- サイト掲載求人数：695件
プラズマCVD に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 東京都中央区日本橋浜町2丁目28番1号／東京都江東区常盤2丁目14番18号 都営新宿線「浜町」駅（A2）より徒歩5分 都営大江戸線「清澄白河」駅（A1出口）より徒歩3分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
|---|---|
| 年収 | 年収:550万～900万程度 月給制：月額300000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 主に、ダイヤモンド合成装置の開発や、ダイヤモンドの合成プロセスの開発を担っていただきます。 【職務詳細】 ■製品：ダイヤモンド合成用CVD装置 ■範囲：装置の開発～合成プロセス 【具体的には】 装置開発業務... |
| 求める経験 | 【必須】 ■メーカー、研究機関、大学、大学院等でタイヤモンドのCVD合成の経験／ダイヤモンドの合成、応用について専門知識 ■真空機器・装置についての基礎知識／電磁気（マイクロ波）、流体、熱伝導等基礎物理知識 ■英語の読み書きに抵... |
| 勤務地 | 山形県鶴岡市大宝寺字日本国271-6 JR羽越本線「鶴岡」駅より車で6分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
|---|---|
| 年収 | 年収:500万～750万程度 月給制：月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:業績による 昇給:年1回（成果による） |
| 業務内容 | 【担当する業務（概要）】 レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価を担当頂きます。 【担当する業務（詳細）】 新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発とな... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験 ・実務経験2年以上 以下いずれか必須 ・光学評価（PL,EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・光デバイスシミ... |
| 勤務地 | 熊本県菊池郡菊陽町原水4000-1 JR豊肥本線「原水」駅より車で6分 勤務地変更の範囲：勤務地からの変更はなし |
|---|---|
| 年収 | 年収:400万～800万程度 月給制：月額220000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社の半導体工場にて生産設備の開発や導入などをお任せします。 ■製品：半導体ウェーハ ■範囲：設備の開発～導入 ■働き方：土日休み 【職務詳細】 具体的には以下業務などをお任せします。 ・半導体ウェーハ工... |
| 求める経験 | 【必須】 ・機械や電気の知識を基にした設備保全や修理の経験 ・メーカーでの生産設備改善・開発、立上げ・保守の経験 ・フィールドサポートや生産プロセス技術全般の経験 【尚可】 ・半導体ウェーハ生産設備の改善／開発の経験 ・ウェ... |
| 勤務地 | 三重県四日市市安島２－１０－１６ ミッドビルディング四日市 近鉄名古屋線「近鉄四日市」駅より徒歩6分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
|---|---|
| 年収 | 年収:800万～1000万程度 月給制：月額600000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:有 昇給:有 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社のエンジニアとして下記業務をご担当いただきます。 【職務詳細】 ・顧客（半導体工場）の生産性と品質の向上 解決策を見つけ、データ収集と適切な分析を実行します。 ・既存の半導体製造に従事し、品質管理 ・カスタ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体業界でのカスタマーエンジニア、プロセスエンジニア、生産エンジニアの経験 ・半導体業界での6年以上の経験 ・英語力（目安TOEIC：650点以上） |
| 勤務地 | 大分県大分市大字松岡3500番地 豊肥本線「中判田」駅より車で11分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
|---|---|
| 年収 | 年収:420万～900万程度 月給制：月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 ※※上記想定年収には30時間相当分の残業代を含む 賞与:年2回（6月、12月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 CMOSイメージセンサーのウェーハプロセス設計をお任せします。 【職務詳細】 Litho、DRY、CMP、CVD、PVD、WET、IonImpla工程などにおける下記のような業務をお任せします。 ・安定性やコスト／... |
| 求める経験 | 【必須】以下いずれかのご経験に該当する方 ・材料に関する知見をお持ちの方 ・生産技術もしくはプロセス開発経験をお持ちの方 【尚可】下記いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体デバイス／装置メーカーでの半導体プロセス開発の経験 ・... |
| 勤務地 | 兵庫県伊丹市瑞原4-1 伊丹市営バス「瑞ヶ池」バス停より徒歩3分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
|---|---|
| 年収 | 年収:400万～650万程度 月給制：月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月・12月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 高周波デバイスや光デバイス、赤外線センサーデバイス向け、ウエハプロセスエンジニアです。 超高速・超低遅延・多数同時接続を特長とする5G向けや、動画配信やクラウドサービス向け光通信用向けデバイスウエハを担当いただきます。 ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体装置（露光機やCVD装置）の取り扱い経験 ・生産／製造技術経験 ・プロセスQCデータを統計分析し、品質改善活動を行った経験 ・人と交渉するコミュニケーション力、責任感、協調性があり、チームワークで仕事ができる人。 ... |
| 勤務地 | 兵庫県三木市吉川町上荒川748-7 JR「相野」駅より車で8分 ※新三田駅よりバス通勤も可能 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
|---|---|
| 年収 | 年収:500万～800万程度 月給制：月額357000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（過去実績4.6ヶ月分） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 ガスセンサ用MEMSデバイスの製造・設計、製造装置の保守業務をお任せします。 【職務詳細】 工業用定置式ガス検知警報器。 工場やプラント、産業用施設に設置され、可燃性ガス、毒性ガス、酸素濃度等を検知し爆発・酸欠・中... |
| 求める経験 | 【必須】 特に1と2は必須 1.MEMSデバイス製造工程（成膜・フォトリソグラフィ・基板加工等）に関する試作・製造経験 2.MEMS製造装置（CVD・スパッタ・エッチング等）の使用経験 3.MEMSデバイスの構造考案およびCAD設計... |
| 勤務地 | 〒739-0006 広島県東広島市西条上市町5－5 JR山陽本線「西条」駅から徒歩10分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
|---|---|
| 年収 | 年収:800万～1100万程度 月給制：月額600000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:有 昇給:有 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社のエンジニアとして下記業務をご担当いただきます。 【職務詳細】 ・顧客（半導体工場）の生産性と品質の向上 解決策を見つけ、データ収集と適切な分析を実行します。 ・既存の半導体製造に従事し、品質管理 ・カスタ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体業界でのカスタマーエンジニア、プロセスエンジニア、生産エンジニアの経験 ・半導体業界での6年以上の経験 ・英語力（目安TOEIC：650点以上） |
| 勤務地 | 神奈川県 |
|---|---|
| 年収 | 年収:500万～750万程度 月給制：月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:業績による 昇給:年1回（成果による） |
| 業務内容 | 【職務概要】 深紫外LED用素子の開発を担当していただきます。 【職務詳細】 開発業務は、素子構造設計、MOCVD結晶成長、素子化加工工程のいずれかもしくは全てとなります。 取り組む項目は、光出力の向上、長寿命化、効率アップ、低... |
| 求める経験 | 【必須】 下記のいずれかの知識や経験が一つ以上ある方 ・半導体素子の設計 ・半導体結晶成長 ・半導体プロセス ・半導体の評価 例えば、光学評価（PL、EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS... |
| 勤務地 | 神奈川県秦野市曽屋400 小田急小田原線「渋沢」駅より車で10分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
|---|---|
| 年収 | 年収:450万～800万程度 月給制：月額230000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:業績による 昇給:年1回（成果により） |
| 業務内容 | 【職務概要】 レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価を担当頂きます。 【職務詳細】 新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発となります。 具体的には下... |
| 求める経験 | 【必須】 ・半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験 ・実務経験2年以上 以下いずれか必須 ・光学評価（PL,EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・光デバイスシミ... |