目1番9号 |
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| 年収 | 450万円 ～ 1000万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | ＜202274/202275＞ ■配属予定部署： 機能製品統括部門 サーマル・電子部品事業部門 開発部 ■職務内容： 営業技術部で設計するヒートシンクに使われるヒートパイプやベイパーチャンバー、熱を運ぶ伝熱素子自... |
| 求める経験 | ■必須条件： ・機械設計経験者（2D・3D CAD使用経験） ・伝熱工学を利用した設計経験 ・英語力(メールの読み書き) ■歓迎条件： ・熱解析ソフト用いた設計経験 ・伝熱工学を利用した設計経験 ・金属加工... |
| 勤務地 | 千葉県市原市 |
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| 年収 | 400万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | ＜【千葉】半導体（生産技術部・設計開発部）_F0002＞ ■配属予定部署 ・古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社(FFOD)生産技術部 ・古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社(FFOD)設計開発部 （在籍出... |
| 求める経験 | 【古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社(FFOD)生産技術部】 ■必須条件 半導体関連の知識・経験。 【古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社(FFOD)設計開発部】 ■必須条件 半導体(Siでも可）のプ... |
| 勤務地 | 茨城県那珂市 |
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| 年収 | 400万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | ＜【茨城】半導体（FFOD茨城 生産技術部）_F0002＞ ■配属予定部署 ・古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社(FFOD)茨城技術部 （在籍出向案件になります） ■ミッション 親会社で開発した製品を... |
| 求める経験 | 【古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社(FFOD)茨城技術部】 ■必須条件 半導体(Siでも可）のプロセス技術に関する知識・経験。 ■歓迎条件 半導体製造装置の取り扱い実務経験、半導体素子開発や生産技術の経験 |
| 勤務地 | 千葉県市原市八幡海岸通6番地 |
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| 年収 | 400万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | ＜【千葉・茨城】半導体（生産技術・設計開発）勤務地が千葉・茨城どちらでも可の方_F0002＞ ■配属予定部署 ・古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社(FFOD)生産技術部 ・古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社... |
| 求める経験 | 【古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社(FFOD)生産技術部】 ■必須条件 半導体関連の知識・経験。 【古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社(FFOD)設計開発部】 ■必須条件 半導体(Siでも可）のプ... |
| 勤務地 | 神奈川県 |
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| 年収 | 460万円～1160万円 ※上記の下限は初任給（学卒新人）です。経験・能力を考慮し決定 |
| 業務内容 | 【採用背景】 キオクシアでは、３D NANDフラッシュメモリーおよび新規メモリーの開発を行っています。これらメモリーの新規開発において、メモリ素子動作および回路動作を熟知した評価エンジニアを必要としています。このため、メモリ開発経験のある... |
| 求める経験 | 【必須】※下記いずれかのご経験をお持ちの方 ・メモリ開発における評価経験（メモリ素子動作及び回路動作を熟知している事）をお持ちのかた ・メモリ開発における不良解析経験をお持ちの方 【歓迎】 ・メモリ回路設計経験をお持ちの方 ・... |
| 勤務地 | 兵庫県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。※昇給年1回（4月）、賞与年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | １職務内容 高出力化や用途拡大が進むレーザ加工用に光学部品を製造、販売する事業です。技術や製品の開発に果敢に挑戦し、事業拡大に貢献できる人材を求めます。 ２具体的にお任せする業務 1) 光学部品の生産技術、特に回折光学素子(D... |
| 求める経験 | 1) 理工学系（機械、電気、応物等）の大卒以上 2) 以下のいずれかの経験をお持ちの方 ○回折光学素子(DOE)又は半導体デバイスの微細加工に関する開発経験 |
| 勤務地 | 山梨県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。※昇給年1回（4月）、賞与年2回（6月、12月） |
| 業務内容 | ・半導体レーザの個片化、端面膜加工、素子検査に関する製造技術担当 (新製品開発、新規プロセス技術開発等、研究・開発業務は対象外) ＜変更の範囲＞ 総務、人事、経理、営業、事業計画等の企画・調整。調査等の業務、 設... |
| 求める経験 | ・3年以上の当該業務の実務経験があり、かつ、直近1年間以上の他業務での空白期間がないこと ・半導体ウェハの個片化加工、個片化素子の特性検査、個片化素子外観検査、誘電体多層膜成膜等のユニットプロセスの全てまたはいずれかに関するスキルをお持ち... |