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新着求人一覧
| 勤務地 | 千葉県船橋市鈴身町488-19 各線「北習志野」駅より車で20分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:900万～1500万程度 月給制：月額750000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回以上 昇給:業績に応じて年1回以上 |
| 業務内容 | 【職務概要】 1、パワーデバイスパッケージ関連のプロセス開発、検証、量産導入を担当する 2、製品開発から量産信頼性検証までを担当し、製造現場での品質改善を指導する 3、研究開発と連携し、プロセスと実験設計などの仕事を設定し、新しい技術... |
| 求める経験 | ■求める経験： 1、電力電子類、材料類、機械類などの関連専攻 2、IGBT、化合物半導体パワーデバイスの動作原理及び信頼性試験に精通する。 3.IGBT、化合物半導体などのパワーデバイス業界の現状と発展動向を理解する。 ... |
| 勤務地 | 千葉県船橋市鈴身町488-19 各線「北習志野」駅より車で20分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:900万～1500万程度 年俸制：月額750000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回以上 昇給:業績に応じて年1回以上 |
| 業務内容 | 【職務概要】 1、化合物半導体パワーモジュールプロセス及び設備技術を担当し、プロセス技術指標を制定する 2、プロジェクトの前期プロセスルート及び設備に関する作業を担当する 3、各工程のワークフローを制定し、設備の操作規範と工程をテキス... |
| 求める経験 | 【必須】 1、学士以上、機械、材料、電子および関連する理工系の専攻 2、半導体パワーモジュールのプロセス／設備に関する5年以上の経験があり、新規プロジェクトの経験がある |
| 勤務地 | 千葉県船橋市鈴身町488-19 各線「北習志野」駅より車で20分 勤務地変更の範囲：本社及び全国の事業場、支社、営業所 |
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| 年収 | 年収:900万～1500万程度 年俸制：月額750000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年1回以上 昇給:業績に応じて年1回以上 |
| 業務内容 | 【職務概要】 1、化合物半導体パワーデバイスプロセス開発及びプロジェクト推進関連業務を担当する 2、パワーデバイスチップ製造プロセスの開発を主導し、現場でプロセス調整を行い、装置エンジニアと協力してトラブルを分析し、プロセスに存在する可... |
| 求める経験 | 【必須】 ■求める経験 1、学士以上、半導体物理学、マイクロエレクトロニクス、材料、化学関連の専攻。 2、パワー半導体デバイスのプロセスフロー、製造プロセス及び関連するプロセス原理に精通する。 ... |
| 勤務地 | 神奈川県鎌倉市上町屋325 各線「大船」駅より車で6分 勤務地変更の範囲：業務の性質等に応じリモートワークを認める場合は、リモートワークを行う場所（自宅等）を含む。 |
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| 年収 | 年収:450万～900万程度 月給制：月額260000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月、12月） 昇給:年1回（4月） |
| 業務内容 | 【職務概要】 防衛／宇宙用レーダ向け高周波回路の開発／設計業務や、量産機種の設計管理をお任せします。 【職務詳細】 ■新製品の企画から設計、製作、試験までの一連の開発に関わる業務 ■量産機種の設計に関わる業務（リピート出図、部品... |
| 求める経験 | 【必須】 ・高周波に関する一般知識 ・回路設計の経験や、ものづくりの業務経験 【尚可】 ・ネットワークアナライザ等の計測器を使用した経験 ・英語によるコミュニケーション能力（TOEIC 500点以上） ■採用背景：防衛力... |
| 勤務地 | 大分県大分市大字松岡3500番地JR豊肥本線「中判田」駅より車で10分 |
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| 年収 | 年収:600万～800万程度 月給制：月額350000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6・12月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 デバイス構造を実現するために必要なプロセスフロー構築を行う担当者を想定しています。 【職務詳細】 ■担当予定の業務内容 ・プロセスインテグレーションエンジニア：デバイス構造を実現させる為のユニットプロセス技術を集め... |
