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powered by   2025/02/18 更新
  • サイト掲載求人数:1,290

薄膜形成 に該当する転職・求人一覧

勤務地 大阪府 高槻市赤大路町14‐8
年収 年収 470 ~ 810 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「【大阪】フィールドエンジニア(半導体関連装置担当)」のポジションの求人です 【職務内容】 X線分析装置における世界三大メーカである当社にて、半導体関連装置に関する下記のような業務をお任せします。 薄膜デバイス事業として更なる成長をし...
求める経験 【必須要件】 ※出張が業務の60~70%発生します。 ※入社3か月~半年間ほど山梨での研修がございます。 ■機械・電気などの何らかエンジニアとしての経験をお持ちの方 ■英語に対しての抵抗のない方(英語マニュアル読解・英語での資料...
正社員 完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上
勤務地 愛知県 名古屋市東区代官町35-16
年収 年収 470 ~ 810 万円 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「【名古屋】フィールドエンジニア(半導体関連装置担当)」のポジションの求人です 【職務内容】 X線分析装置における世界三大メーカである当社にて、半導体関連装置に関する下記のような業務をお任せします。 薄膜デバイス事業として更なる成長を...
求める経験 【必須要件】 ※出張が業務の60~70%発生します。 ※入社3か月~半年間ほど山梨での研修がございます。 ■機械・電気などの何らかエンジニアとしての経験をお持ちの方 ■英語に対しての抵抗のない方(英語マニュアル読解・英語での資料...
正社員 完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上

【山形/鶴岡】圧電PZT膜の開発業務

スタンレー電気株式会社 閲覧済み
勤務地 山形県 鶴岡市大宝寺字日本国271-6
年収 年収 450 ~ 800 万円 ■賞与:年2回(7月、12月)、年度毎の労使決定額に基づき支給 ※年収例(賞与/各種手当/時間外手当含む) (1)20代:450万円~600万円 (2)30代:500万円~750万円 (3)40代:...
業務内容 「【山形/鶴岡】圧電PZT膜の開発業務」のポジションの求人です 【担当する業務(概要)】 .圧電PZT膜の開発業務 【担当する業務(詳細)】 圧電PZT膜をメインに、MEMSデバイスのプロセス・開発業務を担当していただきます。各...
求める経験 【必須要件】以下1つ以上当てはまる方 1.圧電PZT膜の開発業務経験 2.薄膜の成膜開発の業務経験 3.MEMSデバイスまたは半導体デバイスのプロセス開発業務経験 【歓迎条件】 ・CADを用いたフォトマスク設計や、機械設計の経...
正社員 完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
勤務地 千葉県 富里市美沢10-2
年収 年収 500 ~ 800 万円 賞与:年2回(3月、9月)、賞与実績:5.75ヶ月(年2回) 【年収モデル】全社平均年収:731万円 27歳/490万円(月給27万円+賞与+残業代) 30歳/550万円(月給31万円+賞与+残業代)...
業務内容 「【千葉/富里市】プロセスエンジニア(材料開発・装置開発)」のポジションの求人です 【具体的な担当業務】 ・FPD、半導体、電子向けスパッタリングターゲット材料の開発 ・素子作製Processの開発 ・機能性材料の成膜技術開発と成膜...
求める経験 ■必須条件: ・薄膜成膜技術に関する知見を有している方 ・高専卒以上 ・長期海外出張可能な方
正社員 完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上社宅・家賃補助制度
勤務地 山形県 鶴岡市大宝寺字日本国271-6 山形製作所
年収 年収 450 ~ 800 万円 ■賞与:年2回(7月、12月)、年度毎の労使決定額に基づき支給 【その他】  入社に際して転居が必要な場合、当社規定により転居にかかる費用を負担いたします。 なお、経験・スキルに応じて変動の可能性があ...
業務内容 「【山形/鶴岡市】プロセス技術開発(MEMSデバイス関連)」のポジションの求人です ■募集背景:当社では、世にまだない新しいMEMSデバイスを創出し、社会に貢献することを目指しています。 今回募集するMEMSプロセス技術者は、その中でも...
求める経験 ■必須要件:下記一つでも当てはまる方 1.MEMSデバイスまたは半導体デバイスのプロセス開発業務経験 2.MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験 3.圧電PZT膜の開発業務経験 【歓迎スキル】 ・CADを用いたフォ...
正社員 完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
勤務地 大阪府 茨木市下穂積1丁目1番2号
年収 経験・スキルに応じて変動の可能性があります
業務内容 「研究開発(超微細フレキシブル回路基板/大阪・茨木)」のポジションの求人です 【担当業務】 ■担当製品:超微細フレキシブル回路基板 ■職務内容 セミアディティブプロセスをベースとした微細配線形成プロセスの要素技術開発をお任せします。...
求める経験 【必須要件】 ■以下のいずれかの経験を有する技術者 ・フォトリソグラフィ、セミアディティブプロセス、電解めっきプロセスの経験 ・フォトレジスト、感光性絶縁材料に関わる技術開発の経験 ・フレキシブル回路基板、半導体パッケージ基板の開発...
正社員 完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務

