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蒸着 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 岩手県北工業団地6-6 |
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| 年収 | 600-1000万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※新卒初任給： 学部卒 470万円 、修士了 500万円 、博士了 570万円 |
| 業務内容 | 最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、装置改善業務、要素開発業務をご担当頂きます。 【次のいずれかの工程を担当】 ・ドライエッチング、・ウェットエッチング（洗浄）、CMP（平坦化）、PE-CVD、LP-CVD、M... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■理系バックグラウンドをお持ちの方 例）電気・電子系、化学・物質工学系、物理・応用物理系、数学、機械、情報 【歓迎要件】 ■半導体物性、半導体デバイス、統計解析、データ解析（Spotfire、JMP、R、SONA... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上第二新卒歓迎
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| 勤務地 | 兵庫県扶桑町1番10号 |
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| 年収 | 800-1200万円 夏と冬にそれぞれボーナス3ヶ月分支給。 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | ■プラズマエッチング装置および成膜装置のプロセス開発・装置開発を担当して頂きます。 ■チームリーダーとしてのマネジメント業務 【具体的には】 ・客先要求を満たすためのデモプロセス実施（エッチングおよび成膜に関する知識に加え、エッチング... |
| 求める経験 | 【必須要件】以下の全ての条件に当てはまる方 ■半導体製造装置メーカーやデバイスメーカーでエッチング工程の実務経験のある方 ■物理化学系の基礎知識をお持ちの方 ■マネジメントの経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ■Si、化合物半導体... |
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正社員
転勤無し完全週休二日制年間休日120日以上
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| 勤務地 | 秋田県飯島字砂田1 |
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| 年収 | 600-1000万円 月額（基本給）：298,650円～ |
| 業務内容 | ■化合物半導体のプロセスエンジニア業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ※下記業務を候補者のご経験やスキルに応じてご担当いただきます。 ・LEDチップをパッケージに実装したLEDランプの開発 ・LEDの原材料となる基盤上に... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記全ての要件を満たす方 ■製造業における生産技術、製造技術、プロセスエンジニア、工程改善いずれかのご経験をお持ちの方 ■機械、電気、物理、化学いずれかのバックグラウンドをお持ちの方 【歓迎要件】 ■半導体に関わる... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 秋田県飯島字砂田1 |
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| 年収 | 600-1000万円 月額（基本給）：298,650円～ |
| 業務内容 | ■MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs InP AlN GaN関連材料）の結晶成長業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・GaAs系 InP径赤外LED・PDの結晶成長に関する業務 ・高効率化に向けたMOCVDを用... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体や電子材料に関するプロセスエンジニアまたはプロセス開発経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ■化合物半導体に関する知見をお持ちの方 ■MOCVDを用いた結晶成長技術の知見をお持ちの方 |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県、山形県曽屋400大宝寺字日本国271-6 |
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| 年収 | 600-750万円 |
| 業務内容 | レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価をご担当頂きます。 【具体的には】 新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発となります。 具体的には下記のいずれか... |
| 求める経験 | 【必須要件】 半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験を持ち、下記いずれかのご経験をお持ちお方 ・光学評価（PL、EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・光デバイスシミ... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 山形県字日本国271-6 |
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| 年収 | 600-800万円 ■基本給：23万円～38万円／月 ※年収例：450万円～800万円（賞与／各種手当／時間外手当含む） |
| 業務内容 | ■MOCVD装置を用いた深紫外LEDの結晶成長に関する業務を担当していただきます。 |
| 求める経験 | 【必須要件】 物理学、化学に関する基礎的な知識 【歓迎要件】 MOCVDを用いた結晶成長技術、経験 |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 兵庫県神美台157-34 |
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| 年収 | 600-750万円 経験に応じて担当職or主任職で採用予定 ※いずれも諸手当含む目安 ・担当職の目安：450万円～600万円 ・主任職の目安：550万円～850万円 |
| 業務内容 | 太陽電池セルおよびモジュールの設計技術開発を担当いただきます。 【具体的には】 （1）、（2）いずれかの業務に取り組んでいただきます。（選考の中でご希望やご経験をお伺いします） （1）太陽電池セルの設計技術開発（設計・試作・評価等... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれかを満たす方 ■設計、開発、または評価の業務経験 ■Word、Excel、PowerPoint等の基本ソフトを使いこなせること ■2次元CADが使用可能であること（AutoCAD等） ■語学力：文書の読解が可... |
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正社員
年間休日120日以上英語を使う仕事社宅・家賃補助制度
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| 勤務地 | 神奈川県新杉田町8番1 |
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| 年収 | 600-1100万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | ■同社における半導体製造装置のプロセス開発、運転及びメンテナンスを担当して頂きます。 |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれも当てはまる方 ■国内外への長期出張が可能な方 ■半導体前工程のプロセスエンジニアとしてのご経験をお持ちの方 ※業務未経験でも、学生時代に半導体の研究に従事されていた方も歓迎です。 【歓迎要件】 ■半導... |
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正社員
転勤無し年間休日120日以上社宅・家賃補助制度資格取得支援制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 秋田県飯島字砂田1 |
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| 年収 | 600-900万円 月額（基本給）：298,650円～ |
| 業務内容 | ■オプトデバイス（LED・PD・VCSEL）のプロセスエンジニア・設計技術者として以下業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・オプトデバイスの原材料となる基板上に、フォトリソ装置・CVD・スパッタ・蒸着等の薄膜形成装置・接合装... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体や電子材料に向けのプロセスエンジニアまたはプロセス開発経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ■製造・評価装置に関する専門知識 ■筆頭発明者として特許出願 3件以上の経験 ■装置導入を含めた技術開発の立ち上げ経験... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県田谷町1 |
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| 年収 | 600-900万円 ※上記年収は、月の平均残業時間20時間分の残業代を含んだ金額となります。 |
| 業務内容 | ■半導体プロセスエンジニアとして以下業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■半導体光デバイス（レーザ、フォトダイオード）のプロセス開発 ■光デバイスのプロセスインテグレーション ■プロセス設備導入、及び管理 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体デバイスにおけるプロセス開発経験（フォトリソグラフィ、ドライエッチング、洗浄、CVD、インテグレーション等） ■英語力（TOEIC550点程度以上） 【歓迎要件】 ■化合物半導体デバイスプロセスの知識 ■... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事資格取得支援制度フレックス勤務
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