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powered by   2024/09/28 更新
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メモリ素子 に該当する転職・求人一覧

勤務地 大阪府
年収 500万円~900万円 上記年収は参考です。ご経験・スキルを考慮の上決定致します。
業務内容 1.新規開発する照明器具の評価 ・照明器具の設計品質評価、開発業務フロー上での品質見極めの関所管理(含、試験確認) 2.照明器具の新商品開発における回路設計評価 ・照明器具の点灯制御回路の品質評価、開発業務フロー上での品質見極めの関所...
求める経験 【必須】以下いずれかの経験を有する方 ・電気機械製品の新商品開発(回路設計)や品質管理業務の経験を有する方 ・LEDデバイス開発または半導体素子のパッケージング技術開発の経験を有する方 【歓迎】 ・LED照明器具の設計・開発経験を有...

【プロセス開発】第二新卒歓迎 ~世界シェアNO1商品多数の安定企業~

YITOAマイクロテクノロジー(旧名称:パイオニア・マイクロ・テクノロジー)株式会社 閲覧済み
勤務地 山梨県
年収 320万円~450万円 ※条件は経験・能力に応じて個別に提示致します。35歳(リーダークラス):600万円、40歳(係長クラス):700万円、45歳(課長クラス):800万円
業務内容 ■バイポーラ、CMOS、フォトダイオード、高耐圧/裏面電極デバイス、オプティカルフィルタ形成などのウェハプロセス開発をご担当頂きます。当社は、さまざまな分野の半導体製品を開発・製造しており、それぞれの製品に対して、お客様の要望に沿った最適な...
求める経験 ■下記いずれかでのご経験 又は 知見をお持ちの方 ・半導体製造の前工程 ・半導体に関する電気的な特性又は研究 【歓迎】 ■半導体プロセス開発経験をお持ちの方

課長候補【生産管理】~世界シェアNO1商品多数の安定企業~

YITOAマイクロテクノロジー(旧名称:パイオニア・マイクロ・テクノロジー)株式会社 閲覧済み
勤務地 山梨県
年収 470万円~900万円 ※条件は経験・能力に応じて個別に提示致します。35歳(リーダークラス):600万円、40歳(係長クラス):700万円、45歳(課長クラス):800万円
業務内容 バイポーラ、CMOS、受光素子、高耐圧素子などの半導体デバイス開発の生産管理を担当いただきます。人的コスト・装置稼働コスト・原価も踏まえたうえでの生産効率化がミッション。 年間生産計画策定・在庫計画など企画力・計画力が重視されるポジション...
求める経験 【必須】 半導体や部品などの生産管理経験をお持ちの方で、コストも踏まえた生産計画を立てることができる方

磁気センサ開発/材料研究部門

キヤノン電子株式会社 閲覧済み
勤務地 埼玉県
年収 430万円~700万円 ※年収は経験・スキルにより、判断されます。
業務内容 センサ事業強化のための採用となります ■担当業務 ・磁気センサ ■具体的な仕事内容 ・磁気センサの設計・電気回路 ・磁気センサに関する素子プロセス ■期待する役割 ・将来磁気センサ設計のリーダー役
求める経験 【必須】 ・電気電子回路の設計 ・マイコンまたはFPGA周辺回路の設計 ・プレゼン資料作成・実施 【歓迎】 ・磁気センサ設計・開発 ・マイコンまたはFPGAファームウェアの開発
勤務地 京都府
年収 500万円~850万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ・SiCパワーデバイスプロセス開発若しくはプロセスインテグレーションをお任せいたします。 SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が...
求める経験 【下記何れかの経験】 ・エレクトロニクス業界での開発経験、若しくはプロセス開発の経験がある方
勤務地 京都府
年収 400万円~800万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ・今後伸長が見込める車載通信向けTVSの開発 ・ウェアラブルやヘルスケアでの需要が見込めるフォトダイオードの素子開発 顧客ヒアリングから要件整理~設計・開発~材料の選定検討~製造ラインとの調整~出荷、まで業務の幅は非常に広いです。製品毎...
求める経験 【必須】 ・ダイオード、トランジスタ、またはフォトダイオードのいずれかの素子設計・評価経験(3年以上) ・TCAD(プロセスシミュレーション、デバイスシミュレーション)の業務経験(3年以上) 【歓迎】 ・車載電子部品の開発経験 ...

【岩手/北上】インテグレーションエンジニア

ウエスタンデジタル合同会社 閲覧済み
勤務地 岩手県
年収 470万円~1000万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 ※新卒初任給:学部卒 470万円 、修士了 500万円 、博士了 570万円 (2020年4月実績)
業務内容 ■仕事概要:インテグレーションエンジニアは、メモリデバイスを構成するプロセスモジュールの内、特定のモジュールの担当となり、そのモジュールを製造するためのプロセス構築、製造パラメータ調整等を担当します。 ■具体的には: メモリデバイスに要...
求める経験 【必須】※下記のような理系専攻で、大学院卒以上の方 ■電気・電子系、化学・物質工学系、物理・応用物理系、数学、機械、情報 【歓迎】 ■半導体デバイスや半導体製造装置メーカーにおけるプロセス各工程の開発/量産経験やプロセスインテグレーシ...

【四日市】インテグレーションエンジニア

ウエスタンデジタル合同会社 閲覧済み
勤務地 三重県
年収 470万円~1000万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。
業務内容 インテグレーションエンジニアは、メモリデバイスを構成するプロセスモジュールの内、特定のモジュールの担当となり、そのモジュールを製造するためのプロセス構築、製造パラメータ調整等を担当します。 ■具体的には メモリデバイスに要求される電気特...
求める経験 ■下記のような理系バックグラウンドをお持ちの方  電気・電子系、化学・物質工学系、物理・応用物理系、数学、  機械、情報 ■半導体デバイスや半導体製造装置メーカーにおけるプロセス各工程の開発/量産経験やプロセスインテグレーション、製品...
勤務地 京都府
年収 500万円~850万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 下記何れかの業務を担当頂きます。 ・SiCパワーデバイス開発・設計 ・SiCパワーデバイスプロセス開発 SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が...
求める経験 【下記何れかの経験】 ・半導体業界でSiCの研究開発経験。 ・パワーデバイス設計、パッケージ開発経験。 ・半導体プロセス開発経験 【SICパワーデバイス開発エンジニア採用特設ページ】 s://job.axol.jp/bw/c/r...