薄膜部品開発マネジメント(試作管理)

株式会社MARUWA 閲覧済み
勤務地 岐阜県 土岐市鶴里町柿野広畑2322-3 土岐工場
年収 年収 650 ~ 1000 万円 ※経験、スキル、前職の年収を考慮の上、決定します。 ※給与は前職収入、業務経験等考慮の上決定します。 【賞与:年2回(6月・12月)】 *通常の時間外手当支給(ただし残業は原則なし) *管理監督職...
業務内容 「薄膜部品開発マネジメント(試作管理)」のポジションの求人です 【職務内容】 セラミック薄膜部品の開発、開発マネジメント業務 ・サンプル作製管理 ・工法の確立 ・ユーザーとの折衝 ・関連部署との調整 ・量産への展開 担当...
求める経験 【必須要件】 ■電子部品等の開発経験があり、薄膜プロセスの経験がある方 【歓迎】 ■薄膜プロセス(成膜/パターニング/エッチング)が理解できている方 ■セラミック材料の知識がある方 ■HTCC/LTCCのような積層構造の開発経...
正社員 完全週休二日制平均残業月30時間以内年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務

製造技術開発<SiC基板・単結晶成長>

東証プライム、半導体材料に強みをもつ機能性化学メーカー 閲覧済み
勤務地 千葉県八幡海岸通5-1
年収 600-900万円
業務内容 ■SiC単結晶基板の「単結晶成長工程」に関わる製造技術開発の担当者として、以下業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・SiC結晶成長技術開発:結晶成長の設計、成長条件の検討、新規導入設備の立ち上げ ・原材料の検討:部材の設計...
求める経験 <必須要件> 下記いずれかの経験をお持ちの方 ・結晶成長もしくは半導体に関するプロセス設計・開発や技術開発の経験 ・半導体ドライプロセス経験をお持ちの方 L結晶成長工程では、SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成し...
正社員 年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
勤務地 大阪府下穂積1丁目1番2号
年収 600-1000万円 経験、現在の処遇等から総合的に検討します。
業務内容 【担当製品】 ■超微細フレキシブル回路基板 【職務内容】 ■セミアディティブプロセスをベースとした微細配線形成プロセスの要素技術開発 【入社後まずお任せしたい業務】 ■世の中にない新規フレキシブル回路基板の開発に向けて、微...
求める経験 【必須要件】※以下のいずれかを満たす方 ■フォトリソグラフィ、セミアディティブプロセス、電解めっきプロセスの経験 ■フォトレジスト、感光性絶縁材料に関わる技術開発の経験 ■フレキシブル回路基板、半導体パッケージ基板の開発、製造技術開発...
正社員 完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
勤務地 神奈川県南渡田町1番12号 Think研究C棟6階
年収 600-800万円
業務内容 ■無機系素材の品質向上業務を担当していただきます。 【具体的には】 ■発熱素子の性能確認実験 ■実験装置の試作・設計 ■実験計画・実験の実施・解析評価 ■薄膜状ナノ金属の製作と材料分析/材料の品質評価
求める経験 【必須要件】※下記全ての要件を満たす方 ■化学系のバックグラウンドをお持ちで無機材料に関する知見をお持ちの方。 ■スパッタ装置または真空装置の使用経験をお持ちの方 【歓迎条件】 ■半導体、液晶等の薄膜を扱っていた経験 ■研究開...
正社員 完全週休二日制年間休日120日以上