- サイト掲載求人数：634件
蒸着 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 神奈川県/茅ヶ崎市/萩園2500 |
|---|---|
| 年収 | 550-850万円 ※上記年収は月20時間程度の残業代を含みます。 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | ■ドライエッチング、またはCVD装置のハード開発・評価の業務を担当いただきます。 【具体的には】 ・装置コンポーネントの提案・開発 ＜技術力＞ 「真空技術」において高い技術力を持つ同社は、その真空技術を活用した製造装置をはじめ世界トップ... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれも必須 ■電気回路の知識（大学卒程度） ■プラズマ生成（または、プラズマ診断）に関する基本理解 【歓迎要件】 ■ケミカル系装置の経験があるエンジニア ■産業装置の設計・開発の経験がある方 ■高周波プラズマに関する知... |
| 勤務地 | 神奈川県/茅ヶ崎市/萩園2500 |
|---|---|
| 年収 | 450-800万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | ■ドライエッチング、またはCVD装置のプロセス開発、評価、デモ対応を担当いただきます。 【具体的には】 ・ドライエッチング、またはCVD装置による実験を行い、その装置性能や生産性を最大限に引き出すプロセスの構築実験、評価（断面SEM観察、... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれかに該当する方 ■半導体製造装置、あるいはデバイス開発経験 ■装置メーカー、またはデバイスメーカーにおいてプロセスエンジニアのご経験のある方 【歓迎要件】 ■ドライエッチング、またはCVDプロセスエンジニアとしての... |
| 勤務地 | 静岡県/裾野市/須山1220?14 |
|---|---|
| 年収 | 450-800万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合があります。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | 半導体スパッタリング装置の開発に関わる業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・半導体製造装置（スパッタリング）開発におけるサブリーダー ・開発課題の納期短縮のための解決策をリーダーへ提案 ・ハードウエアの設計指針の決定および事業部門... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・半導体デバイス用スパッタリング装置、技術、プロセスに関する基礎および応用知識 ・半導体デバイス用スパッタリング装置、技術、プロセス開発の経験 【歓迎要件】 ・真空装置（PVD）取り扱い経験 ・真空装置メーカでの装置取り扱... |
| 勤務地 | 長崎県/諫早市/津久葉町1883-43 |
|---|---|
| 年収 | 350-900万円 |
| 業務内容 | ■CMOSイメージセンサーのウェーハ製造において、適性に応じて、（1）（2）いずれかの業務から担当いただきます。 【お任せする業務】 （1）半導体ウェーハ工程生産ラインの改善業務 4TEC統合したもの流し運用構築、仕組み改善、新たな技術の... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ※交替勤務が可能でいずれかに該当する方（文理・業界不問） ■生産現場での生産調整や生産管理の経験 ■VBA、Excel、Access、Spotfire等のツールを活用した業務改善の経験 ■生産設備の改善・開発、立上げ・保守の... |
| 勤務地 | 神奈川県/横浜市磯子区/新杉田町8番1 |
|---|---|
| 年収 | 420-1100万円 ※諸手当、福利厚生は雇用形態等諸条件により、適用外の場合がございます。詳しくはコンサルタントまでお問い合わせ下さい。 |
| 業務内容 | ■同社におけるエピタキシャル半導体製造装置開発の中で、プロセス開発（成膜）を担当いただきます。 【具体的には】 ■同社社内の装置を利用し、顧客先メーカーに対して実際にウェハを用いたプロセス開発を担当いただきます。 ・シリコン、GaN、Si... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下いずれも当てはまる方 ■国内外への長期出張が可能な方 ■半導体前工程のプロセスエンジニアとしてのご経験をお持ちの方 ※業務未経験でも、学生時代に半導体の研究に従事されていた方も歓迎です。 【歓迎要件】 ■半導体の製造等に... |
| 勤務地 | 宮城県/白石市/白鳥3丁目53番地-2 |
|---|---|
| 年収 | 350-900万円 交替勤務の場合 ※1か月単位の変形労働時間制・交替制（4組2交替）として、次の勤務時間となります。 ・（始業）7時30分?（終業）19時30分 ・（始業）19時30分?（終業）7時30分 |
| 業務内容 | 半導体ウェーハ前工程、結晶成長工程における製造技術業務及び設備保守をご担当いただきます。10数名のチームで業務を進めており、設備の生産性向上（故障率低減）、工程能力の向上等をメインミッションとして取り組んでいます。また、工程FMEAやFDC... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・ウェーハ製造工程におけるオペレータ、または設備保守の経験 【歓迎要件】 ・半導体ウェーハプロセス経験 ・Dry／CVD工程の経験 ・Litho工程の経験 |
| 勤務地 | 神奈川県/秦野市/曽屋400 |
|---|---|
| 年収 | 500-750万円 |
| 業務内容 | レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価をご担当頂きます。 【具体的には】 新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発となります。 具体的には下記のいずれかになりま... |
| 求める経験 | 【必須要件】 半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験を持ち、下記いずれかのご経験をお持ちお方 ・光学評価（PL、EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験 ・光デバイスシミュレー... |
| 勤務地 | 山形県/鶴岡市/字日本国271-6 |
|---|---|
| 年収 | 450-800万円 ■基本給：23万円?38万円／月 ※年収例：450万円?800万円（賞与／各種手当／時間外手当含む） |
| 業務内容 | ■MOCVD装置を用いた深紫外LEDの結晶成長に関する業務を担当していただきます。 【具体的には】 ・高効率化に向けたMOCVDを用いた条件出し ・シミュレーションを用いたLED構造設計および検証 【魅力】 ・新しい事業化の実現を目指し... |
| 求める経験 | 【必須要件】 物理学、化学に関する基礎的な知識 【歓迎要件】 MOCVDを用いた結晶成長技術、経験 |
| 勤務地 | 山形県/鶴岡市/大宝寺字日本国271-6 |
|---|---|
| 年収 | 450-800万円 ■基本給：23万円?38万円／月 ※年収例：450万円?800万円（賞与／各種手当／時間外手当含む） |
| 業務内容 | ■MEMSデバイスのプロセス開発業務を担当していただきます。 【具体的には】 開発部門にて、MEMSデバイスのプロセス・開発業務を担当していただきます。各種アプリケーションからの要求事項をデバイス仕様に反映させ、設計・製造・分析評価を経て... |
| 求める経験 | 【必須要件】※以下1つ以上当てはまる方 ・MEMSデバイスまたは半導体デバイスのプロセス開発業務経験 ・MEMSデバイスまたは半導体デバイスの評価業務経験 ・圧電PZT膜の開発業務経験 【歓迎要件】 ・CADを用いたフォトマスク設計や、機... |