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| 勤務地 | 千葉県船橋市鈴身町488-19 各線「北習志野」駅より車で20分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:900万～1500万程度 年俸制：月額700000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回以上 昇給:業績に応じて年1回以上 |
| 業務内容 | 【職務概要】 1. リソグラフィーライト、成膜、湿式法、拡散、CMP などのマイクロ・ナノプロセスにおける主要な技術的ブレークスルーを担当し、全プロセスを形成する。 2. リソグラフィーライト、成膜、湿式法、拡散、CMP、その他のプロセ... |
| 求める経験 | 【必須】 1. 理工学専攻、学士以上の者 2. リソグラフィーライト、成膜、湿式法、拡散、CMP などの 1 つ以上の装置またはプロセスにおける 3 年以上の経験 3. リソグラフィーライト、成膜、湿式法、拡散またはCMP関連のプロセ... |
| 勤務地 | 千葉県船橋市鈴身町488-19 各線「北習志野」駅より車で20分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:900万～1500万程度 年俸制：月額750000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回以上 昇給:業績に応じて年1回以上 |
| 業務内容 | 【職務概要】 1、化合物半導体パワーデバイスプロセス開発及びプロジェクト推進関連業務を担当する 2、パワーデバイスチップ製造プロセスの開発を主導し、現場でプロセス調整を行い、装置エンジニアと協力してトラブルを分析し、プロセスに存在する可... |
| 求める経験 | 【必須】 ■求める経験 1、学士以上、半導体物理学、マイクロエレクトロニクス、材料、化学関連の専攻。 2、パワー半導体デバイスのプロセスフロー、製造プロセス及び関連するプロセス原理に精通する。 ... |
| 勤務地 | 埼玉県川口市並木2丁目30番1号 JR京浜東北線「西川口」駅より徒歩6分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:450万～650万程度 月給制：月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 5G／6Gの実現により活況を呈する光通信業界の中でも大規模データセンターの通信を支える光トランシーバーに同社製品が使用されています。売上の95%以上が海外のお客様です。光通信用のレンズ製品の顧客との仕様打ち合わせから開発・設... |
| 求める経験 | 【必須】 ・メーカーでの設計開発経験 【尚可】 ・英語（TOEIC550点程度） ・光学関連製品の設計開発経験 ・光学関連製品への興味 |
| 勤務地 | 埼玉県 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:500万～800万程度 月給制：月額350000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 半導体検査治具（ICソケット）の生産設備の設計・開発業務を担当します。 【職務詳細】 ・組立自動機の製作、治具設計、工程設計 ・品質改善業務 【同社製品の特徴】 ・コア技術である『ナノ単位での加工技術』、『... |
| 求める経験 | 【必須】 ・生産技術・設備開発に関わる実務経験 【尚可】 ・生産設備の設計経験 ・英語力(日常会話レベル) ・中国語 |
| 勤務地 | 埼玉県川口市並木2丁目30番1号 JR京浜東北線「西川口」駅より徒歩6分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:600万～800万程度 月給制：月額350000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 機械設計エンジニアとして、自動車や家電・OA機器等向けの樹脂製ギヤ製品の設計開発に携わっていただきます。 将来的に海外拠点への赴任を予定しており、グローバルに活躍するエンジニアになることを期待しています。 【職務詳細... |
| 求める経験 | 【必須】 ・機械設計の実務経験 ・顧客との英語での折衝経験 【尚可】 ・自動車メーカやエンプラ企業での就業経験 ・ドイツ語 ・中国語 【同社製品の特徴】 ・コア技術である『ナノ単位での加工技術』、 『光学技術』が... |
| 勤務地 | 〒352-8562 埼玉県新座市野火止7-21-33東武東上線「志木」駅より車で７分 |
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| 年収 | 年収:450万～800万程度 月給制：月額375000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 旺盛な半導体需要に的確・迅速に対応するため、TOPPANから独立しIPOを目指す、半導体用フォトマスク新会社での業務です。 ヘッドマウントディスプレイ向け光学デバイスに使用されるナノインプリント用モールドの開発を主とした、... |
| 求める経験 | 【必須】 ・工学部、理学部の学科を専攻された方 ・新製品(ARグラスやナノインプリント向け)のモールド開発に関わりた い方 ・コミュニケーションを通じて共に成長を志向される方 【歓迎】 ・半導体、MEMS、電子部品のプロセスエン... |
| 勤務地 | 東京都板橋区蓮沼町75-1都営三田線「本蓮沼」駅より徒歩10分 |
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| 年収 | 年収:700万～1100万程度 月給制：月額450000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（7月、12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて、光学素子・要素技術開発をお任せします。 【職務詳細】 ■対象：光学素子・要素 ■範囲：技術トレンド調査～不良品分析 【具体的には】 ・技術トレンド調査 ・試作品の設計・開発 ・量産設計品の設計... |
| 求める経験 | ※必須および歓迎スキルが多岐にわたるため、すべてを保有していなくても問題ございません。あくまでこのようなイメージとしてお受けください 【必須】 ・薄膜（PVD）に関する知識（真空成膜装置の操作経験および基礎知識、薄膜の評価・分析技術） ... |
| 勤務地 | 〒352-8562 埼玉県新座市野火止7-21-33東武東上線「志木」駅より車で７分 |
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| 年収 | 年収:400万～700万程度 月給制：月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 旺盛な半導体需要に的確・迅速に対応するため、TOPPANから独立しIPOを目指す、半導体用フォトマスク新会社での業務です。ヘッドマウントディスプレイ向け光学デバイスに使用されるナノインプリント用モールドの開発を主とした、シリ... |
| 求める経験 | 【必須】 半導体、MEMS、電子部品の生産技術もしくはプロセスエンジニア経験。 【尚可】 ・新製品の開発に関わりたい方 ・生産技術・プロセスの知見を活かして顧客に提案していきたい方 |
| 勤務地 | 埼玉県 |
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| 年収 | 年収:600万～800万程度 月給制：月額400000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 5G／6Gの実現により活況を呈する光通信業界の中でも大規模データセンターの通信を支える光トランシーバーに同社製品が使用されています。売上の95%以上が海外のお客様です。光学エンジニアリーダーとして光通信用のレンズ製品の顧客と... |
| 求める経験 | 【必須】 ・メーカーでの光学関連製品の設計開発経験 ・英語（TOEIC550点程度） 【尚可】 ・リーダー経験 |
| 勤務地 | 山形県鶴岡市宝田1-11-73羽越本線「鶴岡」駅より徒歩7分 |
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| 年収 | 年収:450万～900万程度 月給制：月額220000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 ※※上記想定年収には30時間相当分の残業代を含む 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 CMOSイメージセンサーの製品化／量産フォローに関する解析業務をお任せします。具体的には、 ・イメージセンサーの解析や分析、評価業務を行うことで 製品歩留や品質向上 ・プロセス形状評価および歩留／品質改善に伴う断... |
| 求める経験 | 【必須】 ・転職を通じて技術力、スキルを高めていきたいとお考えの方 ・技術習得に対して、自己研鑽に自発的に取り組むことができる方 【尚可】 以下装置の使用経験、解析経験をお持ちの方 ・電子顕微鏡関連（SEM、TEM、FIB等）... |