熱CVD|CVD に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 秋田県飯島字砂田1 |
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| 年収 | 600-1000万円 月額（基本給）：298,650円～ |
| 業務内容 | ■MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs InP AlN GaN関連材料）の結晶成長業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・GaAs系 InP径赤外LED・PDの結晶成長に関する業務 ・高効率化に向けたMOCVDを用... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体や電子材料に関するプロセスエンジニアまたはプロセス開発経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ■化合物半導体に関する知見をお持ちの方 ■MOCVDを用いた結晶成長技術の知見をお持ちの方 |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 兵庫県神美台157-34 |
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| 年収 | 600-750万円 経験に応じて担当職or主任職で採用予定 ※いずれも諸手当含む目安 ・担当職の目安：450万円～600万円 ・主任職の目安：550万円～850万円 |
| 業務内容 | 太陽電池セルおよびモジュールの設計技術開発を担当いただきます。 【具体的には】 （1）、（2）いずれかの業務に取り組んでいただきます。（選考の中でご希望やご経験をお伺いします） （1）太陽電池セルの設計技術開発（設計・試作・評価等... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれかを満たす方 ■設計、開発、または評価の業務経験 ■Word、Excel、PowerPoint等の基本ソフトを使いこなせること ■2次元CADが使用可能であること（AutoCAD等） ■語学力：文書の読解が可... |
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正社員
年間休日120日以上英語を使う仕事社宅・家賃補助制度
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| 勤務地 | 山形県字日本国271-6 |
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| 年収 | 600-800万円 ■基本給：23万円～38万円／月 ※年収例：450万円～800万円（賞与／各種手当／時間外手当含む） |
| 業務内容 | ■MOCVD装置を用いた深紫外LEDの結晶成長に関する業務を担当していただきます。 |
| 求める経験 | 【必須要件】 物理学、化学に関する基礎的な知識 【歓迎要件】 MOCVDを用いた結晶成長技術、経験 |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県、山形県曽屋400大宝寺字日本国271-6 |
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| 年収 | 600-750万円 |
| 業務内容 | レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価をご担当頂きます。 【具体的には】 新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発となります。 具体的には下記のいずれか... |
| 求める経験 | 【必須要件】 半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験を持ち、下記いずれかのご経験をお持ちお方 ・光学評価（PL、EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・光デバイスシミ... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 秋田県飯島字砂田1 |
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| 年収 | 600-900万円 月額（基本給）：298,650円～ |
| 業務内容 | ■オプトデバイス（LED・PD・VCSEL）のプロセスエンジニア・設計技術者として以下業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・オプトデバイスの原材料となる基板上に、フォトリソ装置・CVD・スパッタ・蒸着等の薄膜形成装置・接合装... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体や電子材料に向けのプロセスエンジニアまたはプロセス開発経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ■製造・評価装置に関する専門知識 ■筆頭発明者として特許出願 3件以上の経験 ■装置導入を含めた技術開発の立ち上げ経験... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県みなとみらいランドマークタワー（36階） |
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| 年収 | 600-1200万円 |
| 業務内容 | ■同社にて、流体解析の業務を担当して頂きます。 【具体的には以下の業務を担当していただきます】 ・多相流、燃料電池、自由表面、CVD、輻射の知識を生かして、顧客の様々な問題に対するコンサルティング ・熱流体全般の専門知識を生かして... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・製造業界における流体解析の経験（自動車業界経験不問） |
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正社員
転勤無し年間休日120日以上フレックス勤務
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