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結晶成長 に該当する転職・求人一覧
| 勤務地 | 茨城県 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:400万～550万程度 月給制：月額280000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 生産技術職（次世代半導体基板加工技術開発）担当として下記業務を担当します。 【職務詳細】 ・基板加工プロセスの歩留まり・生産性改善 ・基板加工装置の改善・改造 ■魅力 ・同社の主な製品は自動車用配管ですが、... |
| 求める経験 | 【必須】下記いずれかを満たす方 ・プロセス改善 ・設備設計【歓迎要件】 ・次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験 【尚可】 ・英語力（TOEIC600... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事U・Iターン歓迎
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| 勤務地 | ※配属先により異なる ※配属先により異なる |
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| 年収 | 年収:500万～1200万程度 月給制：月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて、半導体の開発設計に関わる業務をお任せします。 【職務詳細】 ・自動車用半導体（パワー半導体、ASICなど）の企画／開発／設計 ・自動車用半導体の生産システム／生産技術開発・工程設計・要素プロセス・生産ライ... |
| 求める経験 | 【必須】 以下いずれかに該当する方（知識は工業大学卒業レベル） ・半導体物理に関する知識、または電気材料やデバイスに関する基礎知識 ・半導体製造に関する基本知識（ウェハ加工、プロセス開発、結晶成長、スライス加工、表面加工、エピタキシャ... |
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正社員
完全週休二日制社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎フレックス勤務
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| 勤務地 | 三重県 |
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| 年収 | 年収:500万～1200万程度 月給制：月額208000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて下記業務をお任せします。 【職務詳細】 ・自動車用半導体（パワー半導体、ASICなど）の企画／開発／設計 ・自動車用半導体の生産システム／生産技術開発・工程設計・要素プロセス・生産ラインの維持／改善 ※入... |
| 求める経験 | ★実務未経験の方歓迎 【必須】 ・半導体物理に関する知識、または電気材料やデバイスに関する基礎知識 ・半導体製造に関する基本知識（ウェハ加工、プロセス開発、結晶成長、スライス加工、表面加工、エピタキシャル成長など） |
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正社員
完全週休二日制社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎フレックス勤務
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| 勤務地 | 岩手県 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:500万～1200万程度 月給制：月額228000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社にて下記業務をお任せします。 【職務詳細】 ・自動車用半導体（パワー半導体、ASICなど）の企画／開発／設計 ・自動車用半導体の生産システム／生産技術開発・工程設計・要素プロセス・生産ラインの維持／改善 ※入... |
| 求める経験 | ★実務未経験の方歓迎 【必須】 ・半導体物理に関する知識、または電気材料やデバイスに関する基礎知識 ・半導体製造に関する基本知識（ウェハ加工、プロセス開発、結晶成長、スライス加工、表面加工、エピタキシャル成長など） |
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正社員
完全週休二日制社宅・家賃補助制度U・Iターン歓迎フレックス勤務
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| 勤務地 | 新潟県長岡市新産4丁目1番地10 インキュベートセンターNARIC |
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| 年収 | 400万円 ～ 550万円 ■通勤手当 ■家族手当 ■残業手当 |
| 業務内容 | 三桜工業の主な製品は自動車用配管ですが、自動車の電動化、クリーンエネルギー化など、 業界の構造変革に備え、非自動車分野での新事業創出を目指して研究開発を推進しています。 具体的には、レーザー技術や全固体電池、熱電発電などの分野におい... |
| 求める経験 | 【いずれか必須】 ・プロセス改善 ・設備設計 【歓迎要件】 ・次世代半導体基板（GaN基板、SiC基板など）や化合物半導体基板の結晶加工、 結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験 ・英語力（TOEIC(R) 6... |
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正社員
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| 勤務地 | 栃木県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ご経験とスキルに応じて決定します。 |
| 業務内容 | ＜組織のビジョン・ミッション／活動方針＞ 「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素社会実現に大きく貢献するSiC単結晶（SiCパワー半導体に必須の材料）の製造で社会に貢献していきます。 また、社内においても本事業は今後の躍進を... |
| 求める経験 | 【必須】 ・特定の製品を対象にした技術開発の経験 ・データ分析・解析に関する知識 【歓迎】 ・品質設計（品質リスク管理・安全率・工程マージン など）に関する知識 ・トラブル分析（なぜなぜ分析、4M5E分析 など）に関する知識 ... |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 ※前職の給与を考慮の上、当社規定で決定致します ※モデル年収...大学卒 30歳 694万円／月給35万円（扶養家族2名分の家族手当・住宅手当込み、年収額は残業25h/月込み） |
| 業務内容 | 【業務】新しい機能性無機材料開発に関する業務で、当面はダイヤモンドの成膜技術開発に取り組んでいただきます。並行して新しい有望材料・技術の探索も実施します。ダイヤモンド開発については、成膜条件の検討だけでなく成長メカニズム解析などの基礎研究に... |
| 求める経験 | 【必須】 ■無機材料に関する研究、技術開発経験 【歓迎】 ・ダイヤモンドの結晶成長・エピ成膜・デバイス開発に関する業務経験 ・結晶成⾧、気相成膜プロセス（プラズマCVD法、MOCVD 法、HVPE 法等）に関する業務経験 |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 500万円～1200万円 年収例（時間外除く）：20代後半640万円／35歳850万円／40歳管理職1250万円 |
| 業務内容 | 【業務】電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価 【詳細】 パワーデバイス材料研究、デバイス開発 ・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタ... |
| 求める経験 | 【必須】 ■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験 【歓迎】 ■第一原理計算、T-CADシミュレーション経験 |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 千葉県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※経験、年齢などを基に決定致します。 |
| 業務内容 | SiC単結晶基板の「加工・評価工程」に関わる製造技術開発の担当者として、業務をお任せいたします。 SiC単結晶の製造においては、単結晶成長／結晶加工／特性評価に関するプロセス設計及び開発がございますが、本ポジションではSiC単結晶基板の単... |
| 求める経験 | 【必須】 ・結晶成長もしくは半導体に関するプロセス設計・開発や技術開発の経験 【歓迎】 ・単結晶成長の知識や経験 ・半導体に関わる知識や経験 ・加熱装置に関する知識や経験 ・科学論文の読解能力（英語含む) |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 富山県 |
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| 年収 | 400万円～900万円 モデル年収/参考（20残込）：20代450-550万 30代550-700万 40代700万以上 |
| 業務内容 | 5G基地局向けRF-GaNデバイスの製品化・量産化に向けた結晶成長技術開発、ウェハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価 解析等を担当して頂きます。 GaN系デバイスの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いた薄膜成長技術の開... |
| 求める経験 | 【必須】※応募時には顔写真データも必要となります ・結晶成長技術に興味関心のある方 ・GaNのプロセス開発に興味のある方 【歓迎】 ・化合物半導体材料の知識 ・化合物半導体の結晶成長技術経験、ウェハプロセス開発経験 ・半... |
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正社員
年間休日120日以上
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