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薄膜形成 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 山形県 鶴岡市大宝寺字日本国271-6 山形製作所 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 ■賞与：年2回（7月、12月）、年度毎の労使決定額に基づき支給 【その他】 入社に際して転居が必要な場合、当社規定により転居にかかる費用を負担いたします。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があ... |
| 業務内容 | 「【山形/鶴岡市】プロセス技術開発（MEMSデバイス関連）」のポジションの求人です ■募集背景：当社では、世にまだない新しいMEMSデバイスを創出し、社会に貢献することを目指しています。 今回募集するMEMSプロセス技術者は、その中でも... |
| 求める経験 | ■必須要件：下記一つでも当てはまる方 1.MEMSデバイスまたは半導体デバイスのプロセス開発業務経験 2.MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験 3.圧電PZT膜の開発業務経験 【歓迎スキル】 ・CADを用いたフォ... |
| 勤務地 | 静岡県 裾野市須山1220-1 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 賞与：年2回（3月、9月）、賞与実績：5.75ヶ月（年2回） 【年収モデル】全社平均年収：731万円 27歳／490万円（月給27万円＋賞与+残業代） 30歳／550万円（月給31万円＋賞与+残業代）... |
| 業務内容 | 「【静岡/裾野市】研究開発（高周波回路技術者）」のポジションの求人です ■業務内容：研究開発（高周波回路技術者）として、下記業務をお任せします。 【具体的には】 ・半導体製造装置（スパッタリング）開発における、数MHz～マイクロ波の高... |
| 求める経験 | ■必須条件： ・真空装置を用いた薄膜形成、もしくは加工技術に伴う高周波（RF）、電気回路に関する基礎知識 （スミスチャートが見られる） |
| 勤務地 | 神奈川県 茅ヶ崎市萩園2500 |
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| 年収 | 年収 600 ～ 850 万円 賞与：年2回（3月、9月）、賞与実績：5.75ヶ月（年2回） 【年収モデル】全社平均年収：731万円 27歳／490万円（月給27万円＋賞与+残業代） 30歳／550万円（月給31万円＋賞与+残業代）... |
| 業務内容 | 「【神奈川/茅ヶ崎市】研究開発（FPD/設計開発）」のポジションの求人です ■FPDにおける設計職として、当社研究所において各種真空装置の開発設計をご担当いただきます。 【具体的には】 ・大型成膜装置における開発課題を機械工学的な知見... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■大型装置の機械設計経験 ■３DCADを使用した設計経験 【歓迎要件】 ▼薄膜成膜の基礎知識 ▼安全規格、SEMIなどの知見 |
| 勤務地 | 千葉県 富里市美沢10-2 |
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| 年収 | 年収 500 ～ 800 万円 賞与：年2回（3月、9月）、賞与実績：5.75ヶ月（年2回） 【年収モデル】全社平均年収：731万円 27歳／490万円（月給27万円＋賞与+残業代） 30歳／550万円（月給31万円＋賞与+残業代）... |
| 業務内容 | 「【千葉/富里市】プロセスエンジニア（材料開発・装置開発）」のポジションの求人です 【具体的な担当業務】 ・FPD、半導体、電子向けスパッタリングターゲット材料の開発 ・素子作製Processの開発 ・機能性材料の成膜技術開発と成膜... |
| 求める経験 | ■必須条件： ・薄膜成膜技術に関する知見を有している方 ・高専卒以上 ・長期海外出張可能な方 |
| 勤務地 | 千葉県 富里市美沢10-2 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 850 万円 賞与：年2回（3月、9月）、賞与実績：5.75ヶ月（年2回） 【年収モデル】全社平均年収：731万円 27歳／490万円（月給27万円＋賞与+残業代） 30歳／550万円（月給31万円＋賞与+残業代）... |
| 業務内容 | 「【千葉/富里市】CVD装置開発およびプロセス開発」のポジションの求人です 【具体的な担当業務】 （１）電子分野向けCVD装置開発、およびプロセス開発 （２）上記CVD膜の分析・評価 （３）デバイスメーカー・関係Supplierとの... |
| 求める経験 | ■必須条件： ・CVD法の原理及び装置の構成要素が分かる方 ・CVD法による薄膜形成技術の知識がある方 ・高専卒以上 |
