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powered by   2024/11/09 更新
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化合物半導体GaN結晶製造および生産技術開発(リーダー候補~リーダー)|【筑波】 三菱ケミカル株式会社

掲載開始日:2024/10/18
更新日:2024/10/19
ジョブNo.10375105
職種 化合物半導体GaN結晶製造および生産技術開発(リーダー候補~リーダー)|【筑波】
社名 三菱ケミカル株式会社
業務内容 【職務内容】

化合物半導体の製造及び技術検討を担当いただきます。

具体的には以下業務を担当いただきます。

・GaN結晶成長工程の生産性向上や新規技術の開発

・GaN結晶成長工程の生産計画作成や進捗管理等の生産管理

・GaN結晶設備の保全管理



【配属部署の紹介】

高速モバイル通信用高周波デバイスなどに欠かせない窒化ガリウム基板の製造及び技術検討に携わり、デジタル社会基盤の構築に貢献できる仕事です。同社はGaN基板の技術を世界的にリードするプレイヤーのひとつで、学会発表や論文も常に注目を浴びています。基礎的な検討から、量産技術検討まで、単結晶を基板に仕上がるまで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。製造工程で日々の工技術改善に一体で取り組み、更なる量産化へ向けた進化を続けています。
求める経験 【必須要件】

・経験職種(年数)・経験内容:

-
化合物半導体材料等の結晶成長技術の開発経験者

-
化合物半導体材料(GaN>>Si/サファイア/SiC他 脆性材料)の結晶成長技術検討または製造管理経験者

・経験補足:

-
半導体材料の結晶成長技術の専門知識を有する

-
製造スタッフとして運転員の管理・指導ができる



【歓迎要件】

・専攻:物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学

・経験職種(年数)・経験内容:化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション

・語学力:英語
勤務地
茨城県牛久市東猯穴町1000
年収 564万円 ~ 940万円
■通勤手当
■残業手当
■出張手当
■休日勤務手当
勤務時間 8:30~17:15
休日・休暇 ■完全週休2日制(土・日)、祝日年末年始休暇
■慶弔休暇
■年次有給休暇
■出産・育児休暇、介護休暇
福利厚生 ■各種社会保険完備
■退職金制度
雇用形態 正社員
選考プロセス ・面接場所:1次=事業所(WEB可)、最終=本社(WEB可)

・面接所要時間:1=90分、最終=60分程度

※面接回数は変更となる可能性があります。

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