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デバイスエンジニア に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 三重県四日市市山之一色町800番地 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
| 業務内容 | 3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。 主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行います。 ... |
| 求める経験 | ■電気電子工学、物理学、材料工学を履修者、 または数年の半導体プロセス/デバイス/回路設計の経験 ■日本語の会話に問題なく、英語での会話ができることがのぞましい。 【尚可】 ■メモリプロセス/デバイス（フラッシュ、EEPROM... |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 |
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| 年収 | 500万円～ ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。 |
| 業務内容 | 3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。 主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行います。 その... |
| 求める経験 | ■電気電子工学、物理学、材料工学を履修者、または数年の半導体プロセス/デバイス/回路設計の経験があること。 ■日本語の会話に問題なく、英語での会話ができることがのぞましい。 ■歓迎条件： メモリプロセス/デバイス（フラッシュ、EEPR... |
| 勤務地 | 三重県四日市市山之一色町800番地 |
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| 年収 | 470-1200万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 ※新卒初任給： 学部卒 470万円 、修士了 500万円 、博士了 570万円 |
| 業務内容 | ■デバイスエンジニアとして次世代NANDフラッシュメモリーおよび次世代不揮発性メモリーデバイス開発業務に携わっていただきます。 【具体的には】 ・次世代NANDメモリーデバイス開発 ・ポストNANDメモリーデバイス開発 ・量産製品の立ち上... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体デバイスメーカー、ディスプレイメーカー等でデバイス開発やテストデバイス試作・評価業務経験 【歓迎要件】 ■英語力（基本は工場で完結する仕事が多いので、仕様書読解、英文メールのやり取りができるレベルの英語力を求められま... |
| 勤務地 | 神奈川県横浜市栄区笠間2-5-1 |
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| 年収 | 470-1400万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくは、コンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | 同社の回路設計（デザインエンジニア）として、以下の業務を担当していただきます。 【具体的には】 ■NAND型フラッシュメモリLSIの回路設計 - セルアレイに付随するセンスアンプおよびワード線ドライバ - 昇圧回路発信回路等のアナログ回路 ... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■ポテンシャル枠 ・回路設計のご経験（アナログ・デジタル問わず）※半導体経験は問いません。 ■即戦力枠 簡単なレベルの英語力を有し、以下の経験を有する方 ・LSI開発におけるロジック設計やDFT設計の経験 ※仕様書からRTL... |