MOSFET に該当する転職・求人一覧
該当件数：17件 1ページ目
| 勤務地 | 福岡県 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 ※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。 ※24年度新卒月額例：学部卒232000円／修士卒257000円／博士卒306500円 |
| 業務内容 | ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・ 半導体リレー）に関する、 ・ デバイス設計・ シミュレーション（TCAD） ・ 試作・ 性能評価・ 解析 ・ 量産立上業務... |
| 求める経験 | [必須要件※以下いずれかのご経験]※業界不問／製品不問 ・ デバイス設計 または、プロセス技術 または、生産技術 または、パッケージ技術 または、材料開発 または、品質保証 または、評価・ 解析 または、製品テスト [歓迎要件] □デ... |
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正社員
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| 勤務地 | 石川県 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 ※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。 ※24年度新卒月額例：学部卒232000円／修士卒257000円／博士卒306500円 |
| 業務内容 | デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6～8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・ 半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・ 評価分析 ・ プロ... |
| 求める経験 | [必須要件] ・ プロセスインテグレーションまたは半導体デバイス設計に関する知見、ご経験 [歓迎要件] □欠陥検査装置の経験者または知識 □TCAD（プロセスシミュレーション、デバイスシミュレーション）に関する知識 |
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正社員
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| 勤務地 | 石川県 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 ※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。 ※24年度新卒月額例：学部卒232000円／修士卒257000円／博士卒306500円 |
| 業務内容 | MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。 各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を... |
| 求める経験 | [必須要件※以下いずれかのご経験] ・ 半導体のユニットプロセス技術経験者 または、 ・ 半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見 または、 ・ 半導体に関連する研究を専攻されていた方 |
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正社員
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| 勤務地 | 石川県 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 ※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。 ※24年度新卒月額例：学部卒232000円／修士卒257000円／博士卒306500円 |
| 業務内容 | ディスクリート半導体（パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・ 半導体リレー）に関する、 ・ デバイス設計・ シミュレーション（TCAD） ・ 試作・ 性能評価・ 解析 ・ 量産立上業務... |
| 求める経験 | [必須要件※以下いずれかのご経験]※業界不問／製品不問 ・ デバイス設計 または、プロセス技術 または、パッケージ技術 または、材料開発 [歓迎要件] □ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験 □TCADシミュレーションに関する... |
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正社員
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| 勤務地 | 茨城県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※スキル、現職の年収等を考慮し、決定致します。 ※賞与は、業績によって支給。 |
| 業務内容 | 自動運転システムの電装設計・ テスト領域をご担当いただきます。 ・ 後付け自動運転ユニットのハードウェア開発 ・ 後付け自動運転ユニットのハードウェア系不具合の解析と対策 ・ プリント基板の回路設計（デジタル回路/アナログ回路）及び試... |
| 求める経験 | 【応募】※業界・ 製品不問※ ・ エレクトロニクス領域の実務経験（5年以上） ・ プリント基板の回路設計経験（車載製品、ロボット、家電製品など） 【歓迎】 ・ 電源回路及びMOSFET等によるランプ等の制御経験 ・ 音声映像回... |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 500万円～1200万円 年収例（時間外除く）：20代後半640万円／35歳850万円／40歳管理職1250万円 |
| 業務内容 | 【業務】電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価 【詳細】 パワーデバイス材料研究、デバイス開発 ・ SiCウェハガス成長法の研究開発 ・ SiCエ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験 【歓迎】 ・ 第一原理計算、T-CADシミュレーション経験 |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 590万円～1570万円 ※経験・能力等を考慮し、当社規定により決定。 ※勤務時間 8:00-17:00or8:30-17:30（豊田本社）、8:45-17:45（名古屋オフィス、東京本社）※部署によりフレックスタイム制あり |
| 業務内容 | 【概要】 私たちのチームは、新価値・ サービスに向けたアプリケーションソフトを実装可能にする車両電源分配ECU、半導体リレー＆ヒューズのハードウェア開発エンジニアを求めています 【詳細】 ・ 車載用半導体リレー＆ヒューズを適用した電源... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 半導体リレー＆ヒューズ、または電源分配BOX・ ECUの開発経験 または ・ 電子回路ハードウェア領域での要求仕様・ 要件定義・ 回路実装設計の記述経験 【歓迎】 ・ PD/MOSFET/ゲートドライブIC等各種半導... |
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正社員
フレックス勤務
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| 勤務地 | 長野県 |
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| 年収 | 400万円～1000万円 年収は経験・スキルを考慮の上、決定されます。 |
| 業務内容 | 高耐圧・ 大電流駆動を必要とするパワーASICのアナログ設計業務を担当いただきます。 弊社では高耐圧・ 大電流に対応するDMOS（Double-Diffused MOSFET）にアナログ回路と論理回路を混載したICを商品展開しています。... |
| 求める経験 | 【必須（MUST）】 一般的な電気回路の知識、半導体デバイスの知識 【歓迎（WANT）】 アナログIC設計経験 パワー回路の設計経験 |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 京都府 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 |
| 業務内容 | 同社新商品開発の量産に伴う新規検査技術開発をお任せ致します。 検査プログラム及び新規設備導入等の仕様打合せ、何の検査をどのような工程で進めるのか等のプロセス開発まで幅広くお任せ致します。 社内にはシステム、生技、画処理、プロセスに長... |
| 求める経験 | 【必須】※以下いずれかのご経験 半導体検査開発（テストエンジニア）に関する業務経験 半導体プロセスエンジニアに関する業務経験 半導体デバイスの評価エンジニアに関する業務経験 |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 500万円～1200万円 年収例（時間外除く）：20代後半640万円／35歳850万円／40歳管理職1250万円 |
| 業務内容 | 【業務】電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価 【詳細】 ・ パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計 ・ パワーデバイス及びプロセスシミュレ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験 （研究開発、量産経験は問いません） |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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