トランジスタ に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 熊本県菊池郡菊陽町大字原水4000-1 豊肥本線「原水」駅より車で6分 勤務地変更の範囲：勤務地からの変更はなし |
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| 年収 | 年収:420万～900万程度 月給制：月額285700円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 イメージセンサー向け半導体要素デバイスの評価パターンレイアウト作成（CAD）と、その特性測定・評価をお任せします。 【職務詳細】 イメージセンサー製品に搭載される半導体素子（トランジスタ、抵抗、配線）を個別に測定・評... |
| 求める経験 | 【必須】 ■2D・3DCADのご経験 ■電気回路のレイアウト設計経験 ■TCADのご経験 【尚可】 ■半導体開発におけるDCまたはパルス電気信号を使った測定・評価経験 |
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正社員
転勤無し完全週休二日制年間休日120日以上U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 神奈川県川崎市中原区新丸子東三丁目1200番 KDX武蔵小杉ビル（※案件により客先常駐になる可能性あり） JR線・東急東横線「武蔵小杉」駅より徒歩1分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:450万～600万程度 月給制：月額277000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 大手半導体メーカ様向けLSI開発工程のテストパターン設計・検査業務 または、同社メンバーと大手半導体メーカ様にチーム体制で常駐頂き、LSI開発工程のテスト・検査業務をお任せ致します。 【職務詳細】 ■範囲：LSI開発... |
| 求める経験 | 【必須】 ・LSI（半導体）テストに特化したプログラム作成経験 または、LSIテスタでのLSI機能、特性評価をご経験されている方 ■身につけることができる技術スキル想定 ・LSI論理検証 ・Linuxを利用した開発環境 ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上育児支援制度ありU・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 神奈川県横浜市港北区 ※顧客先により異なる JR横浜線「新横浜」駅徒歩8分※顧客先により異なる 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:450万～600万程度 月給制：月額277000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 大手半導体メーカ様向けLSI開発工程のテストパターン設計・検査業務 または、同社メンバーと大手半導体メーカ様にチーム体制で常駐頂き、LSI開発工程のテスト・検査業務をお任せ致します。 【職務詳細】 ■範囲：LSI開発... |
| 求める経験 | 【必須】 ・LSI（半導体）テストに特化したプログラム作成経験 または、LSIテスタでのLSI機能、特性評価をご経験されている方 ■身につけることができる技術スキル想定 ・LSI論理検証 ・Linuxを利用した開発環境 ... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上育児支援制度ありU・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 東京都国分寺市※顧客先により異なる JR中央線「国分寺」駅徒歩15分※顧客先により異なる 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:450万～600万程度 月給制：月額277000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 大手半導体メーカ様向けLSI開発工程のテストパターン設計・検査業務 または、同社メンバーと大手半導体メーカ様にチーム体制で常駐頂き、LSI開発工程のテスト・検査業務をお任せ致します。 【職務詳細】 ■範囲：LSI開発... |
| 求める経験 | 【必須】 ・LSI（半導体）テストに特化したプログラム作成経験 または、LSIテスタでのLSI機能、特性評価をご経験されている方 ■身につけることができる技術スキル想定 ・半導体テスタのプログラム開発 ・Linuxを利用した... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上育児支援制度ありU・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 長崎県諌早市津久葉町1883-43 JR長崎本線「西諫早」駅より車で6分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:420万～900万程度 月給制：月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 イメージセンサー向け半導体要素デバイスの評価パターンレイアウト作成（CAD）と、その特性測定・評価をご担当いただきます。 【職務詳細】 イメージセンサー製品に搭載される半導体素子（トランジスタ、抵抗、配線）を 個別に... |
| 求める経験 | 【必須】 ■下記いずれかの経験がある方 ・2D CADのご経験 ・3D CADのご経験 ・電気回路のレイアウト設計経験 ・TCADのご経験 【尚可】 ・半導体開発におけるDCまたはパルス電気信号を使った測定・評価経験 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 大分県大分市大字松岡3500番地 JR豊肥本線「中判田」駅より車で12分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:420万～900万程度 月給制：月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 イメージセンサー向け半導体要素デバイスの評価パターンレイアウト作成（CAD）と、その特性測定・評価をご担当いただきます。 【職務詳細】 イメージセンサー製品に搭載される半導体素子（トランジスタ、抵抗、配線）を 個別に... |
| 求める経験 | 【必須】 ■下記いずれかの経験がある方 ・2D CADのご経験 ・3D CADのご経験 ・電気回路のレイアウト設計経験 ・TCADのご経験 【尚可】 ・半導体開発におけるDCまたはパルス電気信号を使った測定・評価経験 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 神奈川県鎌倉市上町屋730 富士塚ビル 湘南モノレール「湘南町屋」駅より徒歩7分 勤務地変更の範囲：勤務地からの変更はなし |
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| 年収 | 年収:450万～930万程度 月給制：月額268600円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社は三菱電機のパートナーとして研究開発の設計・解析・評価の専門会社です。今回のポジションでは、三菱電機(株) 情報技術総合研究所の業務に参画し、高周波増幅デバイス等の評価業務をお任せします。 【職務詳細】 ■トラン... |
| 求める経験 | 【必須】 ・高周波分野（例：エスパラメーター）を用いる評価や設計の経験（1年以上） 【補足情報】 ■社内教育システムも充実しており、初級～上級までS／W教育プログラムが整備されています。本人の希望も聞きながら計画的なエンジニア育成... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | プロジェクトにより異なるプロジェクトにより異なる |
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| 年収 | 年収:400万～700万程度 月給制：月額200000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（7月、12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 自動車・家電・半導体製造装置などの回路設計業務へ従事いただきます。 大手上場企業及び、準ずる企業内での業務となります。 【職務詳細】 ＜案件例＞ ◎ヘッドフォン・ワイヤレスイヤフォンの電子回路設計及び評価 ◎C... |
| 求める経験 | 【必須】 下記いずれかに該当する方 ・電子回路設計のご経験1年以上 ・ハードウェア開発設計のご経験1年以上 【尚可】 ・全国転勤可能な方 ★同社の魅力★ 大手メーカーを中心に、約300社と取引があります。 自動車、半... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上交通費全額支給社宅・家賃補助制度資格取得支援制度U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 福島県※プロジェクト先により異なる※プロジェクト先により異なる |
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| 年収 | 年収:450万～850万程度 月給制：月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（7月、12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 自動車・家電・半導体製造装置などの回路設計業務へ従事いただきます。 大手上場企業及び、準ずる企業内での業務となります。 【職務詳細】 ＜案件例＞ ◎ヘッドフォン・ワイヤレスイヤフォンの電子回路設計及び評価 ◎C... |
| 求める経験 | 【必須】 下記いずれかに該当する方 ・電子回路設計のご経験1年以上 ・ハードウェア開発設計のご経験1年以上 【尚可】 ・全国転勤可能な方 ★同社の魅力★ 大手メーカーを中心に、約300社と取引があります。 自動車、半... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上育児支援制度あり社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | 富山県 |
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| 年収 | 600-1000万円 ※これまでの経験・能力を考慮の上、同社規程に基づき、担当職位の大きさに応じて決定 |
| 業務内容 | ■同社にて、パワー半導体＜GaN＞におけるプロセス開発の下記業務を担当していただきます。 【具体的には】 ■パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発 ・安... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■パワー半導体製品のプロセス開発業務経験 |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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