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回折素子 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 愛知県、三重県米野木町南山500-1大安町門前 |
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| 年収 | 600-1250万円 ※上記年収は残業代及び諸手当込み ※経験を考慮して決定 ※採用時の職種や職能資格により、試用期間終了後に本人が希望し会社が認めた場合に「裁量労働制(専門業務型、企画業務型)」を適用する可能あり |
| 業務内容 | ■同社にてパワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計 ・単結晶製造設備制御技術開... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方 ・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 新潟県大川津字島畑1115番地 |
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| 年収 | 600-950万円 これまでの経験・能力を考慮の上、同社規程に基づき、担当職位の大きさに応じて決定 ※想定月収：27.3万円? |
| 業務内容 | ■照明器具に搭載するLEDモジュールをはじめとした光学デバイスの設計／商品開発の推進、また関連する技術開発を担当していただきます。 【具体的には】 ・照明器具に搭載するLEDモジュールなど光学デバイスの設計／開発推進 商品企画から求... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下全てをお持ちの方 ・LEDモジュールなどの光学デバイスの開発経験（2年以上） ・複数の軽微変更開発を同時推進した経験 【歓迎要件】 ・設計開発、評価業務の経験 ・商品化テーマの開発推進経験、商品化テーマにおける... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 千葉県美沢10-1 |
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| 年収 | 600-800万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | ■同社にてプロセスエンジニア業務をご担当いただきます。 【具体的には】 （1）FPD・半導体・電子向けスパッタリングターゲット材料の開発 （2）素子作製Processの開発 （3）機能性材料の成膜技術開発と成膜装置開発 （4）... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれも必須 ■薄膜成膜技術に関する知見を有している方 ■長期海外出張可能な方 |
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正社員
年間休日120日以上英語を使う仕事
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| 勤務地 | 東京都、北米木場1-5-1 |
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| 年収 | 800-1000万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | 同社にて海外大学（米国）との共同研究におけるナノ構造作成エンジニアとしてご従事いただきます。 ※北米への赴任前提のポジションとなります。 【具体的には】 大学との共同研究において、共研のオーガナイズ、ディスカッション、実験、解析 ... |
| 求める経験 | 【必須要件】下記いずれも必須 ・微細加工を利用して光デバイスを作製した経験 ・英語でのディスカッションやコミュニケーションに支障がないレベルの英語力（TOEIC目安：700以上） 【歓迎要件】 ・プログラミング、シミュレーション... |
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正社員
海外勤務有年間休日120日以上英語を使う仕事社宅・家賃補助制度資格取得支援制度
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| 勤務地 | 宮崎県、福岡県清武町木原727大字上北島883 |
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| 年収 | 600-850万円 ※固定残業手当は月、20時間0分該当分、57,000円（年収400万円の場合）～120,000円（年収750万円の場合）を支給。 |
| 業務内容 | 同社の半導体の前工程プロセスエンジニア担当として、以下の業務を担当いただきます。 【具体的には】 ・SiCパワー半導体の生産性改善や新規設備立上げ業務 ・欠陥率低減、均一性改善業務 【同社のパワー半導体について】 同社では、SiC... |
| 求める経験 | 【必須要件】 半導体前工程プロセスのご経験 【歓迎要件】 ・プラズマエッチングプロセス経験者、または薄膜プロセス経験者 ・SiCのエピタキシャルプロセスや成長装置に関するご経験 ・マネジメント経験 |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 東京都、栃木県、宮城県京橋1-6-1三井住友海上テプコビル9F下坪山1724桜木3-4-1 |
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| 年収 | 650-1500万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※就業時間は東京オフィス想定。各事業所毎に異なります。 |
| 業務内容 | ■フォトニクス／化合物デバイス設計エンジニアとして、下記業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・化合物半導体による高速受光器の開発 FDTDやBPMを用いた光導波路素子設計／評価解析、TCAD による高速受光器設計、電磁界シ... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下の全てを満たす方 ■下記のいずれかを有している方 ・半導体物性・波動光学の知見 ・半導体デバイス・光導波路の設計／評価経験 ・光導波路や半導体デバイスのシミュレーション経験 ・高周波回路の設計／測定経験 ■海外... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 栃木県高根沢4630 |
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| 年収 | 600-1000万円 |
| 業務内容 | ■次世代LiDAR開発に向けた以下いずれかの領域をご経験／スキル／志向に合わせてご担当いただきます。 【具体的には】 ■光学設計開発 ・レンズの設計シミュレーション ・回折格子の設計シミュレーション ■光半導体技術開発 ・光... |
| 求める経験 | 【必須要件】 下記いずれかのご経験をお持ちの方 ■光半導体 または 半導体の開発経験をお持ちの方 ■光学設計経験をお持ちの方 ■Python または C++でのデータ処理経験をお持ちの方 |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 千葉県八幡海岸通6番地 |
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| 年収 | 600-700万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | ■半導体微細加工技術で実現された光回路に光機能素子を実装するマイクロトランスファープリティング技術の開発やフリップチップボンディング技術の開発に従事していただきます。また、実装技術そのものだけでなく、実装するデバイスの開発にも携わっていただ... |
| 求める経験 | 【必須要件】※いずれかの経験 ・電子デバイスまたは光デバイスの開発チームのメンバーとしての業務経験 ・光部品の実装技術の開発経験 【歓迎要件】 ・光デバイスの設計と開発経験 ・光導波路の設計と評価経験 ・光デバイスに限らない... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 大阪府下穂積1丁目1番2号 |
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| 年収 | 600-900万円 ご経験、現在の処遇等から総合的に検討させて頂きます。 |
| 業務内容 | 【担当製品】 ■次世代光学素子 【職務内容】 ■次世代光学素子の賦形（素材を削らずに変形させて製品を成形する方法）関連設備の導入・立ち上げ 【入社後まずお任せしたい業務】 ■光学フィルムに関する設計・評価業務に携わっていた... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■賦形技術に関わる設計、開発業務の経験者 【歓迎要件】 ■賦形プロセスを用いた製品開発の経験、知識。賦形用樹脂、設備、評価の経験、知識 ■客先、他社（協力会社）、社内他部門との折衝業務の経験 ■日常会話レベル以上... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県、山形県曽屋400大宝寺字日本国271-6 |
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| 年収 | 600-750万円 |
| 業務内容 | レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価をご担当頂きます。 【具体的には】 新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発となります。 具体的には下記のいずれか... |
| 求める経験 | 【必須要件】 半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験を持ち、下記いずれかのご経験をお持ちお方 ・光学評価（PL、EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・光デバイスシミ... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
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