【群馬】SiCデバイス・プロセス開発リーダー ルネサスエレクトロニクス株式会社
| 企業名 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 年収 | 1100万円 〜 |
| 勤務地 |
群馬県
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| 職種 | 【群馬】SiCデバイス・プロセス開発リーダー |
| 業種 | 半導体・電子・電気機器業界の基礎・応用研究・技術開発（化学） |
| ポイント | 【群馬】SiCデバイス・プロセス開発リーダー |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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募集要項
| 仕事内容 |
◇SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント をお任せします。 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント ・関連企業との協業および交渉 ・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など 多部門との連携、交渉 ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。 ◇当社パワー半導体事業では、急成長するxEV市場向けのIGBTとPower MOSFETに注力し、旺盛な需要に対応するために生産能力を増強しています。 これらに加えて、より高性能なSiC MOSFETを早期に市場に投入する予定です。 当社が保有する世界トップクラスのデバイス・プロセス技術エンジニアとともに、競合他社に勝る次世代SiCデバイス開発をリードできる人材を募集します。 ◇ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な... |
|---|---|
| 求める人材 | 【必須】 ●パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 ２年以上 ●150nm、200mmウエハプロセス開発経験 ３年以上 【歓迎】 〇SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 〇海外との共同プロジェクト経験 〇パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 |
給与・待遇
| 給与 |
1100万円～1520万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、当社規定により優遇致します。 |
|---|---|
| 雇用・契約形態 | 正社員 |
| 募集ポジション | 【群馬】SiCデバイス・プロセス開発リーダー |
| 待遇・福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当 住宅手当 残業手当 財形貯蓄制度 持株会制度 企業年金制度 など |
勤務時間・休日
| 勤務時間 | 09:00～17:30 |
|---|---|
| 休日・休暇 | 完全週休2日制 慶弔休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇 出産予定・育児休職 |
その他
| 選考プロセス | 面接2回、Teamsによるオンライン面接 1-2回程度 |
|---|
企業情報
| 企業名 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月 |
| 従業員数 | 21204名 |
| 資本金 | 1532億900万円 |
| 売上高 | 1兆4697億円 |
| 事業内容 |
≪車載マイコン世界シェアトップ/世界有数の半導体メーカー/海外売上比率68 % /グローバルに活躍できます≫ 「自動車」「産業」「インフラ」「IoT」の4分野で事業を展開しており、特に車載向けマイコンは世界シェア3割でトップです。 当社は年間35億個以上のMCUを出荷しており、約50%が自動車向けで、自動車には約20個のルネサス製MCUが搭載されています。残り50%は、産業、IoT、インフラストラクチャなどの主要市場向けです。8ビット、16ビット、および32ビットデバイスで幅広いポートフォリオを持ち、16ビットおよび32ビットMCUのNo.1サプライヤです。ルネサスは、大部分の... |
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