結晶成長 に該当する転職・求人一覧
該当件数：19件 1ページ目
| 勤務地 | 茨城県 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:400万～550万程度 月給制：月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 生産技術職（次世代半導体基板加工技術開発）担当として下記業務を担当します。 【職務詳細】 ・基板加工プロセスの歩留まり・生産性改善 ・基板加工装置の改善・改造 ■魅力 ・同社の主な製品は自動車用配管ですが、... |
| 求める経験 | 【必須】下記いずれかを満たす方 ・プロセス改善 ・設備設計【歓迎要件】 ・次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験 【尚可】 ・英語力（TOEIC600... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | ※配属先により異なる ※配属先により異なる |
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| 年収 | 年収:500万～1200万程度 月給制：月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて、半導体の開発設計に関わる業務をお任せします。 【職務詳細】 ・自動車用半導体（パワー半導体、ASICなど）の企画／開発／設計 ・自動車用半導体の生産システム／生産技術開発・工程設計・要素プロセス・生産ライ... |
| 求める経験 | 【必須】 以下いずれかに該当する方（知識は工業大学卒業レベル） ・半導体物理に関する知識、または電気材料やデバイスに関する基礎知識 ・半導体製造に関する基本知識（ウェハ加工、プロセス開発、結晶成長、スライス加工、表面加工、エピタキシャ... |
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正社員
完全週休二日制社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎フレックス勤務
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| 勤務地 | 三重県 |
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| 年収 | 年収:500万～1200万程度 月給制：月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて下記業務をお任せします。 【職務詳細】 ・自動車用半導体（パワー半導体、ASICなど）の企画／開発／設計 ・自動車用半導体の生産システム／生産技術開発・工程設計・要素プロセス・生産ラインの維持／改善 ※入... |
| 求める経験 | ★実務未経験の方歓迎 【必須】 ・半導体物理に関する知識、または電気材料やデバイスに関する基礎知識 ・半導体製造に関する基本知識（ウェハ加工、プロセス開発、結晶成長、スライス加工、表面加工、エピタキシャル成長など） |
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正社員
完全週休二日制社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎フレックス勤務
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| 勤務地 | 岩手県 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:500万～1200万程度 月給制：月額228000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて下記業務をお任せします。 【職務詳細】 ・自動車用半導体（パワー半導体、ASICなど）の企画／開発／設計 ・自動車用半導体の生産システム／生産技術開発・工程設計・要素プロセス・生産ラインの維持／改善 ※入... |
| 求める経験 | ★実務未経験の方歓迎 【必須】 ・半導体物理に関する知識、または電気材料やデバイスに関する基礎知識 ・半導体製造に関する基本知識（ウェハ加工、プロセス開発、結晶成長、スライス加工、表面加工、エピタキシャル成長など） |
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正社員
完全週休二日制社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県日進市米野木町南山500-1 |
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| 年収 | 600-1250万円 ※上記年収は残業代及び諸手当込み ※経験を考慮して決定 ※採用時の職種や職能資格により、試用期間終了後に本人が希望し会社が認めた場合に「裁量労働制(専門業務型、企画業務型)」を適用する可能あり |
| 業務内容 | ■同社にてパワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計 ・単結晶製造設備制御技術開... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方 ・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 秋田県秋田市飯島字砂田1 |
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| 年収 | 600-1000万円 月額（基本給）：298,650円～ |
| 業務内容 | ■化合物半導体のプロセスエンジニア業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ※下記業務を候補者のご経験やスキルに応じてご担当いただきます。 ・LEDチップをパッケージに実装したLEDランプの開発 ・LEDの原材料となる基盤上に... |
| 求める経験 | 【必須要件】※下記全ての要件を満たす方 ■製造業における生産技術、製造技術、プロセスエンジニア、工程改善いずれかのご経験をお持ちの方 ■機械、電気、物理、化学いずれかのバックグラウンドをお持ちの方 【歓迎要件】 ■半導体に関わる... |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 秋田県秋田市飯島字砂田1 |
|---|---|
| 年収 | 600-1000万円 月額（基本給）：298,650円～ |
| 業務内容 | ■MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs InP AlN GaN関連材料）の結晶成長業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・GaAs系 InP径赤外LED・PDの結晶成長に関する業務 ・高効率化に向けたMOCVDを用... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体や電子材料に関するプロセスエンジニアまたはプロセス開発経験をお持ちの方 【歓迎要件】 ■化合物半導体に関する知見をお持ちの方 ■MOCVDを用いた結晶成長技術の知見をお持ちの方 |
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正社員
年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県横浜市栄区田谷町1 |
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| 年収 | 600-900万円 ※上記年収は、月の平均残業時間20時間分の残業代を含んだ金額となります。 |
| 業務内容 | ■半導体プロセスエンジニアとして以下業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■半導体光デバイス（レーザ、フォトダイオード）のプロセス開発 ■光デバイスのプロセスインテグレーション ■プロセス設備導入、及び管理 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体デバイスにおけるプロセス開発経験（フォトリソグラフィ、ドライエッチング、洗浄、CVD、インテグレーション等） ■英語力（TOEIC550点程度以上） 【歓迎要件】 ■化合物半導体デバイスプロセスの知識 ■... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事資格取得支援制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 茨城県牛久市東猯穴町1000 |
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| 年収 | 730-1010万円 ※上記年収には残業20Hを見込んだ額となります。 |
| 業務内容 | ■化合物半導体の製造プロセスの開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ・化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計 ・化合物半導体の結晶成長プロセスのモデリング技術開発、最適化 ・化合物半導体の評価デー... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体材料等の結晶成長技術の開発経験者 【歓迎要件】 ■物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学のバックグラウンド ■化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション ■英語力 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 神奈川県秦野市曽屋400 |
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| 年収 | 430万円 ～ 900万円 ■通勤手当 ■住宅手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | EL25_01【秦野】深紫外・LED素子の設計開発【募集の背景】世界中の人々に安心・安全な生活を提供するため、殺菌用紫外線発光LEDやレーザー路面描画システム用MEMSデバイスの開発を行っています。当社は基板への結晶成長から半導体プロセス、... |
| 求める経験 | 【求めるスキル】・光半導体に関する業務経験（3年以上）【歓迎スキル】・半導体素子設計の知識・経験（CAD）・半導体プロセスの知識・経験 フォトリソグラフィ 結晶成長（MOCVD） 成膜（スパッタ、プラズマCVD、真空蒸着） エッチング（IC... |
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正社員
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