| 求める経験 | 【必須】 ■イメージセンサー、小型ディスプレイデバイス、先端CMOS またはメモリなどのシリコンまたは化合物半導体に関わる研究開発経験 |
| 勤務地 | 長崎県諫早市津久葉町1883-43JR長崎本線「西諫早」駅より車で6分 |
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| 年収 | 年収:600万～800万程度 月給制：月額350000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6・12月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 デバイス構造を実現するために必要なプロセスフロー構築を行う担当者を想定しています。 【職務詳細】 ■担当予定の業務内容 ・プロセスインテグレーションエンジニア：デバイス構造を実現させる為のユニットプロセス技術を集め... |
| 求める経験 | 【必須】 ■イメージセンサー、小型ディスプレイデバイス、先端CMOS またはメモリなどのシリコンまたは化合物半導体に関わる研究開発経験 |
| 勤務地 | 熊本県菊池郡菊陽町大字原水4000-1熊本電鉄バス「ソニーセミコンダクタ前」バス停より徒歩1分 |
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| 年収 | 年収:600万～800万程度 月給制：月額350000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6・12月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 デバイス構造を実現するために必要なプロセスフロー構築を行う担当者を想定しています。 【職務詳細】 ■担当予定の業務内容 ・プロセスインテグレーションエンジニア：デバイス構造を実現させる為のユニットプロセス技術を集め... |
| 求める経験 | 【必須】 ■イメージセンサー、小型ディスプレイデバイス、先端CMOS またはメモリなどのシリコンまたは化合物半導体に関わる研究開発経験 |
| 勤務地 | 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2-56JR東海道本線「熱田」駅から車で5分 |
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| 年収 | 年収:500万～800万程度 月給制：月額285000円 給与:経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 同社の研究開発系職種から、経験・スキルにマッチしたポジションにて幅広く選考いただけます。 【職務詳細】 ・新型蓄電池（ニッケル亜鉛二次電池）の製品開発・製品設計 ・新規二次電池（ニッケル亜鉛二次電池）の部材・プロセス開... |
| 求める経験 | 【必須】 ・材料または製品開発、製品解析の経験（3年以上） 【尚可】 ・各種電池についての材料やプロセス開発の技術や経験 ・化合物半導体の成膜技術、デバイス製造技術、デバイス評価技術 ・構造解析技術(XRD、分光分析) ・セ... |
| 勤務地 | 神奈川県横須賀市夏島町1京浜急行線「追浜」駅より徒歩20分 |
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| 年収 | 年収:400万～1000万程度 月給制：月額254000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（7月、12月） 昇給:あり |
| 業務内容 | 【職務概要】 拡大する電動車市場に向けた、将来の車載用バッテリーセルの材料研究、電池開発、性能設計および車載化に向けたパック・モジュール・BMSの研究開発を行っています。 【職務詳細】 全固体電池に関して以下いずれかをご担当いただ... |
| 求める経験 | 【必須】 ・リチウムイオン電池または全固体電池の研究開発の経験 ・電池材料の専門性（無機化合物、有機化合物、金属化合物） ・電池分野の専門性（電気化学、機械工学、電気工学、制御工学） ・車載またはパワーツール向けリチウムイオン電池の... |
| 勤務地 | 京都府 |
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| 年収 | 年収:500万～850万程度 月給制：月額400000円 給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇 賞与:年2回（6月・12月、年間平均4ヶ月） 昇給:年1回 |
| 業務内容 | 【職務概要】 GaNパワーデバイスの電源設計をお任せします。 【職務詳細】 ・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価 ・GaNデバイスの海外拡販 【GaNデバイスについて】 GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバ... |
| 求める経験 | 【必須】 下記いずれかのご経験がある方 ・電源回路設計 ・半導体業界でのGaNデバイスの研究開発 ・パワーモジュール設計 |