熱CVD|CVD に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 富山県 |
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| 年収 | 400万円～900万円 モデル年収/参考（20残込）：20代450-550万 30代550-700万 40代700万以上 |
| 業務内容 | 5G基地局向けRF-GaNデバイスの製品化・量産化に向けた結晶成長技術開発、ウェハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価 解析等を担当して頂きます。 GaN系デバイスの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いた薄膜成長技術の開... |
| 求める経験 | 【必須】※応募時には顔写真データも必要となります ・結晶成長技術に興味関心のある方 ・GaNのプロセス開発に興味のある方 【歓迎】 ・化合物半導体材料の知識 ・化合物半導体の結晶成長技術経験、ウェハプロセス開発経験 ・半... |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 大阪府平林北1-2-150 |
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| 年収 | 600-1050万円 |
| 業務内容 | ■同社にて、下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・SAW/BAW成膜工程（PVD, CVD, EB）のプロセス条件、設備改善によるプロセス安定化、品質確保 ・プロセス／設備両面からのアプローチによる設備間差の縮小化と... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記全てをお持ちの方 ・BAW/SAWフィルターや半導体デバイスにおけるプロセス技術/設備技術の業務経験（特に成膜工程の業務経験） ・10～15年程度の実務経験, 及び2年以上程度のプロジェクトあるいは組織マネジメント経験... |
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正社員
転勤無し完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 大阪府平林北1-2-150城見2丁目2-22 マルイトOBPビル 10F |
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| 年収 | 600-1050万円 |
| 業務内容 | ■BAWフィルターの新規プロセス開発において、成膜プロセス（スパッタリング、CVD、蒸着等）の条件最適化ならびに成膜工程前後のインテグレーションを担当して頂きます。 【具体的には】 ・膜特性を評価するために、各種評価条件の設定や新製... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記全てをお持ちの方 ・BAWやSAWのRFフィルターや半導体関連の業態において、成膜関連のプロセスエンジニアとして5年以上の経験 ・半導体製造工程(リソグラフィー、ドライエッチ、メタル成膜、絶縁膜成膜、ウェット、CMP、... |
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正社員
転勤無し完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 富山県 |
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| 年収 | 600-1000万円 ※これまでの経験・能力を考慮の上、同社規程に基づき、担当職位の大きさに応じて決定 |
| 業務内容 | ■同社にて、パワー半導体＜GaN＞におけるプロセス開発の下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ■パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発 ・安... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■パワー半導体製品のプロセス開発業務経験 |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 大阪府平林北1-2-150城見2丁目2-22 マルイトOBPビル 10F |
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| 年収 | 800-1050万円 |
| 業務内容 | ■同社にて、下記業務に従事いただきます。 【具体的には】 ・BAWフィルタの新規パッケージ開発・新規プロセス開発新規パッケージ開発プロジェクトリーダー ・CVD及びドライエッチング工法を活用した新規プロセス開発 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・プラズマ工程、ドライエッチング工程経験3年程度 |
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正社員
転勤無し完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県須田町2-56 |
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| 年収 | 600-800万円 ※上記は年収は諸手当を含む金額です |
| 業務内容 | 新しい機能性無機材料開発に関する業務で、当面はダイヤモンドの成膜技術開発に取り組んでいただきます。並行して新しい有望材料・技術の探索も実施します。ダイヤモンド開発については、成膜条件の検討だけでなく成長メカニズム解析などの基礎研究にもチャレ... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下、全てのご経験を3年以上お持ちの方 ・無機材料に関する知識 ・無機材料開発に関する業務経験 ・英語力：学術論文が労せず読めるレベル 【歓迎要件】 ・ダイヤモンドの結晶成長・エピ成膜・デバイス開発に関する業務経験... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 岡山県玉原3丁目16番2号 |
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| 年収 | 600-800万円 |
| 業務内容 | ■設備保全担当として、以下の業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・設備管理：既存設備の状況把握、適正な維持管理計画の策定 ・保守管理：各設備の予備品把握、定期的な確認、メンテナンス項目の策定、実施 ・改善：設備管理上の問... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下の全てを満たす方 ・製造業で設備保全経験をお求めの方。 【歓迎要件】 ・製造における約束事（4Mの理解） ・以下いずれかの資格取得者 高圧ガス製造保安責任者丙種以上、危険物取扱者（乙四）、公害防止管理者（水質... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上
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| 勤務地 | 大阪府西一津屋1番1号 |
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| 年収 | 600-900万円 ※応相談 |
| 業務内容 | ■新たな成長フェーズに入った半導体市場で微細加工プロセスや三次元積層における材料開発に携わっていただきます。 【具体的には】 微細配線や3D-NAND用絶縁膜を形成するための製膜剤（プリカーサー）開発や、そのプリカーサーを用いたCV... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記すべてを満たす方 ・半導体薄膜工程プロセス用有機・無機材料開発を行ってきた開発経験者 ・プロセス設計（成膜評価/信頼性評価 等）の開発経験者 ・経験年数：5年程度 ・簡単なメールの作成が可能な方(目安としてTOEI... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 岩手県北工業団地6-6 |
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| 年収 | 600-1000万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※新卒初任給： 学部卒 470万円 、修士了 500万円 、博士了 570万円 |
| 業務内容 | 最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、装置改善業務、要素開発業務を担当頂きます。 【次のいずれかの工程を担当】 ・ドライエッチング、・ウェットエッチング（洗浄）、CMP（平坦化）、PE-CVD、LP-CVD、M... |
| 求める経験 | 【必須】 以下いずれも合致する方 ■下記のような理系バックグラウンドをお持ちの方 電気・電子系、化学・物質工学系、物理・応用物理系、数学、情報 ■何等かの計測装置を扱ったことがある方 ■プログラミング経験 【尚可】 ■半... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上第二新卒歓迎
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| 勤務地 | 秋田県飯島字砂田1 |
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| 年収 | 600-1000万円 月額（基本給）：298,650円～ |
| 業務内容 | ■化合物半導体のプロセスエンジニア業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ※下記業務を候補者のご経験やスキルに応じてご担当いただきます。 ・LEDチップをパッケージに実装したLEDランプの開発 ・LEDの原材料となる基盤上に... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記全ての要件を満たす方 ■製造業における生産技術、製造技術、プロセスエンジニア、工程改善いずれかのご経験をお持ちの方 ■機械、電気、物理、化学いずれかのバックグラウンドをお持ちの方 【歓迎要件】 ■半導体に関わる... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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