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フラッシュメモリ設計エンジニア ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

掲載開始日:2024/05/23
更新日:2025/01/11
ジョブNo.230080
企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
年収 1100万円 〜 1700万円
勤務地
神奈川県
職種 フラッシュメモリ設計エンジニア
業種 半導体・電子・電気機器業界のデジタル回路設計
ポイント フラッシュメモリ設計エンジニア
正社員 年間休日120日以上フレックス勤務

募集要項

仕事内容 【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア/海外市場上場のグローバル企業/2000億円の売上/離職率3%/残業月20時間程度】
デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せいたします。
1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。

◆同社の特徴・魅力:
◇安定した雇用…当社の事業戦略から安定した業績を重ねているため、半導体メーカーによく見られる人員削減を実施したことがございません。安心して働き続けられる環境が整っております。
◇長期就業が可能な環境…中途入社の社員が多いこともあり、社内の風通しは良く、近年の離職率も3%と多くの社員が長期的に就業をしております。個人の裁量が大きいため、場所を選ばず効率的な働き方が可能で、残業月20時間程度が平均となっております。
◇景気変動を受けにくい安定経営…半導体業界の中でも景気変動や開発競争が激しい、PCやスマホ向けメモリからは撤退をしており、オートモーティブ領域やアミューズメント機器、固定電話等、製品ライフサイクルが長い分野に製品を集中させております。これらの製品に使用されるメモリは同じもの...
求める人材 【必須】
(1)科学、工学、電気工学系専攻
(2)英語での基本的なコミュニケーションスキル
(3)1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること
・I/O、論理回路、アナログ回路とメモリのレイアウト
・ワンチップとリード/ライトパスのシミュレーション
・Si.を使用しての評価
(4)英語力:ビジネスレベル

給与・待遇

給与 600万円~1200万円
※給与詳細は、経験・スキルを考慮の上決定致します。
■昇給:年1回
■賞与:年2回※業績賞与あり
雇用・契約形態 正社員
募集ポジション フラッシュメモリ設計エンジニア
待遇・福利厚生 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当、リロクラブ加入/保養所・提携旅館・スポーツクラブ等、退職金制度:中小企業退職金共済組合に加入・前払い可能、昼食補助

勤務時間・休日

勤務時間 09:00~18:00
休日・休暇 完全週休2日制(休日は土日祝日)、GW、夏季、年末年始休暇、年次有給休暇等

その他

選考プロセス 面接2回、面接2回予定※英文レジュメ必須
※英語でのTV電話会議を行う可能性がございます。

企業情報

企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
設立 2001年1月
従業員数 90名
資本金 1億4850万円
事業内容 【ウィンボンド・エレクトロニクスは、台湾台中に本社を置く、半導体メモリ・ソリューションの世界的リーディング・サプライヤです。】 ◆スペシャリティメモリの設計、製造、販売 ※NORフラッシュメモリ分野でトップクラスのシェアを有するWinbond Electronics社(台湾)の日本法人です。(1987年の9月に設立、1995年台湾株式取引市場に上場) 【主要製品】スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、コードストレージ・フラッシュメモリ 【売上高】2017年の事業収益は約12.5億USドルです。 【本社所在地】台湾 台中科学技術園区内 【オフィス】香港、中国、日本、イスラエ...

この求人情報は、「株式会社メイテックネクスト」が取り扱っています

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