| 勤務地 | 神奈川県 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 |
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| 年収 | 年収 450 ～ 800 万円 賞与：年2回（3月、9月）、賞与実績：5.75ヶ月（年2回） 【年収モデル】全社平均年収：731万円 27歳／490万円（月給27万円＋賞与+残業代） 30歳／550万円（月給31万円＋賞与+残業代）... |
| 業務内容 | 「【神奈川/茅ヶ崎市】電子デバイス向けPVD成膜装置開発」のポジションの求人です ■担当業務：電子デバイス向けPVD成膜装置開発をご担当いただきます。 ■詳細： （１）電子Device用Sputtering装置及び成膜技術の開発 （... |
| 求める経験 | ■必須条件： ・真空装置の構成要素が分かる方 ・真空装置による薄膜形成技術の知識がある方 ・高専卒以上 |
| 勤務地 | 大阪府 茨木市下穂積1丁目1番2号 |
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| 年収 | 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「研究開発（超微細フレキシブル回路基板/大阪・茨木）」のポジションの求人です 【担当業務】 ■担当製品：超微細フレキシブル回路基板 ■職務内容 セミアディティブプロセスをベースとした微細配線形成プロセスの要素技術開発をお任せします。... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■以下のいずれかの経験を有する技術者 ・フォトリソグラフィ、セミアディティブプロセス、電解めっきプロセスの経験 ・フォトレジスト、感光性絶縁材料に関わる技術開発の経験 ・フレキシブル回路基板、半導体パッケージ基板の開発... |
| 勤務地 | 兵庫県 尼崎市扶桑町1-10 |
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| 年収 | 年収 650 ～ 800 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「MEMSプロセスエンジニア【尼崎】※弊社経由入社実績あり※」のポジションの求人です ■MEMSプロセス設計/開発、および、生産技術 ■主にフォトリソグラフィー、ドライエッチング、成膜工程を担当いただきます。 ■発足してから比較的新し... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■MEMSプロセス設計 or半導体プロセス設計の経験 ■特にレジスト、アライナ、ステッパー等のフォトリソグラフイーの実務経験、 またはスパッタや CVDによる薄膜成膜、RIEによるドライエッチングのいずれかの実務経験 ... |
| 勤務地 | 福岡県 筑後市大字上北島883 ロームアポロ（筑後工場駐在） |
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| 年収 | 年収 460 ～ 1040 万円 ■賞与：年2回（6月・12月） ■経験/年齢/能力等を考慮の上、同社規定により決定します。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「【福岡】半導体前工程プロセスエンジニア」のポジションの求人です 【業務内容】 ■半導体前工程のプロセス開発 ・SiCパワー半導体の生産性改善業務 ・新規設備立上げ業務 ・欠陥率低減、均一性改善業務 【募集背景】 ■SiC... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体前工程のプロセス開発経験 【歓迎要件】 ■プラズマエッチングプロセス経験者、または薄膜プロセス経験者 ■SiCのエピタキシャルプロセスや成長装置に関するご経験 ■マネジメント経験 【求める人物像】 ... |
| 勤務地 | 滋賀県 野洲市大篠原2288番地 |
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| 年収 | 年収 500 ～ 900 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります |
| 業務内容 | 「スマートフォン市場向け半導体製品の製造技術【野洲】」のポジションの求人です 【携わる商品】 スマートフォン市場向けRFスイッチIC、LNA IC、PA ICなど 【職務内容】 ≪概要≫ スマートフォン市場向け通信用半導体製品... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■下記いずれかにあてはまる方 L CVD、スパッタや蒸着による薄膜成膜、フォトリソ・エッチングなどの薄膜微細加工プロセスの開発経験や製造に関する知見をお持ちの方 L Si系半導体プロセスの開発経験や製造に関する知見をお持... |