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【千葉】エピタキシャル薄膜成長(SiC半導体) 華為技術日本株式会社

掲載開始日:2024/04/25
更新日:2024/05/08
ジョブNo.404567455
職種 【千葉】エピタキシャル薄膜成長(SiC半導体)
社名 華為技術日本株式会社
業務内容 【職務概要】
SiC半導体のエピタキシャル薄膜の成長業務をお任せします。

【職務詳細】
■製品:SiC半導体
■範囲:
・エピタキシャル薄膜の成長
・評価(結晶度・欠陥)
・仕様決定
・エピタキシャルウエハー量産化に向けた外部機関との業務連携

【ファーウェイ・ジャパンについて】
2005年に設立されたファーウェイ・ジャパン(華為技術日本株式会社)は、従業員持株制による民間企業です。現在、170カ国で事業を運営しており、ワールドワイドに事業展開しています。「製品」を作るメーカーとしてのイメージがあるかもしれませんが、注力しているのは、【R&D】研究開発。従業員のうち、約4割が研究職に従事しています。日本市場でも、78%以上の従業員を日本国内で採用し、日本国内のサプライヤーとの協業関係を積極的に構築しております。
現在は、本社、他企業、大学などの研究機関と協業しながら、新技術の開発を積極的に進めています。
求める経験 【必須】以下、いずれかのご経験をお持ちの方(5年以上のご経験)
・PVT、CVD、MBE、LPEの何れかの方法でエピタキシャル薄膜成長の開発と量産経験をお待ちの方
・2.6インチ以上の大口径エピウエハーの開発と量産経験をお持ちの方.
・エピウエハーの評価方法を熟知している方

【尚可】
・結晶成長基礎理論を熟知している方
・XRDやラーマンなどの結晶評価法を熟知している方
・結晶成長装置に関して基礎的な知識を持っている方
勤務地
千葉県船橋市鈴身町488-19 各線「北習志野」駅より車で20分
年収 年収:800万~2000万程度
年俸制:月額660000円
給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇
賞与:年1回以上
昇給:業績に応じて年1回以上
勤務時間 9:00~18:00
休日・休暇 完全週休2日制(土・日)、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇、育児、介護休暇、慶弔休暇
募集背景 事業拡大のため
福利厚生 通勤交通費全額支給、退職金制度、医療保険制度
喫煙情報:敷地内禁煙
雇用形態 正社員 契約期間:無期 試用期間:有(3ヶ月)
選考プロセス 人事面接(1次) →部門担当面接(2次) →社長面接(3次) →内定

この求人情報は、「株式会社ワークポート」が取り扱っています

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