【茨城】SiCパワーデバイス開発エンジニア ルネサスエレクトロニクス株式会社
| 職種 | 【茨城】SiCパワーデバイス開発エンジニア |
|---|---|
| 社名 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
| 業務内容 |
当社では、SiやSiCのパワーMOS、IGBTなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。 他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。 ▼パワーデバイス・プロセス開発 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築 ・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携 ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いてい... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体デバイス構造設計や付随するプロセス開発経験 （半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験） 【歓迎】 ・パワーデバイス（IGBT、パワーMOS(Si、SiC）、FRD)開発経験 ・TCADシミュレーションスキル ・TEGレイアウトスキル ・デバイス電気特性評価スキル ・海外との共同プロジェクト経験 ・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識 |
| 勤務地 |
茨城県
|
| 年収 |
670万円～830万円 前職でのご経験、能力を考慮の上、同社規定により優遇いたします。 |
| 勤務時間 | 09:00～17:30 |
| 休日・休暇 | 完全週休2日制 慶弔休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇 出産予定・育児休職 |
| 福利厚生 | 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険通勤手当 住宅手当 残業手当 財形貯蓄制度 持株会制度 企業年金制度 など |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 面接2回、Teamsによるオンライン面接またはFtoFでの面接1-2回程度 |
この求人情報は、「株式会社メイテックネクスト」が取り扱っています
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