【神奈川】パワーデバイスデザインエンジニア 華為技術日本株式会社
| 職種 | 【神奈川】パワーデバイスデザインエンジニア |
|---|---|
| 社名 | 華為技術日本株式会社 |
| 業務内容 |
【職務詳細】 ・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET／SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。 ・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET／SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。 【ファーウェイ・ジャパンについて】 2005年に設立されたファーウェイ・ジャパン（華為技術日本株式会社）は、従業員持株制による民間企業です。現在、170カ国で事業を運営しており、ワールドワイドに事業展開しています。「製品」を作るメーカーとしてのイメージがあるかもしれませんが、注力しているのは、【R＆D】研究開発。従業員のうち、約４割ほどが研究職に従事しています。日本市場でも、78%以上の従業員を日本国内で採用し、日本国内のサプライヤーとの協業関係を積極的に構築しております。 現在は、本社、他企業、大学などの研究機関と協業しながら、新技術の開発を積極的に進めています。 【業務内容変更の範囲】 同社業務全般 |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体／電子／物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。 ・パワーデバイス(SiC MOSFET／SBD)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。 ・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。 |
| 勤務地 |
神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜
各線「横浜」駅から徒歩５分
勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所
|
| 年収 |
年収:800万～2000万程度 年俸制：月額666666円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回以上 昇給:業績に応じて年1回以上 |
| 勤務時間 | 9：00～18：00 |
| 休日・休暇 | 完全週休2日制（土・日）、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇、育児、介護休暇、慶弔休暇 |
| 募集背景 | 事業拡大のため |
| 福利厚生 |
通勤交通費全額支給、退職金制度、医療保険制度 喫煙情報：敷地内禁煙 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 人事面接（1次） →部門担当面接（2次） →社長面接（3次） →内定 |
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