結晶成長 に該当する転職・求人一覧
該当件数：19件 2ページ目
| 勤務地 | 神奈川県横浜市栄区田谷町1 |
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| 年収 | 600-900万円 ※上記年収は、月の平均残業時間20時間分の残業代を含んだ金額となります。 |
| 業務内容 | ■半導体プロセスエンジニアとして以下業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ■半導体光デバイス（レーザ、フォトダイオード）のプロセス開発 ■光デバイスのプロセスインテグレーション ■プロセス設備導入、及び管理 |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体デバイスにおけるプロセス開発経験（フォトリソグラフィ、ドライエッチング、洗浄、CVD、インテグレーション等） ■英語力（TOEIC550点程度以上） 【歓迎要件】 ■化合物半導体デバイスプロセスの知識 ■... |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上英語を使う仕事資格取得支援制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 茨城県牛久市東猯穴町1000 |
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| 年収 | 730-1010万円 ※上記年収には残業20Hを見込んだ額となります。 |
| 業務内容 | ■化合物半導体の製造プロセスの開発をご担当いただきます。 【具体的には】 ・化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計 ・化合物半導体の結晶成長プロセスのモデリング技術開発、最適化 ・化合物半導体の評価デー... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ■半導体材料等の結晶成長技術の開発経験者 【歓迎要件】 ■物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学のバックグラウンド ■化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーション ■英語力 |
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正社員
完全週休二日制年間休日120日以上社宅・家賃補助制度フレックス勤務
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| 勤務地 | 茨城県 |
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| 年収 | 799万円～1277万円 ※これまでの経験、スキルなどを基に決定致します。※等級によって別途残業代が支給されます。※残業20H/月込参考年収：891万円～1277万円 |
| 業務内容 | 以下に例示する化合物半導体製造技術の開発業務を担当。ご経験やご希望などを踏まえて担当業務をご提案します。 ・ 化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計 ・ 化合物半導体のウエハ加工技術の開発 ・ 化合物半導体の... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 化合物半導体の結晶成長、成膜、加工の少なくともいずれかの技術開発経験 【歓迎】 ・ 専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・ 電子工学 ・ 経験職種（年数）・ 経験内容：GaNの結晶成長、またはGaN... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 500万円～1250万円 年収例（時間外除く）：20代後半640万円／35歳850万円／40歳管理職1250万円 |
| 業務内容 | 【概要】パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発 【業務】 ・ パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・ プロセス設計 ・ 単結晶製造設備制御技術開発 ・ ウェハ製造のための... |
| 求める経験 | 【必須要件】 ・ 無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識 ・ 以下のご経験 ・ 半導体ウェハの製品設計、評価経験 または ・ 無機材料プロセス開発、工程設計経験 または ・ 結晶成長技術開発、生産技術開... |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 栃木県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ご経験とスキルに応じて決定します。 |
| 業務内容 | ＜組織のビジョン・ ミッション／活動方針＞ 「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素社会実現に大きく貢献するSiC単結晶（SiCパワー半導体に必須の材料）の製造で社会に貢献していきます。 また、社内においても本事業は今後の躍進... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 特定の製品を対象にした技術開発の経験 ・ データ分析・ 解析に関する知識 【歓迎】 ・ 品質設計（品質リスク管理・ 安全率・ 工程マージン など）に関する知識 ・ トラブル分析（なぜなぜ分析、4M5E分析 など）に... |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 450万円～1000万円 ※前職の給与を考慮の上、当社規定で決定致します ※モデル年収...大学卒 30歳 694万円／月給35万円（扶養家族2名分の家族手当・住宅手当込み、年収額は残業25h/月込み） |
| 業務内容 | 【業務】新しい機能性無機材料開発に関する業務で、当面はダイヤモンドの成膜技術開発に取り組んでいただきます。並行して新しい有望材料・ 技術の探索も実施します。ダイヤモンド開発については、成膜条件の検討だけでなく成長メカニズム解析などの基礎研究... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 無機材料に関する研究、技術開発経験 【歓迎】 ・ ダイヤモンドの結晶成長・ エピ成膜・ デバイス開発に関する業務経験 ・ 結晶成長、気相成膜プロセス（プラズマCVD法、MOCVD 法、HVPE 法等）に関する業務経験 |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 愛知県 |
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| 年収 | 500万円～1200万円 年収例（時間外除く）：20代後半640万円／35歳850万円／40歳管理職1250万円 |
| 業務内容 | 【業務】電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価 【詳細】 パワーデバイス材料研究、デバイス開発 ・ SiCウェハガス成長法の研究開発 ・ SiCエ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験 【歓迎】 ・ 第一原理計算、T-CADシミュレーション経験 |
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正社員
年間休日120日以上フレックス勤務
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| 勤務地 | 千葉県 |
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| 年収 | 500万円～900万円 ※経験、年齢などを基に決定致します。 |
| 業務内容 | SiC単結晶基板の「加工・ 評価工程」に関わる製造技術開発の担当者として、業務をお任せいたします。 SiC単結晶の製造においては、単結晶成長／結晶加工／特性評価に関するプロセス設計及び開発がございますが、本ポジションではSiC単結晶基板の... |
| 求める経験 | 【必須】 ・ 結晶成長もしくは半導体に関するプロセス設計・ 開発や技術開発の経験 【歓迎】 ・ 単結晶成長の知識や経験 ・ 半導体に関わる知識や経験 ・ 加熱装置に関する知識や経験 ・ 科学論文の読解能力（英語含む) |
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正社員
年間休日120日以上
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| 勤務地 | 富山県 |
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| 年収 | 400万円～900万円 モデル年収/参考（20残込）：20代450-550万 30代550-700万 40代700万以上 |
| 業務内容 | ・ 5G基地局向けRF-GaNデバイスの製品化・ 量産化に向けた結晶成長技術開発、ウェハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価 解析等を担当して頂きます。 ・ GaN系デバイスの結晶成長技術開発 ・ MOCVD法を用いた薄膜成... |
| 求める経験 | 【必須】※応募時には顔写真データも必要となります ・ 結晶成長技術に興味関心のある方 ・ GaNのプロセス開発に興味のある方 【歓迎】 ・ 化合物半導体材料の知識 ・ 化合物半導体の結晶成長技術経験、ウェハプロセス開発経験... |
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正社員
年間休日120日以上
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