SiCパワーデバイス・プロセス開発 社名非公開
| 職種 | SiCパワーデバイス・プロセス開発 |
|---|---|
| 社名 | 社名非公開 |
| 業務内容 |
■SiCパワーデバイス・プロセス開発、マネジメント業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■構想検討?量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント ■関連企業との協業および交渉 ■デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導 ■要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など、多部門との連携、交渉 |
| 求める経験 | 【必須要件】以下いずれか必須 ■パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上 ■SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上 ■150nm、200mmウエハプロセス開発経験 3年以上 【歓迎要件】 ■TCADを使用した経験、知見 ■IGBT、SiCモジュール実装に関する知見 ■インバータシステムに関するご知見 |
| 勤務地 |
群馬県/高崎市/西横手町111
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| 年収 |
500-1300万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※非管理職の場合400?800万、管理職クラスの場合800?1000万 |
| 勤務時間 | 09:00 - 17:30（コアタイム：00:00 - 00:00） |
| 休日・休暇 | 年間125日／（内訳）完全週休2日制（土日）、年末年始、有給休暇、慶事休暇、GW休暇 |
| 福利厚生 |
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金 通勤手当、家賃補助（賃貸、32歳まで支給対象（条件あり））、時間外勤務手当 財形貯蓄制度、従業員持株会制度、育児支援制度、介護支援制度 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 選考プロセス | 【面接回数】Teamsによるオンライン面接または対面での面接1?2回程度 |
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