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powered by   2024/09/28 更新
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不揮発性記憶装置 に該当する転職・求人一覧

【千葉】ソフトウェア設計エンジニア

エドワーズ株式会社 閲覧済み
勤務地 千葉県八千代市吉橋1078-1 東葉高速鉄道線「八千代緑が丘」駅徒歩10分 勤務地変更の範囲:勤務地からの変更はなし
年収 年収:400万~650万程度 月給制:月額250000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年3回 昇給:年1回(4月)
業務内容 【職務概要】 同社のソフトウェアエンジニアをお任せいたします。 【職務詳細】 殆どの大手半導体・液晶メーカーで使用される製造装置の主要構成製品として世界的に導入されている、同社の磁気軸受式ターボ分子ポンプの制御・通信ソフトウェアの...
求める経験 【必須】 ・C言語を用いた組込ソフトウェア開発経験3年以上 ・大学理系学部卒程度の数学的素養 【尚可】 ・シリアル通信やADC等の各種マイコンペリフェラルの開発経験 ・外付け不揮発性メモリの制御経験
勤務地 神奈川県/横浜市港北区/新横浜2丁目3-12
年収 600-1400万円
業務内容 ■デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発を担当していただきます。
求める経験 【必須要件】 ■以下いずれかのご経験 ・ロジック半導体の設計経験 ・ロジック半導体の検証経験 【歓迎要件】 ■10または20nmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・I/O、論理回路、アナログ回路とメ...

フラッシュメモリ設計エンジニア

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 閲覧済み
勤務地 神奈川県
年収 600万円~1200万円 ※給与詳細は、経験・スキルを考慮の上決定致します。 ■昇給:年1回 ■賞与:年2回※業績賞与あり
業務内容 【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア/海外市場上場のグローバル企業/2000億円の売上/離職率3%/残業月20時間程度】 デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せいたします。 1X、2Xnm世代のNAND設...
求める経験 【必須】 (1)科学、工学、電気工学系専攻 (2)英語での基本的なコミュニケーションスキル (3)1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること ・I/O、論理回路、アナログ回路とメモリの...
勤務地 京都府
年収 500万円~850万円 ■昇給:毎年4月に改定、賞与:年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
業務内容 ■不揮発性メモリのアナログ回路設計と検証 業務の振り分けは、開発するメモリによって分業と選任とを分けて行っています。 規模の大きいメモリであれば、3~5名程度で業務を分担して分業で開発します。逆に設計から評価まで一人で行うこともあります...
求める経験 【必須】※下記のいずれかの知識と経験を保有されている方 ・不揮発性メモリの設計(経験3年以上) ・アナログ回路設計(経験3年以上) 【歓迎】 ・TOEIC600点以上 ・不揮発性メモリの回路設計を一人で進められる力

【藤沢】デザインエンジニア

ウエスタンデジタル合同会社 閲覧済み
勤務地 神奈川県
年収 600万円~1300万円 ※経験・能力・前職を考慮の上、優遇。
業務内容 ■仕事概要 ● NAND型フラッシュメモリLSIの回路設計 - セルアレイに付随するセンスアンプおよびワード線ドライバを含むコア回路設計 - 高速データパスおよびインターフェイス回路設計 - コマンドデコーダおよびコマンドに従って信...
求める経験 【必須】 ■電気電子工学あるいはコンピュータサイエンスの知識をお持ちの方 ■アナログ、デジタルを問わずLSI設計の経験 ■基礎的な英語力 【尚可】 ■不揮発性メモリ分野での経験 ■量産レベルの製品開発経験