フラッシュメモリ設計エンジニア ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
企業名 | ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 |
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年収 | 1100万円 〜 1700万円 |
勤務地 |
神奈川県
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職種 | フラッシュメモリ設計エンジニア |
業種 | 半導体・電子・電気機器業界のデジタル回路設計 |
ポイント | フラッシュメモリ設計エンジニア |
正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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募集要項
仕事内容 |
【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア/海外市場上場のグローバル企業/2000億円の売上/離職率3%/残業月20時間程度】 デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せいたします。 1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。 ◆同社の特徴・魅力: ◇安定した雇用…当社の事業戦略から安定した業績を重ねているため、半導体メーカーによく見られる人員削減を実施したことがございません。安心して働き続けられる環境が整っております。 ◇長期就業が可能な環境…中途入社の社員が多いこともあり、社内の風通しは良く、近年の離職率も3%と多くの社員が長期的に就業をしております。個人の裁量が大きいため、場所を選ばず効率的な働き方が可能で、残業月20時間程度が平均となっております。 ◇景気変動を受けにくい安定経営…半導体業界の中でも景気変動や開発競争が激しい、PCやスマホ向けメモリからは撤退をしており、オートモーティブ領域やアミューズメント機器、固定電話等、製品ライフサイクルが長い分野に製品を集中させております。これらの製品に使用されるメモリは同じもの... |
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求める人材 | 【必須】 (1)科学、工学、電気工学系専攻 (2)英語での基本的なコミュニケーションスキル (3)1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・I/O、論理回路、アナログ回路とメモリのレイアウト ・ワンチップとリード/ライトパスのシミュレーション ・Si.を使用しての評価 (4)英語力:ビジネスレベル |
給与・待遇
給与 |
600万円~1200万円 ※給与詳細は、経験・スキルを考慮の上決定致します。 ■昇給:年1回 ■賞与:年2回※業績賞与あり |
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雇用・契約形態 | 正社員 |
募集ポジション | フラッシュメモリ設計エンジニア |
待遇・福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当、リロクラブ加入/保養所・提携旅館・スポーツクラブ等、退職金制度:中小企業退職金共済組合に加入・前払い可能、昼食補助 |
勤務時間・休日
勤務時間 | 09:00~18:00 |
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休日・休暇 | 完全週休2日制(休日は土日祝日)、GW、夏季、年末年始休暇、年次有給休暇等 |
その他
選考プロセス | 面接2回、面接2回予定※英文レジュメ必須 ※英語でのTV電話会議を行う可能性がございます。 |
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企業情報
企業名 | ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2001年1月 |
従業員数 | 90名 |
資本金 | 1億4850万円 |
事業内容 | 【ウィンボンド・エレクトロニクスは、台湾台中に本社を置く、半導体メモリ・ソリューションの世界的リーディング・サプライヤです。】 ◆スペシャリティメモリの設計、製造、販売 ※NORフラッシュメモリ分野でトップクラスのシェアを有するWinbond Electronics社(台湾)の日本法人です。(1987年の9月に設立、1995年台湾株式取引市場に上場) 【主要製品】スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、コードストレージ・フラッシュメモリ 【売上高】2017年の事業収益は約12.5億USドルです。 【本社所在地】台湾 台中科学技術園区内 【オフィス】香港、中国、日本、イスラエ... |
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