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検査 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 茨城県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 400 ～ 900 万円 固定賞与3カ月分を含む（毎月1/15を支給）＋決算賞与 ※業績賞与（会社及び個人の業績に応じて支給する場合がある。支給を保証するものではありません。） なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 電機機器メーカーや認証機関から依頼を受けた計測器の電気・高周波試験を実施・検証・レポートする業務やISO/IEC 17025試験所及び電波法指定校正機関における技術管理をお任せします。 【業務の流れ】 メーカーや認証機関から計測器の... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■理工系（電気・電子・通信等）のバックグラウンド ■何らかの計測器を活用した校正・評価・試験業務経験 【歓迎要件】 ▼無線従事者国家資格（陸上無線技術士、航空特殊無線技士等）保有者 ▼校正エンジニアとして、第三者... |
| 勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 400 ～ 700 万円 賞与：年2回（6月、12月）※過去実績約4.9ヵ月分 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【職務内容】 ・コネクタ生産用の金属めっき技術開発、分析業務 ・内製化による高度化、新規要素技術検討 【同社について】 ■グローバル展開と高い品質・技術力：海外売上高比率7割以上 ■同社の事業の柱であるコネクタ、インターフェー... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・電子部品、半導体業界等での金属めっき技術開発経験 【歓迎要件】 ・化学系、金属材料系専攻 ・電解めっき、連続めっき（フープめっき）経験なお可 |
| 勤務地 | 埼玉県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 400 ～ 750 万円 ※管理監督職での採用の場合、残業代の支給はございません。 ※年収は ご年齢/経験/能力を考慮し決定します。 賞与：年2回（6、12月） 昇給：年1回 定年:65歳 役職定年無 なお、経験・スキルに... |
| 業務内容 | 【募集背景】 配属となる事業創造本部 HRDP事業推進ユニットでは、次世代半導体チップ実装用特殊ガラスキャリア「HRDP」の開発・事業推進を進めております。この製品は、超高密度の回路形成を可能にし、高機能半導体の製造効率向上を行うことがで... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※履歴書またはキャリアシートへ【顔写真の添付】必須※ ・材料の開発経験（分野不問） ・語学（英語）：メール対応/文書・マニュアル読解 【歓迎要件】 ・半導体パッケージ、PCB基板開発経験 ・電子デバイス、材料... |
| 勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 450 ～ 850 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【本ポジションについて】 SE事業本部 光デバイス事業部にてカメラ用アクチュエータ等に関する特性検査機用の電気回路設計をご担当頂きます。 【セミコンダクタ&エレクトロニクス事業本部について】 2017年にミネベア株式会社とミツミ電... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■電気回路の応用知識 ■回路設計実務経験 【歓迎要件】 ▼メカ設計の基礎知識 ▼インターフェース方式の基礎知識（GPIB,I2C,RS232Cなど ） |
| 勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 900 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【仕事の内容】 X線分析装置における世界三大メーカである当社にて、以下業務をご担当いただきます。 【業務内容の詳細】 ■膜厚・組成分析装置、X線回折装置、ウェーハ表面汚染分析などの分析業務。 ■X線技術を駆使し、お客様が直面する... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・理系出身の方 ・X線分析装置を使用した経験のある方。半導体の構造・分析・品質管理に興味のある方。 ・半導体の最先端技術に興味のある方。 |
| 勤務地 | 神奈川県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 1300 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 最先端半導体デバイスに関する研究課題を提案し、その課題を解決するために、国内の大学や研究機関との産学連携を推進していただきます。 【業務内容】 ・連携先の大学や研究機関の研究設備を利用して、実験・評価を行う。 ・研究課題を解決する... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■下記いずれかの分野にて、5年以上の研究開発経験 ・半導体デバイス（ロジック、メモリ） ・半導体プロセス全般 【歓迎要件】 ■産学連携の経験を有する方、歓迎いたします。 |
| 勤務地 | 神奈川県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 1300 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 最先端半導体デバイスに関する研究課題を提案し、その課題を解決するために、国内の大学や研究機関との産学連携を推進していただきます。 【業務内容】 ・連携先の大学や研究機関の研究設備を利用して、実験・評価を行う。 ・研究課題を解決する... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■下記いずれかの分野にて、5年以上の研究開発経験 ・磁性デバイス ・磁性材料 ・MRAM ・スピントロニクス 【歓迎要件】 ■産学連携の経験を有する方、歓迎いたします。 |
| 勤務地 | 神奈川県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【業務内容】 将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプや、重要施設の監視・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサなど、化合物半導体を用いた光・電子デバイスの研究開発を行い、自社製品の高性能化と顧客訴求力向上に貢献する。... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記いずれかの業務経験をお持ちであること※ ・高周波回路設計とその特性評価 ・半導体デバイス開発 ・光学センサ開発 【歓迎要件】 ・CAD ・半導体プロセス開発 ・デバイスや電磁界などのシミュレーション ・... |
| 勤務地 | 東京都 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 450 ～ 600 万円 予定年収は想定残業代を含めた金額です。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 半導体検査装置などに用いられる（ピエゾステージなど）などの組立・評価などを中心にご担当いただきます。 ※少数精鋭の部隊のため、下流部分（製造・検査）のみならずご経験に応じて直近ないしは将来的に開発設計部分にも携わっていただくこともできます... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■製品検査や評価、分析の経験をお持ちの方 ※回路設計経験があれば尚可 |
| 勤務地 | 富山県 詳細につきましてはご面談時にお伝え致します |
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| 年収 | 年収 500 ～ 800 万円 上記年収は残業手当込み なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 【募集背景】 開発人員強化に伴う募集です。 【業務内容】 半導体製造装置の電気回路や回路基板の設計、ユニット設計や製品全体のSI設計をご担当いただきます。 具体的には、仕様書作成、部品手配、新規開発や改良など、複数の案件を並行し... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■電気設計の経験または電気の知見をお持ちの方 ＜例えば下記いずれかの経験をお持ちの方＞ ・PLC、デジタル回路設計、アナログ回路設計、AutoCAD使用経験 【歓迎要件】 ▼産業機械の設計経験（半導体製造装置の設計経... |
